[發(fā)明專利]激光晶化裝置

在審

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• 申請日: 2020-06-19
• 公開（公告）號: CN112802774A
• 公開（公告）日: 2021-05-14
• 發(fā)明（設計）人: 三宮曉史;柳濟吉;韓圭完;李惠淑;崔銀善
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/02;H01L21/268
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 崔今花;周艷玲

實施例的激光晶化裝置可包括：激光發(fā)生部，用于輸出第一激光束和第二激光束；勻化部，用于接收由所述激光發(fā)生部輸出的所述第一激光束和所述第二激光束并使之勻化；光學系統(tǒng)，用于接收經過所述勻化部的所述第一激光束和所述第二激光束并使之光轉換；以及基板收容部，用于收容所述光轉換后的所述第一激光束和所述第二激光束所照射的基板，所述第一激光束和所述第二激光束具有長軸和短軸，所述第一激光束和所述第二激光束可以以在沿所述長軸的方向上具有不同入射角度的方式被輸入到所述勻化部。

技術領域

本公開涉及一種激光晶化裝置，更詳細而言，涉及一種用于將非晶硅薄膜晶化為多晶硅薄膜的激光晶化裝置。

背景技術

一般而言，非晶硅(a-Si)具有作為電荷載體的電子的遷移率及開口率低且不符合CMOS工藝的缺點。相反，多晶硅(Poly-Si)能夠將非晶硅薄膜晶體管(a-Si TFT)中無法實現(xiàn)的將圖像信號輸入到像素時所需的驅動電路設置在基板上。因此，多晶硅薄膜元件不需要多個端子與驅動集成電路之間的連接，從而能提高生產率和可靠性并能減小面板的厚度。

作為在低溫條件下制造這種多晶硅薄膜晶體管的方法，具有固相晶化法(SolidPhase Crystallization，SPC)、金屬誘導晶化法(Metal Induced Crystallization，MIC)、金屬誘導橫向晶化法(Metal Induced Lateral Crystallization，MILC)和準分子激光熱處理法(Excimer Laser Annealing，ELA)等。特別在有機發(fā)光顯示裝置(OLED)或液晶顯示裝置(LCD)的制造工藝中使用準分子激光熱處理法(ELA)，該準分子激光熱處理法利用具有高能量的激光束進行晶化。

如此，在利用激光晶化裝置來掃描對象基板并對對象薄膜進行晶化的情況下，當線性激光束施加于基板之前所經過的透鏡中存在缺陷(defect)時，有可能會因透鏡缺陷部位與其他部位之間的激光束的不均勻而發(fā)生掃描不均(scan mura)的斑紋等。

發(fā)明內容

實施例用于提供一種能夠減少由激光晶化裝置的透鏡缺陷引起的影響的激光晶化裝置。

實施例的激光晶化裝置包括：激光發(fā)生部，用于輸出第一激光束和第二激光束；勻化部，用于接收由所述激光發(fā)生部輸出的所述第一激光束和所述第二激光束并使之勻化；光學系統(tǒng)，用于接收經過所述勻化部的所述第一激光束和所述第二激光束并使之光轉換；以及基板收容部，用于收容所述光轉換后的所述第一激光束和所述第二激光束所照射的基板，所述第一激光束和所述第二激光束具有長軸和短軸，所述第一激光束和所述第二激光束以在沿所述長軸的方向上具有不同入射角度的方式被輸入到所述勻化部。

經過所述光學系統(tǒng)的第一部分的所述第一激光束可照射所述基板上的第一位置，經過所述光學系統(tǒng)的所述第一部分的所述第二激光束可照射所述基板上的第二位置，所述第一位置和所述第二位置可以彼此不同。

所述第一激光束和所述第二激光束可以沿與所述短軸平行的方向掃描，所述勻化部和所述光學系統(tǒng)不沿所述長軸振動。

所述激光發(fā)生部可包括：用于輸出激光束的第一發(fā)光部；用于接收所述激光束并將光線以平行光形態(tài)輸出的第一準直部(collimator)；和用于分割在所述第一準直部中擴散的所述激光束的分割器，所述激光束通過所述分割器以具有不同入射角度的方式分割成所述第一激光束和所述第二激光束。

所述激光發(fā)生部可包括：用于輸出所述第一激光束的第一發(fā)光部；用于接收所述第一激光束并使之擴散的第一準直部；用于輸出所述第二激光束的第二發(fā)光部；和用于接收所述第二激光束并使之擴散的第二準直部，由所述第一發(fā)光部輸出的所述第一激光束的輸出方向和由所述第二發(fā)光部輸出的所述第二激光束的輸出方向可以彼此不同。