[發(fā)明專利]一種電子設(shè)備

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010560069.5
• 申請(qǐng)日: 2020-06-18
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111741623A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-10-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 邾志民;韓永健
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 維沃移動(dòng)通信有限公司
• 主分類號(hào): H05K5/02
• 分類號(hào): H05K5/02;H01Q19/06
• 代理公司: 北京銀龍知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243
• 代理人: 黃燦;郭湘宜

1.一種電子設(shè)備，其特征在于，包括：殼體、毫米波天線模組和介質(zhì)層，其中：

所述殼體開(kāi)設(shè)有容納腔；

所述毫米波天線模組設(shè)置于所述容納腔；

所述介質(zhì)層設(shè)置于所述殼體的與所述毫米波天線模組相對(duì)的位置，所述介質(zhì)層包括靠近所述殼體的第一端以及遠(yuǎn)離所述殼體的第二端，所述介質(zhì)層的介電常數(shù)小于所述殼體的介電常數(shù)，且所述介質(zhì)層的介電常數(shù)由所述第一端向所述第二端遞減。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備，其特征在于，所述介質(zhì)層的介電常數(shù)由所述第一端向所述第二端均勻遞減。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備，其特征在于，所述介質(zhì)層包括依次堆疊設(shè)置的多個(gè)子介質(zhì)層；

所述多個(gè)子介質(zhì)層中的各子介質(zhì)層的介電常數(shù)互不相同。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電子設(shè)備，其特征在于，所述多個(gè)子介質(zhì)層中距離所述殼體最近的子介質(zhì)層為粘接層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備，其特征在于，所述毫米波天線模組在所述殼體上的正投影區(qū)域位于所述介質(zhì)層在所述殼體上的正投影區(qū)域內(nèi)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備，其特征在于，所述介質(zhì)層位于所述殼體的朝向所述毫米波天線模組的第一面，或者，所述介質(zhì)層位于所述殼體的背向所述毫米波天線模組的第二面。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備，其特征在于，所述介質(zhì)層的數(shù)量為2，其中一個(gè)介質(zhì)層位于所述殼體的朝向所述毫米波天線模組的第一面，另一個(gè)介質(zhì)層位于所述殼體的背向所述毫米波天線模組的第二面，且兩個(gè)所述介質(zhì)層至少部分對(duì)齊。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備，其特征在于，所述殼體包括后蓋與邊框，所述后蓋與所述邊框圍合形成所述容納腔，所述介質(zhì)層位于所述后蓋上。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備，其特征在于，所述毫米波天線模組包括天線，所述天線包括至少一個(gè)天線單元，每個(gè)天線單元均包括對(duì)稱差分正交饋電組件和設(shè)置于所述對(duì)稱差分正交饋電組件外圍的接地金屬框。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電子設(shè)備，其特征在于，所述對(duì)稱差分正交饋電組件包括設(shè)置于所述接地金屬框內(nèi)側(cè)的絕緣介質(zhì)，且包括部分嵌設(shè)于所述絕緣介質(zhì)的第一子饋電結(jié)構(gòu)、第二子饋電結(jié)構(gòu)、第三子饋電結(jié)構(gòu)和第四子饋電結(jié)構(gòu)，其中，

所述第一子饋電結(jié)構(gòu)和所述第二子饋電結(jié)構(gòu)處于同一直線上且對(duì)向設(shè)置，且二者形成一組正45°極化的饋電結(jié)構(gòu)；

所述第三子饋電結(jié)構(gòu)和所述第四子饋電結(jié)構(gòu)處于同一直線上且對(duì)向設(shè)置，且二者形成一組負(fù)45°極化的饋電結(jié)構(gòu)；

所述第一子饋電結(jié)構(gòu)和所述第二子饋電結(jié)構(gòu)形成的連線，與所述第三子饋電結(jié)構(gòu)和所述第四子饋電結(jié)構(gòu)形成的連線正交。