[發明專利]半導體器件

在審

• 申請號: 202010564186.9
• 申請日: 2020-06-19
• 公開（公告）號: CN112310219A
• 公開（公告）日: 2021-02-02
• 發明（設計）人: 申宇哲;金善昱;宋昇珉;李南玹
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336;H01L27/02
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 陳曉博;尹淑梅

提供了一種半導體器件，所述半導體器件包括：基底，具有第一區域和第二區域；第一納米線和第二納米線，在第一區域中順序地設置在基底上并且在第一方向上各自延伸；第三納米線和第四納米線，在第二區域中順序地設置在基底上并且在第一方向上各自延伸；第一內間隔件，位于第一納米線與第二納米線之間，并且包括第一氫摩爾分數的氫；以及第二內間隔件，位于第三納米線與第四納米線之間，并且包括比第一氫摩爾分數大的第二氫摩爾分數的氫。

于2019年7月29日在韓國知識產權局提交且名稱為“半導體器件”的第10-2019-0091531號韓國專利申請通過引用全部包含于此。

技術領域

實施例涉及一種半導體器件。

背景技術

已經提出了多柵極晶體管作為用于增加半導體器件的密度的縮放技術之一，其中在基底上形成鰭狀硅體或納米線狀硅體，然后在硅體的表面上形成柵極。

這種多柵極晶體管允許容易地縮放，因為它使用三維溝道。此外，可以增強電流控制能力而不需要增加多柵極晶體管的柵極長度。不僅如此，還能夠有效地抑制溝道區的電位受漏極電壓影響的短溝道效應(SCE)。

發明內容

實施例涉及一種半導體器件，所述半導體器件包括：基底，具有第一區域和第二區域；第一納米線和第二納米線，在第一區域中順序地設置在基底上，并且在第一方向上各自延伸；第三納米線和第四納米線，在第二區域中順序地設置在基底上，并且在第一方向上各自延伸；第一內間隔件，位于第一納米線與第二納米線之間，并且包括第一氫摩爾分數的氫；以及第二內間隔件，位于第三納米線與第四納米線之間，并且包括比第一氫摩爾分數大的第二氫摩爾分數的氫。

實施例還涉及一種半導體器件，所述半導體器件包括：基底，具有第一區域和第二區域；第一納米線和第二納米線，在第一區域中順序地設置在基底上，并且在第一方向上各自延伸；第三納米線和第四納米線，在第二區域中順序地設置在基底上，并且在第一方向上各自延伸；第一柵電極，圍繞第一納米線和第二納米線，并且在與第一方向不同的第二方向上延伸；第二柵電極，圍繞第三納米線和第四納米線，并且在第二方向上延伸；第一內間隔件，在第一納米線與第二納米線之間位于第一柵電極的至少一側上，并且包括第一氧摩爾分數的氧；以及第二內間隔件，在第三納米線與第四納米線之間位于第二柵電極的至少一側上，并且包括比第一氧摩爾分數大的第二氧摩爾分數的氧。

實施例還涉及一種半導體器件，所述半導體器件包括：基底，具有第一區域和第二區域；第一納米線、第二納米線和第三納米線，在第一區域中順序地設置在基底上，并且在第一方向上各自延伸；第四納米線、第五納米線和第六納米線，在第二區域中順序地設置在基底上，并且在第一方向上各自延伸；第一柵電極，圍繞第一納米線、第二納米線和第三納米線并且在與第一方向不同的第二方向上延伸；第二柵電極，圍繞第四納米線、第五納米線和第六納米線并且在第二方向上延伸；第一源區/漏區，位于第一納米線、第二納米線和第三納米線的至少一側上；第二源區/漏區，位于第四納米線、第五納米線和第六納米線的至少一側上；第一內間隔件，在第一納米線與第二納米線之間位于第一柵電極的至少一側上，并且包括第一氧摩爾分數的氧和第一氫摩爾分數的氫；第二內間隔件，在第四納米線與第五納米線之間位于第二柵電極的至少一側上，并且包括比第一氧摩爾分數大的第二氧摩爾分數的氧和比第一氫摩爾分數大的第二氫摩爾分數的氫；第一源極接觸件/漏極接觸件，與第一源區/漏區連接；以及第二源極接觸件/漏極接觸件，與第二源區/漏區連接。

附圖說明

通過參照附圖詳細描述示例實施例，對于本領域技術人員而言特征將變得明顯，在附圖中：

圖1示出了根據示例實施例的半導體器件的示意性俯視圖；

圖2示出了沿著圖1的線A-A′截取的剖視圖；

圖3示出了沿著圖1的線B-B'截取的剖視圖；

圖4示出了圖2的區域R1和區域R2的放大圖；