[發明專利]一種SOC電源上下電時序控制方法有效
| 申請號: | 202010557080.6 | 申請日: | 2020-06-18 |
| 公開(公告)號: | CN111464165B | 公開(公告)日: | 2021-03-26 |
| 發明(設計)人: | 姚宏偉;李力游;小約翰·羅伯特·羅蘭 | 申請(專利權)人: | 南京藍洋智能科技有限公司 |
| 主分類號: | H03K17/687 | 分類號: | H03K17/687 |
| 代理公司: | 南京鑫智達知識產權代理事務所(普通合伙) 32440 | 代理人: | 侯銘言 |
| 地址: | 210000 江蘇省南京市江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 soc 電源 上下 時序 控制 方法 | ||
1.一種SOC電源上下電時序控制方法,其特征在于,所述方法對應的系統架構SOC電源,還包括電池模塊、按鍵開關機電路、n個電源轉換器DCDC1至DCDCn以及n-1個時序控制電路;所述電池模塊分別與復數個電源轉換器相連接,按鍵開關機電路經過電源轉換器DCDC1與SOC電源相連接,n-1個時序控制電路分別經過DCDC2至DCDCn與SOC電源相連接;
系統開機時,按鍵開關機電路產生一個高電平信號,所述高電平信號通過DCDC1輸出電壓信號Vout1;
所述電壓信號Vout1通過時序控制電路輸出高電平,并使得DCDC2輸出電壓信號Vout2;
依次進行上述過程,直至電壓信號Voutn-1通過時序控制電路輸出高電平,并使得DCDCn輸出Voutn,上電過程結束;
系統關機時,按鍵開關機電路產生一個低電平信號,所述低電平信號使得電壓信號Vout1輸出為0;
電壓信號Vout1觸發時序控制電路輸出低電平,并使得DCDC2輸出為0;
依次進行上述過程,直至電壓信號Voutn-1為0,觸發時序控制電路輸出低電平,并使得DCDCn關閉Voutn,下電過程結束;
所述按鍵開關機電路包括按鍵SW1、反向施密特觸發器UT1、D類觸發器UT2、正向施密特觸發器UT3,肖特基二極管DT2、第二電容CT3、第三電容CT4、第六電阻RT1以及第七電阻RT2;
所述D類觸發器UT2的Q引腳接到電源轉換器DCDC1的EN引腳,短按按鍵SW1時開啟電源,長按按鍵SW1時關閉電源;
短按按鍵SW1時,第二電容CT3通過按鍵SW1放電,第二電容CT3的電壓由高變低,當第二電容CT3的電壓低于反向施密特觸發器UT1的門限VT-時,反向施密特觸發器UT1輸出產生一個高電平脈沖,并連到D類觸發器UT2的CLK引腳,同時D類觸發器UT2的D引腳為高,正向施密特觸發器UT3的輸入保持為高,正向施密特觸發器UT3輸出連到CLR引腳為高,Q引腳在CLK引腳的上升沿觸發下輸出高電平;
長按按鍵SW1時,第三電容CT4通過第七電阻RT2放電后電壓變為低,低于正向施密特觸發器UT3的門限VT-,正向施密特觸發器UT3的輸出也變為低,此時D類觸發器UT2的CLR引腳有效使得Q引腳輸出為低;
在不按按鍵SW1的狀態下,電源VCC通過第六電阻RT1給第二電容CT3充電,同時肖特基二極管DT2給第三電容CT4充電,從而反向施密特觸發器UT1輸出為低電平,正向施密特觸發器UT3輸出為高電平,D類觸發器UT2輸出保持上一輪的狀態。
2.如權利要求1所述的一種SOC電源上下電時序控制方法,其特征在于:所述時序控制電路包括第一至第五電阻R1至R5、第一電容C1、遲滯比較器U1以及NMOS管D1;
所述遲滯比較器U1的輸入端接到上一級電源轉換器DCDC的輸出段,時序控制電路的輸出VEN接到當前的電源轉換器DCDC的使能腳;
第一門限電壓Va1及第二門限電壓Va2分別為:
3.如權利要求2所述的一種SOC電源上下電時序控制方法,其特征在于:所述時序控制電路中,當時序控制電路的輸入VIN增加到大于第二門限電壓Va2時,遲滯比較器U1輸出為低,NMOS管D1關閉,時序控制電路的輸出VEN經過上升時間輸出為高;
當時序控制電路的輸入VIN減小到小于第一門限電壓Va1,遲滯比較器U1輸出為高,NMOS管D1打開,時序控制電路的輸出VEN經過下降時間輸出為低。
4.如權利要求2所述的一種SOC電源上下電時序控制方法,其特征在于:所述遲滯比較器U1具體為輸出開漏比較器。
5.如權利要求1所述的一種SOC電源上下電時序控制方法,其特征在于:所述長按按鍵SW1,長按的時間計算方法為:長按時間>第七電阻RT2的電阻值*第三電容CT4的電容值。
6.如權利要求3所述的一種SOC電源上下電時序控制方法,其特征在于:所述上升時間的計算方式為:上升時間=第五電阻R5的電阻值*第一電容C1的電容值。
7.如權利要求3所述的一種SOC電源上下電時序控制方法,其特征在于:所述下降時間的計算方式為:下降時間=MOS管D1的導通電阻值*第一電容C1的電容值。
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