[發明專利]一種單芯片集成的高壓PMOS管驅動器

在審

• 申請號: 202010558880.X
• 申請日: 2020-06-18
• 公開（公告）號: CN111628761A
• 公開（公告）日: 2020-09-04
• 發明（設計）人: 蔣紅利;羅晟;孫志欣
• 申請（專利權）人: 無錫中微愛芯電子有限公司;中國電子科技集團公司第五十八研究所;中國電子科技集團公司第十四研究所
• 主分類號: H03K17/687
• 分類號: H03K17/687
• 代理公司: 北京科家知識產權代理事務所(普通合伙) 11427
• 代理人: 宮建華

1.一種單芯片集成的高壓PMOS管驅動器，其特征在于：輸入調制TTL信號經TTL模塊U1后與邏輯控制延時模塊U3連接，同時負壓掉電檢測模塊U2也與邏輯控制延時模塊U3連接，邏輯控制延時模塊U3輸出驅動高邊電平移位模塊U4的HI信號，同時輸出驅動低邊驅動模塊U6的LI信號，LI信號經低邊驅動模塊U6后輸出到NMOS管的柵極；HI信號經高邊電平移位模塊U4后輸入至高邊驅動模塊U5；

電源VCC通過內部電壓產生模塊U7輸出內部電壓V1和VB；V1和GND作為TTL模塊U1、負壓掉電檢測模塊U2、邏輯控制延時模塊U3和低邊驅動模塊U6的電源信號和地信號；VCC作為高邊驅動模塊U5的正端電源信號，VB作為高邊驅動模塊U5的負端供電信號，VCC作為高邊電平移位模塊U4的電源信號，GND作為高邊電平移位模塊U4的地信號；

高邊驅動模塊U5的輸出信號連接到PMOS管的柵極，PMOS管的源極接VCC，PMOS管的漏極接外部GaN微波功率放大器的漏極電源端，NMOS管的源極接GND；NMOS管的漏極的輸出信號接外部GaN微波功率放大器的漏極電源端。

2.根據權利要求1所述的單芯片集成的高壓PMOS管驅動器，其特征在于：還包括高邊關斷反饋控制模塊U8，所述高邊驅動模塊U5的輸出信號通過高邊關斷反饋控制模塊U8后，也通過低邊驅動模塊U6后輸出到NMOS管的柵極。

3.根據權利要求1所述的單芯片集成的高壓PMOS管驅動器，其特征在于：包括電阻R1,所述高邊驅動模塊U5的輸出信號通過電阻R1連接到PMOS管的柵極。

4.根據權利要求1所述的單芯片集成的高壓PMOS管驅動器，其特征在于：還包括電阻R2，NMOS管的漏極的輸出信號通過電阻R2接外部GaN微波功率放大器的漏極電源端。

5.根據權利要求1所述的單芯片集成的高壓PMOS管驅動器，其特征在于：內部電壓V1采用4V～6V電壓。

6.根據權利要求1所述的單芯片集成的高壓PMOS管驅動器，其特征在于：所述內部電壓VB輸出為范圍VCC-6V～VCC-14V的電壓。

7.根據權利要求1所述的單芯片集成的高壓PMOS管驅動器，其特征在于：所述TTL信號為輸入連續波或脈沖調制波。