[發明專利]絕緣層形成方法

在審

• 申請號: 202010562416.8
• 申請日: 2020-06-18
• 公開（公告）號: CN112216652A
• 公開（公告）日: 2021-01-12
• 發明（設計）人: 松崎榮
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 喬婉;于靖帥

提供絕緣層形成方法，在由熱硬化樹脂在晶片上形成絕緣層的情況下，不在第1布線層和第2布線層的連接部分形成氧化膜而形成絕緣層。絕緣層形成方法在上表面上形成有第1布線層的晶片的第1布線層上形成絕緣層，包含如下工序：在形成于晶片的上表面的第1布線層的上表面上和晶片的上表面上涂布感光性的熱硬化樹脂；對熱硬化樹脂的規定的區域照射光而使區域變質；在將用于使通過變質工序而變質的區域的變質樹脂溶解的藥液提供至變質樹脂而使變質樹脂溶解之后，將清洗水提供至晶片而將變質樹脂去除；將實施了去除工序的晶片收納于能夠密閉的室中，使室密閉而使室內成為無氧；對收納于成為無氧的室內的晶片進行加熱而使熱硬化樹脂熱硬化。

技術領域

本發明涉及絕緣層形成方法，在上表面上形成有第1布線層的晶片的第1布線層上形成絕緣層。

背景技術

以往已知有涉及布線基板的技術，該布線基板安裝而搭載半導體芯片或各種電子部件并確保它們的電極與其他部件的導通。該布線基板是在晶片的上表面上層疊第1布線層、絕緣層以及第2布線層而構成的。

絕緣層存在由TEOS(四乙氧基硅烷)這樣的無機材料形成的情況和由樹脂形成的情況。在由TEOS形成絕緣層的情況下，在將基于TEOS的無機膜形成于晶片的上表面和第1布線層上之后，將抗蝕劑涂布在無機膜上，使與將第2布線層和第1布線層連接的連接部分對應的抗蝕劑膜曝光、顯影蝕刻，從而將無機膜去除，形成連接部分。然后，利用藥液將抗蝕劑去除而進行晶片的清洗。因此，需要進行無機膜形成、曝光、顯影、蝕刻以及抗蝕劑去除等，存在工時增多的問題。

與此相對，在由樹脂形成絕緣層時，例如如專利文獻1公開的布線基板的制造方法那樣，將感光性的熱硬化樹脂(例如聚酰亞胺)涂布在晶片的上表面和第1布線層上，對所形成的樹脂膜的與第1布線層和第2布線層連接的連接部分對應的區域照射光而使其變質，接著附著用于溶解熱硬化樹脂的液體而將熱硬化樹脂溶解，從而將與連接部分對應的熱硬化樹脂去除。然后，利用清洗水對晶片進行清洗，將用于溶解熱硬化樹脂的液體去除，將剩余的熱硬化樹脂在200℃～400℃進行加熱而使其熱硬化，形成絕緣層。因此，與由TEOS無機膜形成絕緣層的情況相比，能夠在短時間內形成絕緣層。

專利文獻1：日本特開2019-041041號公報

但是，存在如下的問題：由于為了使熱硬化樹脂熱硬化而進行的加熱而在第1布線層的連接部分形成氧化膜，從而無法進行與第2布線層的連接。

由此，在利用熱硬化樹脂在晶片上形成絕緣層的情況下，存在如下的課題：不在第1布線層和第2布線層的連接部分形成氧化膜而形成絕緣層。

發明內容

本發明的目的在于提供絕緣層形成方法，在上表面上形成有第1布線層的晶片的第1布線層上形成絕緣層。

用于解決上述課題的本發明的一個方式是絕緣層形成方法，在上表面上形成有第1布線層的晶片的該第1布線層上形成絕緣層，其中，該絕緣層形成方法包含如下的工序：涂布工序，在形成于晶片的上表面的該第1布線層的上表面上和晶片的上表面上涂布感光性熱硬化樹脂；變質工序，對該感光性熱硬化樹脂的規定的區域照射光而使該區域變質；去除工序，在將用于使通過該變質工序而變質的該區域的變質樹脂溶解的藥液提供至該變質樹脂而將該變質樹脂溶解之后，將清洗水提供至晶片而將該變質樹脂去除；無氧環境形成工序，將實施了該去除工序的晶片收納于能夠密閉的室中，將該室密閉而使該室內成為無氧；以及熱硬化工序，對收納于通過該無氧環境形成工序而成為無氧的該室內的晶片進行加熱而使該感光性熱硬化樹脂熱硬化，從而形成該絕緣層。

優選在所述無氧環境形成工序中，對所述室內進行減壓而使室內成為無氧。

優選在所述無氧環境形成工序中，利用惰性氣體充滿所述室內而使室內成為無氧。

優選在所述熱硬化工序中，對所述室進行加熱由此對晶片進行加熱，進而利用加熱后的晶片的熱使所述感光性熱硬化樹脂熱硬化，從而形成所述絕緣層。