[發明專利]氣體導入構造、熱處理裝置以及氣體供給方法

在審

• 申請號: 202010561531.3
• 申請日: 2020-06-18
• 公開（公告）號: CN112126913A
• 公開（公告）日: 2020-12-25
• 發明（設計）人: 菱屋晉吾;孫成德;北村昌幸;小川悟
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455;H01L21/67
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;張會華

本發明提供一種能夠抑制膜沉積于氣體供給管的內部并且能夠均勻地供給氣體的氣體導入構造、熱處理裝置以及氣體供給方法。本公開的一形態的氣體導入構造是向縱長的處理容器內供給處理氣體的氣體導入構造，所述氣體導入構造具有處理氣體供給管，所述處理氣體供給管在所述處理容器內沿著該處理容器的長度方向延伸，并且具有沿著該長度方向形成的多個氣體噴出孔，從所述處理氣體供給管的一端朝向另一端向所述處理氣體供給管導入處理氣體，向所述處理氣體供給管的比所述一端靠近所述另一端這一側供給稀釋氣體。

技術領域

本公開涉及一種氣體導入構造、熱處理裝置以及氣體供給方法。

背景技術

已知有如下熱處理裝置：在縱長的處理容器內收納有堆疊于晶圓舟皿的多片晶圓，從在處理容器內的沿著長度方向延伸的氣體供給部形成的氣體噴出孔沿水平方向供給處理氣體，在晶圓表面形成膜(例如，參照專利文獻1)。在該熱處理裝置中使用了這樣的氣體供給部：該氣體供給部被設定為與配置仿真基板的區域對應地形成的氣體噴出孔整體的開口率大于與配置產品基板的區域對應地形成的氣體噴出孔整體的開口率。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2014-63959號公報

發明內容

發明要解決的問題

本公開提供一種能夠抑制膜沉積于氣體供給管的內部且能夠均勻地供給氣體的技術。

用于解決問題的方案

本公開的一技術方案的氣體導入構造是向縱長的處理容器內供給處理氣體的氣體導入構造，所述氣體導入構造具有處理氣體供給管，所述處理氣體供給管在所述處理容器內沿著該處理容器的長度方向延伸，并且具有沿著該長度方向形成的多個氣體噴出孔，從所述處理氣體供給管的一端朝向另一端向所述處理氣體供給管導入處理氣體，向所述處理氣體供給管的比所述一端靠近所述另一端這一側供給稀釋氣體。

發明的效果

根據本公開，能夠抑制膜沉積于氣體供給管的內部，并且能夠均勻地供給氣體。

附圖說明

圖1是表示熱處理裝置的結構例的縱剖視圖。

圖2是表示熱處理裝置的結構例的橫剖視圖。

圖3是表示氣體導入構造的一個例子的立體圖。

圖4是表示氣體導入構造的一個例子的剖視圖。

圖5是表示氣體導入構造的一個例子的概略圖。

圖6是表示氣體導入構造的另一個例子的概略圖。

圖7是表示氣體導入構造的又一個例子的概略圖。

圖8是用于說明模擬實驗所使用的氣體導入構造的圖。

圖9是表示模擬實驗1的結果的圖。

圖10是表示模擬實驗2的結果的圖。

具體實施方式

以下，參照附圖對本公開的非限定性的例示的實施方式進行說明。在所有附圖中，對相同或對應的構件或部件標注相同或對應的附圖標記，省略重復的說明。

〔成膜裝置〕

參照圖1以及圖2對一實施方式的成膜裝置進行說明。圖1以及圖2分別為表示熱處理裝置的結構例的縱剖視圖以及橫剖視圖。