[發明專利]絕緣層形成方法在審
| 申請號: | 202010562416.8 | 申請日: | 2020-06-18 |
| 公開(公告)號: | CN112216652A | 公開(公告)日: | 2021-01-12 |
| 發明(設計)人: | 松崎榮 | 申請(專利權)人: | 株式會社迪思科 |
| 主分類號: | H01L21/768 | 分類號: | H01L21/768 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 喬婉;于靖帥 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 絕緣 形成 方法 | ||
1.一種絕緣層形成方法,在上表面上形成有第1布線層的晶片的該第1布線層上形成絕緣層,其中,
該絕緣層形成方法包含如下的工序:
涂布工序,在形成于晶片的上表面的該第1布線層的上表面上和晶片的上表面上涂布感光性熱硬化樹脂;
變質工序,對該感光性熱硬化樹脂的規定的區域照射光而使該區域變質;
去除工序,在將用于使通過該變質工序而變質的該區域的變質樹脂溶解的藥液提供至該變質樹脂而將該變質樹脂溶解之后,將清洗水提供至晶片而將該變質樹脂去除;
無氧環境形成工序,將實施了該去除工序的晶片收納于能夠密閉的室中,將該室密閉而使該室內成為無氧;以及
熱硬化工序,對收納于通過該無氧環境形成工序而成為無氧的該室內的晶片進行加熱而使該感光性熱硬化樹脂熱硬化,從而形成該絕緣層。
2.根據權利要求1所述的絕緣層形成方法,其中,
在所述無氧環境形成工序中,對所述室內進行減壓而使室內成為無氧。
3.根據權利要求1所述的絕緣層形成方法,其中,
在所述無氧環境形成工序中,利用惰性氣體充滿所述室內而使室內成為無氧。
4.根據權利要求1~3中的任意一項所述的絕緣層形成方法,其中,
在所述熱硬化工序中,對所述室進行加熱由此對晶片進行加熱,進而利用加熱后的晶片的熱使所述感光性熱硬化樹脂熱硬化,從而形成所述絕緣層。
5.根據權利要求1~3中的任意一項所述的絕緣層形成方法,其中,
在所述熱硬化工序中,所述室由透過紅外線的石英玻璃形成,從該室外對該室內的晶片照射紅外線,通過該紅外線對晶片進行加熱,進而利用加熱后的晶片的熱使所述感光性熱硬化樹脂熱硬化,從而形成所述絕緣層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





