[發(fā)明專利]OPC的SSA表的形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010563173.X
• 申請日: 2020-06-19
• 公開（公告）號: CN111708255B
• 公開（公告）日: 2023-03-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 馮佳計;金曉亮;袁春雨
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;G03F1/36
• 代理公司: 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 郭四華

本發(fā)明公開了一種OPC的SSA表的形成方法，包括步驟：步驟一、對原始層圖形進行OPC得到仿真層圖形；步驟二、對原始層圖形的各邊做維度區(qū)分并區(qū)分成一維邊和二維邊；步驟三、抽取出每一條一維邊的偏離值并得到一組對應(yīng)的(W,S,B)測量值；步驟四、進行(W，S)區(qū)間劃分；步驟五、進行偏離值的區(qū)間分布計算，包括：根據(jù)各一維邊的(W，S，B)測量值在各(W，S)區(qū)間的B的分布計算出B在各(W，S)區(qū)間的最終值并形成SSA表。本發(fā)明能在短時間內(nèi)得到能同時適合各種結(jié)構(gòu)的SSA表；還能判斷OPC運行時是否出現(xiàn)bug，同時判斷SSA表是否需要改善以及如何改善。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種半導體集成電路制造方法，特別是涉及一種用于光學臨近效應(yīng)修正(Optical Proximity Correction,OPC)的選擇性偏差算法(selected biasalgrorithn，SSA)表的形成方法。

背景技術(shù)

在半導體光刻工藝中，為了提升分辨率極限，需要使用OPC技術(shù)。其中，基于模型的OPC修正方法是在實際光刻的襯底上，用光刻的最佳條件進行曝光，然后收集各種測試圖形的光刻關(guān)鍵尺寸值，通過這些量測值建立一個光刻工藝的模型，模擬光刻的整個過程，包括曝光和顯影過程。而后，根據(jù)模型計算來改變光刻版上的圖形的線寬尺寸，達到在晶圓如硅片上需要的線寬尺寸。

但是由于OPC模型是根據(jù)一種襯底條件下得到的，故運行OPC后得到的硅片上的實際圖形往往會根據(jù)襯底的不同會有不同。為了克服襯底條件的偏差所引起的OPC后的圖形偏差，需要引入SSA表，結(jié)合SSA表來運行OPC?，F(xiàn)有方法中，SSA表需要在對應(yīng)圖形層運行OPC后，測量OPC后的實際圖形和目標圖形的差異來得到SSA表，對于某一圖形層來說，對應(yīng)的襯底為包括了前層圖形層的襯底，隨著工藝越來越復雜，SSA表的計算也會越來越復雜。在OPC新工藝的開發(fā)過程中，隨著主芯片的結(jié)構(gòu)越來越復雜，很難在一開始就確定一個可以適用于各種主芯片的SSA表，尤其是金屬層工藝，結(jié)構(gòu)復雜多變，需要不斷試驗、驗證，才能得到合適的適合各種結(jié)構(gòu)的SSA表。甚至時常由于系統(tǒng)或者軟件漏洞(bug)，導致OPC運行時出現(xiàn)問題，并沒有完全按照SSA表運算，致使OPC出現(xiàn)風險(risk)?，F(xiàn)價段的普遍做法是通過后期不斷的積累產(chǎn)品數(shù)，遇到問題解決問題，逐步完善SSA表，耗時較長，且存在風險性。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種OPC的SSA表的形成方法，能在短時間內(nèi)得到能同時適合各種結(jié)構(gòu)的SSA表；還能判斷OPC運行時是否出現(xiàn)bug，同時判斷SSA表是否需要改善以及如何改善。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供的OPC的SSA表的形成方法包括如下步驟：

步驟一、對原始層圖形進行OPC得到OPC后的仿真層圖形，所述仿真層圖形和對應(yīng)的所述原始層圖形疊加在一起。

步驟二、對所述原始層圖形的各邊做維度區(qū)分，所述維度區(qū)分將對應(yīng)的邊區(qū)分成一維邊和二維邊；所述維度區(qū)分包括：

計算所述原始層圖形的邊和對應(yīng)所述仿真層圖形的邊的多個位置處的位置差值。

所述位置差值具有正值和負值，當所述仿真層圖形的邊位于所述原始層圖形的邊的外側(cè)時所述位置差值為正值，當所述仿真層圖形的邊位于所述原始層圖形的邊的內(nèi)側(cè)時所述位置差值為負值。

根據(jù)所計算的所述位置差值區(qū)分出對應(yīng)的邊是一維邊還是二維邊，其中，將各位置處的最大位置差值和最小位置差值的差值大于規(guī)定層且最小位置差值為負值的邊定義為所述二維邊，將各位置處的最大位置差值和最小位置差值的差值小于等于規(guī)定層的邊定義為所述一維邊。

步驟三、抽取出每一條所述一維邊的偏離值并得到一組對應(yīng)的(W,S,B)測量值，W表示所述一維邊對應(yīng)的所述原始層圖形的寬度，S表示所述一維邊對應(yīng)的所述原始層圖形的間距，B表示所述一維邊的偏離值(bias)；所述一維邊的偏離值由所述一維邊的各位置處的所述位置差值得到。

步驟四、進行(W，S)區(qū)間劃分，包括：