[發明專利]射頻前端電路及收發設備有效
| 申請號： | 202010563565.6 | 申請日： | 2020-06-19 |
| 公開（公告）號： | CN111654306B | 公開（公告）日： | 2021-12-07 |
| 發明（設計）人： | 聶禮通;尹家文;張旻琦;欒國兵 | 申請（專利權）人： | 展訊通信（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H04B1/40 | 分類號： | H04B1/40 |
| 代理公司： | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人： | 朱穎;臧建明 |
| 地址： | 201203 上海市浦東新區自*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 射頻 前端 電路 收發 設備 | ||
1.一種射頻前端電路，其特征在于，包括：封裝體、發射模塊和接收模塊，所述封裝體具有第一焊點、第二焊點和第三焊點，所述封裝體包括具有第一品質因子的第一傳輸線和具有第二品質因子的第二傳輸線，其中，
所述第一焊點通過所述第一傳輸線與所述第二焊點連接，所述第二焊點還與所述發射模塊鏈接；
所述第一焊點通過所述第二傳輸線與所述第三焊點連接，所述第三焊點還與所述接收模塊連接；
所述接收模塊包括：第五電容、具有第三品質因子的電感、低噪聲放大器、電源，其中，
所述第五電容分別與所述第三焊點、所述電感和接地點連接；
所述低噪聲放大器分別與所述電感、所述電源和接地點連接。
2.根據權利要求1所述的射頻前端電路，其特征在于，低噪聲放大器包括：第一級電路和第二級電路，其中，
所述第一級電路的第一端與所述電感連接、第二端與所述電源、第三端和第四端分別與所述第二級電路、第五端與接地點連接；
所述第二級電路的第一端與所述電源、第二端和第三端分別與所述第一級電路、第四端與接地點連接。
3.根據權利要求2所述的射頻前端電路，其特征在于，所述第一級電路的第三端與所述第二級電路的第三端連接，所述第一級電路的第四端與所述第二級電路的第二端連接。
4.根據權利要求3所述的射頻前端電路，其特征在于，所述第一級電路的第三端與所述第二級電路的第二端連接，所述第一級電路的第四端與所述第二級電路的第三端連接。
5.根據權利要求3或4所述的射頻前端電路，其特征在于，所述第一級電路包括：第二電容、第一電容、第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管、第五晶體管、第六晶體管、第七晶體管、第八晶體管、第九晶體管、第十晶體管、第十一晶體管和第十二晶體管，其中，
所述第二電容的一端與所述電感連接，所述第二電容另一端分別與所述第七晶體管的柵極、第八晶體管的柵極、第九晶體管的柵極連接；
所述第一電容的一端與所述電感連接，所述第一電容的另一端分別與所述第一晶體管的柵極、第二晶體管的柵極、第三晶體管的柵極連接；
所述第七晶體管的源極與所述電源連接、漏極與所述第十晶體管的源極連接，所述第十晶體管的漏極與所述第四晶體管的漏極連接，所述第四晶體管的源極與所述第一晶體管的漏極連接，所述第一晶體管的源極接地；
所述第八晶體管的源極與所述電源連接、漏極與所述第十一晶體管的源極連接，所述第十一晶體管的漏極與所述第五晶體管的漏極連接，所述第五晶體管的源極與所述第二晶體管的漏極連接，所述第二晶體管的源極接地；
所述第九晶體管的源極與所述電源連接、漏極與所述第十二晶體管的源極連接，所述第十二晶體管的漏極與所述第六晶體管的漏極連接，所述第六晶體管的源極與所述第三晶體管的漏極連接，所述第三晶體管的源極接地；
所述第十晶體管的漏極、所述第十一晶體管的漏極、所述第十二晶體管的漏極連接；
所述第七晶體管的漏極、所述第八晶體管的漏極和所述第九晶體管的漏極的第一連接結點為所述第一級電路的第三端；
所述第四晶體管的源極、所述第五晶體管的源極和所述第六晶體管的源極的第二連接結點為所述第一級電路的第四端。
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