[發明專利]傾斜光柵的制備方法、壓印模板有效
| 申請號: | 202010561769.6 | 申請日: | 2020-06-18 |
| 公開(公告)號: | CN111665682B | 公開(公告)日: | 2022-06-28 |
| 發明(設計)人: | 李多輝;路彥輝;周雪原;趙晉;宋夢亞 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | G03F7/00 | 分類號: | G03F7/00;G02B5/18 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;姜春咸 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 傾斜 光柵 制備 方法 壓印 模板 | ||
本發明提供一種傾斜光柵的制備方法、壓印模板,屬于光柵制備技術領域,其可至少部分解決現有的壓印模板以及制備方法對制備傾斜光柵具有一定困難的問題。本發明的一種傾斜光柵的制備方法,包括:在基底上形成柔性材料層;在柔性材料層遠離基底的表面上形成磁性材料層;對柔性材料層和磁性材料層進行圖案化處理,柔性材料層形成多個間隔分布的柱狀的柔性結構,磁性材料層形成多個間隔分布的柱狀的磁性結構,且柔性結構與磁性結構一一對應,以形成壓印模板,其中,基底的位置不變時,當磁性結構受磁力發生位置變化,能夠帶動柔性結構發生位置變化;利用壓印模板形成傾斜光柵。
技術領域
本發明屬于光柵制備技術領域,具體涉及一種傾斜光柵的制備方法、壓印模板。
背景技術
納米壓印技術是一種新型的微納加工技術。該技術通過機械轉移的手段,達到了超高的分辨率,有望在未來取代傳統光刻技術,成為微電子、材料領域的重要加工手段。納米壓印技術常用于形成光柵結構,具體的,現在形成具有納米結構的壓印模板,再利用該壓印模板對光柵材料層進行壓印,最后將壓印好的光柵材料層固化,形成光柵結構。
然而,現有技術的壓印模板以及方法對于傾斜光柵而言具有一定的困難,如制備傾斜角度的多個傾斜光柵可能需要多個不同的壓印模板,從而增加傾斜光柵制備難度。
發明內容
本發明至少部分解決現有的壓印模板以及制備方法對制備傾斜光柵具有一定困難的問題,提供一種簡單、易操作的傾斜光柵的制備方法。
解決本發明技術問題所采用的技術方案是一種傾斜光柵的制備方法,包括:
在基底上形成柔性材料層;
在所述柔性材料層遠離所述基底的表面上形成磁性材料層;
對所述柔性材料層和所述磁性材料層進行圖案化處理,所述柔性材料層形成多個間隔分布的柱狀的柔性結構,所述磁性材料層形成多個間隔分布的柱狀的磁性結構,且所述柔性結構與所述磁性結構一一對應,以形成壓印模板,其中,所述基底的位置不變時,當所述磁性結構受磁力發生位置變化,能夠帶動所述柔性結構發生位置變化;
利用所述壓印模板形成傾斜光柵。
進一步優選的是,所述利用所述壓印模板形成傾斜光柵之前包括:在襯底上形成壓印材料。
進一步優選的是,所述利用所述壓印模板形成傾斜光柵包括:將所述壓印模板的磁性結構朝向所述壓印材料,并對所述壓印材料進行壓印,以使所述壓印材料充滿所述柔性結構之間的間隔和所述磁性結構之間的間隔;對所述磁性結構施加磁力,使得磁性結構發生位置變化,并且所述磁性結構的位置變化帶動所述柔性結構發生相對所述基底的位置變化;對所述壓印材料進行固化處理,以形成傾斜光柵。
進一步優選的是,所述對所述壓印材料進行固化處理,以形成傾斜光柵之后還包括:將所述壓印模板與所述傾斜光柵脫離。
進一步優選的是,所述將所述壓印模板的磁性結構朝向所述壓印材料,并對所述壓印材料進行壓印包括:在第一磁場的作用下,每個所述柔性結構的軸線與所述基底垂直;所述對所述磁性結構施加磁力,使得磁性結構發生位置變化,并且所述磁性結構的位置變化帶動所述柔性結構發生相對所述基底的位置變化包括:在第二磁場的作用下,所述磁力的方向與所述基底呈銳角,發生位置變化后的所述柔性結構的軸線與所述基底呈銳角。
進一步優選的是,所述對所述柔性材料層和所述磁性材料層進行圖案化處理包括:形成的所述磁性結構的高度為所述柔性結構的高度的0.1-0.3倍。
進一步優選的是,所述在基底上形成柔性材料層包括:所述柔性材料層的形成材料為聚酰亞胺或者聚對苯二甲酸乙二醇酯。
進一步優選的是,所述在所述柔性材料層遠離所述基底的表面上形成磁性材料層包括:所述磁性材料層的形成材料包括鐵、鈷、鎳以及摻雜磁性納米顆粒的有機材料之中的一種或者多種。
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