[發明專利]狹縫鍍膜裝置在審
| 申請號: | 202010559361.5 | 申請日: | 2020-06-18 |
| 公開(公告)號: | CN111809153A | 公開(公告)日: | 2020-10-23 |
| 發明(設計)人: | 馬永勝;孫飛;黃濤;劉佰奇;郭迪舟;何平;董海義 | 申請(專利權)人: | 中國科學院高能物理研究所 |
| 主分類號: | C23C14/35 | 分類號: | C23C14/35 |
| 代理公司: | 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 石茵汀 |
| 地址: | 100049 北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 狹縫 鍍膜 裝置 | ||
本申請提出一種狹縫鍍膜裝置,包括:法蘭、陰極絲、陰極絲固定結構,其中,法蘭的個數為兩個,兩個法蘭平行放置,用于固定待鍍膜的真空管,陰極絲固定在真空管的中心位置,陰極絲固定結構設置在陰極絲上,用于固定陰極絲;其中,陰極絲上每間隔預設距離設置一個陰極絲固定結構。由此,采用陰極絲固定結構將陰極絲穩定固定,以保證陰極絲處于拉直且不短路的狀態,實現了在真空管內壁進行鍍膜過程中等離子體輝光放電時陰極絲處于拉緊狀態且不會被拉斷,解決了現有技術中對于6mm以下尺寸的狹縫真空管進行鍍膜時,出現陰極絲與真空管之間短路、陰極絲斷裂等現象影響對真空管進行鍍膜的技術問題,從而保證了鍍膜能夠正常進行。
技術領域
本申請涉及鍍膜技術領域,尤其涉及一種狹縫鍍膜裝置。
背景技術
同步輻射光源逐漸向高亮度,低發射度發展,從而要求磁鐵孔徑盡可能小,這樣導致真空管尺寸非常小。此外,為了避免束流引起的同步輻射光直接照射在真空管的管壁,一般在真空管側面附加有光子通道。然而受到磁鐵空間限制,光子通道一般為高度較小的扁平狀矩形結構。例如,第四代同步輻射光源的光子通道的高度只有6mm,另外,受到磁鐵體積的限制,單根真空管長度一般需要大于1米,這導致真空流導較小。傳統上采用離散式真空泵的方式無法獲得束流所需真空度,必須在真空管內壁鍍一層0.5~2um的吸氣劑薄膜提供分布式抽氣的能力,以獲得更高的真空度。同時,相對于傳統不銹鋼、無氧銅、鋁材等材料,吸氣劑薄膜具有較低的光子解析系數,較低的電子解析系數,較低的二次電子發射系數,這些優點使得束流引起的動態氣載相對較低,對于正電荷粒子加速器還可以有效抑制電子云效應。
對于尺寸較大的管道內壁鍍膜,如大于10mm,一般通過一定方式將陰極絲固定在真空管的中心位置,采用直流磁控濺射方法在真空管內壁鍍吸氣劑薄膜。但是,采用傳統的陰極絲固定方式對6mm以下尺寸的狹縫真空管內壁進行鍍膜時,會出現陰極絲與真空管之間短路、陰極絲斷裂等影響繼續鍍膜的現象。另外,陰極絲直徑一般為1~2mm,真空管變形等原因,可能導致陰極絲與真空管的管壁之間的距離小于2.5mm,使得等離子體很難起輝放電或者均勻分布于真空盒內部,從而最終導致無法成膜的技術問題。
發明內容
本申請旨在至少在一定程度上解決相關技術中的技術問題之一。
為此,本申請提出一種狹縫鍍膜裝置,以解決現有技術中對于6mm以下尺寸的狹縫真空管進行鍍膜時,出現陰極絲與真空管之間短路等現象,從而影響對真空管進行鍍膜的技術問題。
本申請提出了一種狹縫鍍膜裝置,包括:
法蘭,所述法蘭的個數為兩個,兩個法蘭平行放置,用于固定待鍍膜的真空管;
陰極絲,所述陰極絲固定在所述真空管的中心位置;
陰極絲固定結構,所述陰極絲固定結構設置在所述陰極絲上,用于固定所述陰極絲;其中,所述陰極絲上每間隔預設距離設置一個所述陰極絲固定結構。
可選地,所述裝置,還包括:
夾緊件,所述夾緊件的個數為兩個,分別固定在兩個法蘭的外側壁,用于拉緊且固定所述陰極絲。
可選地,所述夾緊件為內部中空的圓柱體,并且在所述夾緊件的中心位置處設置有兩個螺釘孔以固定所述陰極絲。
可選地,所述裝置,還包括:
設置在所述陰極絲一端的重物,用于將所述陰極絲拉直。
可選地,所述重物的重量處于0.5kg至1kg之間。
可選地,所述預設距離為80mm至120mm的距離區間。
可選地,采用直流磁控濺射方法對所述真空管內壁進行鍍膜,其中,沉積溫度為80~100℃,流量計的流量為0.5~2sccm,濺射功率為10~25W,氣體壓強為5~15Pa,磁場強度為500~750Gaus s,沉積時間為4~8h。
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