[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010564186.9 | 申請(qǐng)日： | 2020-06-19 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN112310219A | 公開（公告）日： | 2021-02-02 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 申宇哲;金善昱;宋昇珉;李南玹 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 三星電子株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào)： | H01L29/78 | 分類號(hào)： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286 | 代理人： | 陳曉博;尹淑梅 |
| 地址： | 韓國京畿*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體器件 | ||
1.一種半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件包括：
基底，具有第一區(qū)域和第二區(qū)域；
第一納米線和第二納米線，在基底上順序地設(shè)置在第一區(qū)域中，并且在第一方向上各自延伸；
第三納米線和第四納米線，在基底上順序地設(shè)置在第二區(qū)域中，并且在第一方向上各自延伸；
第一內(nèi)間隔件，位于第一納米線與第二納米線之間，并且包括第一氫摩爾分?jǐn)?shù)的氫；以及
第二內(nèi)間隔件，位于第三納米線與第四納米線之間，并且包括比第一氫摩爾分?jǐn)?shù)大的第二氫摩爾分?jǐn)?shù)的氫。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中：
第一內(nèi)間隔件包括第一氧摩爾分?jǐn)?shù)的氧，并且
第二內(nèi)間隔件包括比第一氧摩爾分?jǐn)?shù)大的第二氧摩爾分?jǐn)?shù)的氧。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中：
第一內(nèi)間隔件和第二內(nèi)間隔件設(shè)置在同一水平處，并且
第一內(nèi)間隔件的在第一方向上的第一厚度大于第二間隔件的在第一方向上的第二厚度。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其中：
第一內(nèi)間隔件的第一厚度為3nm至5nm，并且
第二內(nèi)間隔件的第二厚度為2nm至4nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，第一內(nèi)間隔件和第二內(nèi)間隔件包括彼此不同的材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，其中，第一內(nèi)間隔件包括SiN并且第二內(nèi)間隔件包括SiON。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件還包括：
第三內(nèi)間隔件，在第一納米線與第二納米線之間位于第一內(nèi)間隔件上，以及
第四內(nèi)間隔件，在第三納米線與第四納米線之間位于第二內(nèi)間隔件上。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其中，第一內(nèi)間隔件和第二內(nèi)間隔件包括與第三內(nèi)間隔件和第四內(nèi)間隔件的材料不同的材料。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其中：
第一內(nèi)間隔件和第二內(nèi)間隔件中的每個(gè)包括SiON，并且
第三內(nèi)間隔件和第四內(nèi)間隔件中的每個(gè)包括SiN。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件還包括：
第一柵電極，圍繞第一納米線和第二納米線并且在與第一方向不同的第二方向上延伸，以及
第二柵電極，圍繞第三納米線和第四納米線并且在第二方向上延伸。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，第一區(qū)域的閾值電壓不同于第二區(qū)域的閾值電壓。
12.一種半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件包括：
基底，具有第一區(qū)域和第二區(qū)域；
第一納米線和第二納米線，在基底上順序地設(shè)置在第一區(qū)域中并且在第一方向上各自延伸；
第三納米線和第四納米線，在基底上順序地設(shè)置在第二區(qū)域中并且在第一方向上各自延伸；
第一柵電極，圍繞第一納米線和第二納米線并且在與第一方向不同的第二方向上延伸；
第二柵電極，圍繞第三納米線和第四納米線并且在第二方向上延伸；
第一內(nèi)間隔件，在第一納米線與第二納米線之間位于第一柵電極的至少一側(cè)上，并且包括第一氧摩爾分?jǐn)?shù)的氧；以及
第二內(nèi)間隔件，在第三納米線與第四納米線之間位于第二柵電極的至少一側(cè)上，并且包括比第一氧摩爾分?jǐn)?shù)大的第二氧摩爾分?jǐn)?shù)的氧。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，其中：
第一內(nèi)間隔件包括第一氫摩爾分?jǐn)?shù)的氫，并且
第二內(nèi)間隔件包括比第一氫摩爾分?jǐn)?shù)大的第二氫摩爾分?jǐn)?shù)的氫。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
