[發明專利]半導體裝置以及其制作方法

有效

• 申請號: 202010558034.8
• 申請日: 2020-06-18
• 公開（公告）號: CN113823676B
• 公開（公告）日: 2023-07-04
• 發明（設計）人: 李翔;陳鼎龍
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L29/417
• 分類號: H01L29/417;H01L29/423;H01L23/538;H01L29/78;H01L21/34;H01L21/44;H01L21/768
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種半導體裝置，其特征在于，包括：

介電結構；

第一源極/漏極電極，設置于該介電結構之內；

氧化物半導體層，在一垂直方向上設置于該第一源極/漏極電極上；

第二源極/漏極電極，在該垂直方向上設置于該氧化物半導體層上；

柵極介電層，設置于該介電結構上且于一水平方向上圍繞該氧化物半導體層，其中該柵極介電層包括：

第一部分，沿該水平方向延伸；以及

第二部分，設置于該第一部分上且沿該垂直方向延伸；以及

第一柵極，設置于該柵極介電層的該第一部分上。

2.如權利要求1所述的半導體裝置，其中該柵極介電層的該第二部分的一部分于該水平方向上設置于該第一柵極與該氧化物半導體層之間，且該柵極介電層的該第一部分的一部分于該垂直方向上設置于該第一柵極與該介電結構之間。

3.如權利要求1所述的半導體裝置，其中該柵極介電層的該第二部分的上表面于該垂直方向上高于該柵極介電層的該第一部分的上表面。

4.如權利要求1所述的半導體裝置，其中該第一柵極設置于該柵極介電層的該第一部分的上表面上，且該第一柵極的上表面于該垂直方向上低于該柵極介電層的該第二部分的上表面。

5.如權利要求1所述的半導體裝置，其中該第一柵極設置于該柵極介電層的該第一部分的一上表面上，且該第一柵極的上表面與該柵極介電層的該第二部分的上表面共平面。

6.如權利要求1所述的半導體裝置，還包括：

第二柵極，設置于該柵極介電層的該第一部分上，其中該第一柵極與該第二柵極設置于該氧化物半導體層的相對兩側，且該第一柵極與該第二柵極互相分離。

7.如權利要求6所述的半導體裝置，其中該柵極介電層的該第二部分的一部分于該水平方向上設置于該第一柵極與該氧化物半導體層之間，且該柵極介電層的該第二部分的另一部分于該水平方向上設置于該第二柵極與該氧化物半導體層之間。

8.如權利要求6所述的半導體裝置，其中該柵極介電層的該第一部分的一部分于該垂直方向上設置于該第一柵極與該介電結構之間，且該柵極介電層的該第一部分的另一部分于該垂直方向上設置于該第二柵極與該介電結構之間。

9.如權利要求1所述的半導體裝置，還包括：

介電層，設置于該介電結構以及該第一源極/漏極電極上，其中該介電層于該垂直方向上設置于該介電結構與該柵極介電層之間，且該氧化物半導體層于該垂直方向上貫穿該介電層。

10.如權利要求1所述的半導體裝置，還包括：

半導體基底，其中該介電結構設置于該半導體基底上；以及

互連結構，其中該互連結構的至少一部分設置于該介電結構之內，且該第一源極/漏極電極與該互連結構電連接。

11.如權利要求10所述的半導體裝置，其中該互連結構于該垂直方向上貫穿該柵極介電層的該第一部分。

12.如權利要求1所述的半導體裝置，其中該氧化物半導體層包括：

第一層；以及

第二層，設置于該第一層上，其中該第一層的一部分于該垂直方向上設置于該第二層與該第一源極/漏極電極之間，且該第一層的另一部分在該水平方向上設置于該第二層與該柵極介電層之間。

13.如權利要求12所述的半導體裝置，其中該第一層的材料組成不同于該第二層的材料組成。

14.如權利要求12所述的半導體裝置，其中該第一層于該氧化物半導體層的剖面中具有U型結構。

15.如權利要求1所述的半導體裝置，其中該第一柵極于該水平方向上圍繞該氧化物半導體層以及該柵極介電層。