[發(fā)明專利]氣體導(dǎo)入構(gòu)造、熱處理裝置以及氣體供給方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010561531.3 | 申請日: | 2020-06-18 |
| 公開(公告)號: | CN112126913A | 公開(公告)日: | 2020-12-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 菱屋晉吾;孫成德;北村昌幸;小川悟 | 申請(專利權(quán))人: | 東京毅力科創(chuàng)株式會社 |
| 主分類號: | C23C16/455 | 分類號: | C23C16/455;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京林達(dá)劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;張會華 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 氣體 導(dǎo)入 構(gòu)造 熱處理 裝置 以及 供給 方法 | ||
1.一種氣體導(dǎo)入構(gòu)造,其是向縱長的處理容器內(nèi)供給處理氣體的氣體導(dǎo)入構(gòu)造,其中,
所述氣體導(dǎo)入構(gòu)造具有處理氣體供給管,所述處理氣體供給管在所述處理容器內(nèi)沿著該處理容器的長度方向延伸,并且具有沿著該長度方向形成的多個氣體噴出孔,從所述處理氣體供給管的一端朝向另一端向所述處理氣體供給管導(dǎo)入處理氣體,
向所述處理氣體供給管的比所述一端靠近所述另一端這一側(cè)供給稀釋氣體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣體導(dǎo)入構(gòu)造,其中,
所述氣體導(dǎo)入構(gòu)造還具有:
稀釋氣體供給管,其在所述處理容器內(nèi)沿著該處理容器的長度方向延伸;以及
連接部,其使所述處理氣體供給管的內(nèi)部和所述稀釋氣體供給管的內(nèi)部連通。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的氣體導(dǎo)入構(gòu)造,其中,
所述連接部沿著所述處理氣體供給管的長度方向設(shè)有多個。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的氣體導(dǎo)入構(gòu)造,其中,
所述連接部形成為管狀。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的氣體導(dǎo)入構(gòu)造,其中,
所述連接部形成為沿著所述處理氣體供給管的長度方向延伸。
6.根據(jù)權(quán)利要求2~5中任一項所述的氣體導(dǎo)入構(gòu)造,其中,
所述連接部至少連接所述處理氣體供給管的上部和所述稀釋氣體供給管。
7.根據(jù)權(quán)利要求2~6中任一項所述的氣體導(dǎo)入構(gòu)造,其中,
所述處理氣體供給管和所述稀釋氣體供給管沿著所述處理容器的周向排列地配置。
8.根據(jù)權(quán)利要求1~7中任一項所述的氣體導(dǎo)入構(gòu)造,其中,
所述處理氣體為原料氣體。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的氣體導(dǎo)入構(gòu)造,其中,
所述原料氣體經(jīng)由所述處理氣體供給管向被加熱到熱分解溫度以上的溫度的所述處理容器內(nèi)導(dǎo)入。
10.根據(jù)權(quán)利要求1~9中任一項所述的氣體導(dǎo)入構(gòu)造,其中,
所述稀釋氣體為非活性氣體或氫氣。
11.根據(jù)權(quán)利要求1~10中任一項所述的氣體導(dǎo)入構(gòu)造,其中,
在所述處理容器的外周側(cè)設(shè)有用于加熱所述處理容器的加熱部。
12.根據(jù)權(quán)利要求1~11中任一項所述的氣體導(dǎo)入構(gòu)造,其中,
所述處理容器收納呈擱板狀保持于基板保持件的多個基板。
13.一種熱處理裝置,其中,
所述熱處理裝置具有:
縱長的處理容器;
氣體導(dǎo)入構(gòu)造,其向所述處理容器內(nèi)供給處理氣體;
排氣部,其對所述處理容器內(nèi)的所述處理氣體進(jìn)行排氣;以及
加熱部,其配置在所述處理容器的外周側(cè),
所述氣體導(dǎo)入構(gòu)造具有處理氣體供給管,所述處理氣體供給管在所述處理容器內(nèi)沿著該處理容器的長度方向延伸,并且具有沿著該長度方向形成的多個氣體噴出孔,從所述處理氣體供給管的一端朝向另一端向所述處理氣體供給管導(dǎo)入處理氣體,
向所述處理氣體供給管的比所述一端靠近所述另一端這一側(cè)供給稀釋氣體。
14.一種氣體供給方法,其是向縱長的處理容器內(nèi)供給處理氣體的氣體供給方法,其中,
在所述氣體供給方法中,處理氣體供給管在所述處理容器內(nèi)沿著該處理容器的長度方向延伸,并且具有沿著該長度方向形成的多個氣體噴出孔,從所述處理氣體供給管的一端朝向另一端向所述處理氣體供給管導(dǎo)入處理氣體,在從所述處理氣體供給管向所述處理容器內(nèi)供給處理氣體時,至少向所述處理氣體供給管的比所述一端靠近所述另一端這一側(cè)供給稀釋氣體。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機(jī)材料為特征的





