[發(fā)明專利]適用于芯片測試系統(tǒng)的測試平臺

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010557687.4
• 申請日: 2020-06-18
• 公開（公告）號: CN111736058B
• 公開（公告）日: 2021-08-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 余占清;劉佳鵬;曾嶸;陳政宇;任春頻;趙彪
• 申請（專利權(quán)）人: 清華大學(xué)
• 主分類號: G01R31/28
• 分類號: G01R31/28
• 代理公司: 北京知聯(lián)天下知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11594
• 代理人: 張陸軍

1.一種適用于芯片測試系統(tǒng)的測試平臺，其特征在于，包括：

承片臺，其上設(shè)置待測試芯片；

至少一測試座，裝設(shè)于所述承片臺上；

轉(zhuǎn)接板，電性連接于所述測試座及測試電路；

其中，所述待測試 芯片根據(jù)驅(qū)動信號進(jìn)行動作后，所述測試座通過探針或鍵合線電性連接于所述待測試 芯片，所述測試電路通過所述轉(zhuǎn)接板采集測量所述待測試 芯片的電性能參數(shù)；

所述待測試 芯片包括至少一元胞，所述轉(zhuǎn)接板包括：至少一電路調(diào)整模塊，一一對應(yīng)地電性連接于所述元胞，所述電路調(diào)整模塊用以調(diào)整所述元胞與所述測試電路的連接方式。

2.如權(quán)利要求1所述的測試平臺，其特征在于，所述承片臺包括：

下臺板；

上臺板，通過至少一支撐件裝設(shè)于所述下臺板上；

承片單元，裝設(shè)于所述下臺板上且位于所述上臺板及所述下臺板之間。

3.如權(quán)利要求2所述的測試平臺，其特征在于，所述承片單元包括：

底座，裝設(shè)于所述下臺板上；

內(nèi)承片單元，裝設(shè)于所述底座上；

外承片單元，裝設(shè)于所述內(nèi)承片單元上；

加熱單元，所述內(nèi)承片單元包括第一部分及第二部分，所述第二部分通過連接件裝設(shè)于所述第一部分上，所述第一部分及第二部分之間具有間隙，加熱單元設(shè)置于所述間隙中。

4.如權(quán)利要求3所述的測試平臺，其特征在于，所述第二部分的頂部開設(shè)有凹槽。

5.如權(quán)利要求3所述的測試平臺，其特征在于，所述第二部分的中心部開設(shè)有至少一吸附孔，所述吸附孔通過氣管連接氣泵。

6.如權(quán)利要求1-5中任一項所述的測試平臺，其特征在于，還包括：

圖像采集單元，實時采集所述待測試 芯片的圖像信息；

圖像顯示單元，電性連接于所述圖像采集單元，所述圖像顯示單元接收并顯示所述圖像信息。

7.如權(quán)利要求1-5中任一項所述的測試平臺，其特征在于，還包括驅(qū)動板，電性連接于所述待測試 芯片，所述驅(qū)動板輸出所述驅(qū)動信號。

8.如權(quán)利要求6所述的測試平臺，其特征在于，所述轉(zhuǎn)接板還包括：

至少一電流放大模塊，一一對應(yīng)地電性連接于所述電路調(diào)整模塊，所述電流放大模塊還電性連接于所述測試電路，所述測試電路通過所述電路調(diào)整模塊及所述電流放大模塊對應(yīng)地采集獲取所述元胞的電性能參數(shù)。

9.如權(quán)利要求8所述的測試平臺，其特征在于，所述電流放大模塊為線圈，所述線圈的一端電性連接于所述電路調(diào)整模塊，所述線圈的另一端電性連接于所述測試電路，所述線圈分兩層布設(shè)于所述轉(zhuǎn)接板上。

10.如權(quán)利要求8所述的測試平臺，其特征在于，所述電路調(diào)整模塊為電容、電阻及電感中的一者或組合。