[發明專利]一種曝光機的曝光方法及顯示基板

有效

• 申請號: 202010562059.5
• 申請日: 2020-06-18
• 公開（公告）號: CN111596531B
• 公開（公告）日: 2023-08-01
• 發明（設計）人: 徐攀;張大成
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262
• 代理人: 解婷婷;曲鵬

提供了一種曝光機的曝光方法及顯示基板，該曝光機的曝光方法應用于待曝光顯示基板，所述待曝光顯示基板包括陣列排布的多個子像素，所述曝光機的曝光方法包括：將玻璃基板分成至少一個曝光區域；將所述待曝光顯示基板放置在所述玻璃基板上；將所述待曝光顯示基板上相同的子像素放置在同一個曝光區域中。

技術領域

本發明涉及觸控技術領域，具體涉及一種曝光機的曝光方法及顯示基板。

背景技術

有機發光二極管(Organic?Light?Emitting?Diode，簡稱：OLED)為主動發光顯示器件，具有自發光、廣視角、高對比度、低功耗、寬色域、輕薄化、可異形化等優點。隨著顯示技術的不斷發展，OLED技術越來越多的應用于柔性顯示和透明顯示中。

制作薄膜晶體管(Thin?Film?Transis，簡稱：TFT)的核心技術是光刻工藝。一般地，一道光刻工藝子流程使用一張掩膜板，包括：清洗、成膜、涂布、曝光、顯影、PR(光刻膠)剝離、刻蝕、檢查等工藝。其中，曝光工藝可以直接影響TFT的關鍵尺寸。

傳統的光刻工藝是將設計版圖圖形轉變為實體掩模板，再通過紫外光照射到掩模板上，透過掩模板圖形縫隙的紫外光與光刻膠發生光學反應，從而將掩模板上的圖形轉移到玻璃基板上。隨著技術的發展，目前多采用數字光刻工藝。數字光刻工藝是將設計版圖圖形轉變為虛擬掩模板，通過數字曝光機將虛擬掩模板上的圖形轉移到玻璃基板上。

發明內容

本發明實施例所要解決的技術問題是，提供一種曝光機的曝光方法及顯示基板，減小曝光機的計算量，縮短曝光機的曝光時間。

為了解決上述技術問題，本發明實施例提供了一種曝光機的曝光方法，應用于待曝光顯示基板，所述待曝光顯示基板包括陣列排布的多個子像素，所述曝光機的曝光方法包括：

將玻璃基板分成至少一個曝光區域；

將所述待曝光顯示基板放置在所述玻璃基板上；

將所述待曝光顯示基板上相同的子像素放置在同一個曝光區域中。

在一些可能的實現方式中，同一個所述曝光區域中，相鄰所述待曝光顯示基板的子像素沿著所述曝光機的掃描方向對齊。

在一些可能的實現方式中，所述待曝光顯示基板還包括集成電路接口，所述曝光機的曝光方法還包括：

將所述待曝光顯示基板上相同的集成電路接口放置在同一個曝光區域中。

在一些可能的實現方式中，同一個所述曝光區域中，相鄰所述待曝光顯示基板的集成電路接口沿著所述曝光機的掃描方向對齊。

在一些可能的實現方式中，所述待曝光顯示基板還包括將所述子像素與所述集成電路接口連接的引線，所述曝光機的曝光方法還包括：

將所述待曝光顯示基板上相同的引線放置在同一個曝光區域中。

在一些可能的實現方式中，同一個所述曝光區域中，相鄰所述待曝光顯示基板的引線沿著所述曝光機的掃描方向對齊。

在一些可能的實現方式中，所述待曝光顯示基板包括第一子顯示基板和第二子顯示基板，所述第一子顯示基板的子像素和所述第二子顯示基板的子像素相同，所述第一子顯示基板的子像素密度和所述第二子顯示基板的子像素密度不同，所述第一子顯示基板與所述第二子顯示基板相同的子像素放置在同一個曝光區域中。

在一些可能的實現方式中，所述待曝光顯示基板包括第一子顯示基板和第二子顯示基板，所述第一子顯示基板的子像素和所述第二子顯示基板的子像素相同，所述第一子顯示基板和所述第二子顯示基板的尺寸不同，所述第一子顯示基板與所述第二子顯示基板相同的子像素放置在同一個曝光區域中。