[發明專利]前瞻識別潛在不可校正的誤差校正存儲器單元和現場對策

在審

• 申請號: 202010558033.3
• 申請日: 2020-06-18
• 公開（公告）號: CN113821156A
• 公開（公告）日: 2021-12-21
• 發明（設計）人: 李靚;王明
• 申請（專利權）人: 桑迪士克科技有限責任公司
• 主分類號: G06F3/06
• 分類號: G06F3/06;G11C16/04;G11C16/34;H01L27/11556;H01L27/11582
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 邱軍

1.一種設備，包括：

多個塊，所述多個塊的每一個包含一組非易失性儲存元件，該組非易失性儲存元件中的每一個儲存表示元素數據的閾值電壓；以及

一個或多個管理電路，與所述多個塊通信且被配置為：

在擦除操作中擦除所述多個塊中的至少一個且在編程操作中編程所述元素數據，

前瞻地將所述多個塊中的多個識別為潛在壞的塊，并選擇性地對所述多個塊中的被識別為所述潛在壞的塊的多個塊施加壓力，并且基于選擇性地施加所述壓力之后的判斷，確定所述潛在壞的塊是否應從所述擦除和編程操作被止用并被置于增長的壞塊池，還是釋放到用于所述擦除和編程操作的正常塊池。

2.如權利要求1所述的設備，其中所述多個塊中的每一個形成在襯底上并電耦接到襯底，所述襯底連接到源極線，并且該組非易失性儲存元件電耦接到字線和位線，并且該組非易失性儲存元件中的每一個的所述閾值電壓在定義與所述閾值電壓的閾值電壓分布相關聯的多個存儲器狀態的閾值電壓的共同范圍內，所述多個存儲器狀態包含與所述閾值電壓為負相關聯的擦除狀態和最高存儲器狀態，所述最高存儲器狀態與所述閾值電壓的幅度大于任何其他所述多個存儲器狀態相關聯，所述一個或多個管理電路還配置為：

響應于在所述擦除操作中將所述多個塊中的一個擦除時將多個擦除電壓脈沖通過所述源極線施加到所述襯底之后，該組非易失性儲存元件中的每一個的所述閾值電壓在擦除驗證電平以下，而確定所述多個塊中的所述一個塊被成功擦除，并且

響應于在所述編程操作中經由所述字線將所述元素數據編程到該組非易失性儲存元件之后，經由所述位線感測的該組非易失性儲存元件中的多個的所述閾值電壓在最高狀態驗證電平以上，而確定該組非易失性儲存元件中的多個被成功編程為所述最高存儲器狀態。

3.如權利要求2所述的設備，其中所述一個或多個管理電路還配置為：

響應于所述多個擦除電壓脈沖中的第一個被施加到所述襯底之后，在替代擦除驗證電平以上的該組非易失性儲存元件的上尾量的所述閾值電壓超出替代擦除驗證忽略位閾值，將所述多個塊中的多個識別為所述潛在壞的塊，所述替代擦除驗證電平的幅度大于所述擦除驗證電平，

將所述多個塊中的被識別為所述潛在壞的塊的多個塊置于潛在壞塊池中，

響應于所述多個擦除電壓脈沖中的所述第一個被施加到所述襯底之后，在所述替代擦除驗證電平以上的該組非易失性儲存元件的上尾量的所述閾值電壓不超出所述替代擦除驗證忽略位閾值，將所述多個塊中的多個釋放到用于所述擦除和編程操作的正常塊池，

在所述編程操作之后將額外編程驗證脈沖施加到所述多個塊中的多個的所述該組非易失性儲存元件中的多個的字線，并且響應于在替代最高狀態驗證電平以下的該組非易失性儲存元件的下尾量的所述閾值電壓超出替代編程驗證忽略位閾值，將所述多個塊中的多個識別為所述潛在壞的塊，所述替代最高狀態驗證電平在幅度上小于所述最高狀態驗證電平，

將所述多個塊中的被識別為所述潛在壞的塊的多個塊置于所述潛在壞塊池中，以及

響應于在所述替代最高狀態驗證電平以下的該組非易失性儲存元件的所述下尾量的所述閾值電壓不超出所述替代編程驗證忽略位閾值，將所述多個塊中的多個釋放到用于所述擦除和編程操作的正常塊池。