[發(fā)明專利]沉積源

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010558692.7
• 申請日: 2020-06-18
• 公開（公告）號: CN112779502A
• 公開（公告）日: 2021-05-11
• 發(fā)明（設計）人: 吳守賢;魯碩原;樸國喆
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: C23C14/24
• 分類號: C23C14/24;C23C14/04;C23C14/12;H01L51/00;H01L51/56
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 車玉珠;康泉

1.一種沉積源，包括：

坩鍋，沿一方向延伸且上側開放；

蓋板，與所述坩堝結合，用于遮蔽所述坩堝的開放部分；以及

至少一個噴嘴組，包括與所述蓋板結合且沿所述坩堝的延伸方向排列的多個單元噴嘴，

各個所述單元噴嘴包括：位于上側的第一吐出口；以及第一噴嘴流路，連接所述第一吐出口和所述坩堝且由單元噴嘴側壁包圍，

所述第一噴嘴流路包括：位于下部的第一下端部；以及第一上端部，與所述第一下端部連接且位于所述第一下端部的上部，

所述第一下端部具有均勻的寬度，

越靠近所述第一吐出口時，所述第一上端部的寬度會變得越寬，

所述單元噴嘴側壁包括：第一外側壁，被設置在第一最外圍單元噴嘴的一側，所述第一最外圍單元噴嘴為所述噴嘴組內的所述多個單元噴嘴中位于一個外側的單元噴嘴；第二外側壁，被設置在第二最外圍單元噴嘴的另一側，所述第二最外圍單元噴嘴為所述多個單元噴嘴中位于另一外側的單元噴嘴；以及共用側壁，被設置在相鄰的所述單元噴嘴之間。

2.根據權利要求1所述的沉積源，其中，

所述噴嘴組內的所述多個單元噴嘴通過所述共用側壁成為一體。

3.根據權利要求2所述的沉積源，進一步包括與所述蓋板結合的多個孤立噴嘴，

所述孤立噴嘴包括：位于上側的第二吐出口；以及第二噴嘴流路，連接所述第二吐出口和所述坩堝且由孤立噴嘴側壁包圍，

各個所述孤立噴嘴的所述孤立噴嘴側壁與其他孤立噴嘴的所述孤立噴嘴側壁及所述噴嘴組的所述單元噴嘴側壁相隔開。

4.根據權利要求3所述的沉積源，其中，

所述第二噴嘴流路包括：位于下部的第二下端部；以及第二上端部，與所述第二下端部連接且位于所述第二下端部的上部，

所述第二下端部具有均勻的寬度，

越靠近所述第二吐出口時，所述第二上端部的寬度會變得越寬。

5.根據權利要求4所述的沉積源，包括以所述坩堝的所述延伸方向的中央為基準位于一側的第一外側區(qū)域及位于另一側的第二外側區(qū)域，

所述噴嘴組及所述孤立噴嘴分別被設置在所述第一外側區(qū)域及所述第二外側區(qū)域。

6.根據權利要求5所述的沉積源，其中，

所述孤立噴嘴及所述噴嘴組被排列成以所述坩堝的所述延伸方向的中央為基準對稱的形狀。

7.一種沉積源，包括：

坩堝，沿一方向延伸且上側開放；

蓋板，與所述坩堝結合，用于遮蔽所述坩堝的開放部分；以及

多個噴嘴，與所述蓋板結合且沿所述坩堝的延伸方向排列，

各個所述噴嘴包括：位于上側的吐出口；以及噴嘴流路，連接所述吐出口和所述坩堝且由噴嘴側壁包圍，

所述噴嘴流路包括：位于下部的下端部；以及上端部，與所述下端部連接且位于所述下端部的上部，

所述下端部具有均勻的寬度，

越靠近所述吐出口時，所述上端部的寬度會變得越寬，

所述多個噴嘴中的至少一部分噴嘴在相鄰的噴嘴之間共用所述噴嘴側壁而構成一體化的噴嘴組。

8.根據權利要求7所述的沉積源，其中，

由各個所述噴嘴的所述下端部和所述蓋板的法線形成的角度從所述坩堝的所述延伸方向的中央朝外側移動時會變大或保持不變。

9.根據權利要求8所述的沉積源，其中，

由單個所述噴嘴組內的所述噴嘴的所述下端部和所述蓋板的所述法線形成的角度均勻。

10.根據權利要求7所述的沉積源，其中，

所述噴嘴組內的所述噴嘴之間的間隔小于未構成所述噴嘴組的噴嘴之間的間隔。