[發(fā)明專(zhuān)利]測(cè)試結(jié)構(gòu)，晶圓及測(cè)試結(jié)構(gòu)的制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010555569.X
• 申請(qǐng)日: 2020-06-17
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111883514B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-07-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉釗;熊濤;許毅勝
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 上海格易電子有限公司;北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L23/544
• 分類(lèi)號(hào): H01L23/544;H01L21/265
• 代理公司: 北京成創(chuàng)同維知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11449
• 代理人: 馮麗欣

1.一種集成電路的測(cè)試結(jié)構(gòu)，所述測(cè)試結(jié)構(gòu)用于檢測(cè)所述集成電路中寄生結(jié)的擊穿特性，所述測(cè)試結(jié)構(gòu)包括：

多組第一摻雜指；

多組第二摻雜指；以及

摻雜區(qū)域，所述多組第二摻雜指位于所述摻雜區(qū)域上，

其中，至少一組所述第一摻雜指和至少一組所述第二摻雜指設(shè)置為沿第一方向的交叉指型配置，至少一組所述第一摻雜指和至少一組所述第二摻雜指設(shè)置為沿第二方向的交叉指型配置，所述第一方向和所述第二方向垂直；

在每個(gè)所述交叉指型配置中，所述第一摻雜指、所述摻雜區(qū)域和所述第二摻雜指形成一測(cè)試結(jié)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測(cè)試結(jié)構(gòu)，還包括：多個(gè)隔離結(jié)構(gòu)，其中，所述多個(gè)隔離結(jié)構(gòu)分別圍繞所述多組第一摻雜指，或者所述多個(gè)隔離結(jié)構(gòu)分別設(shè)置在所述多組第一摻雜指和所述多組第二摻雜指之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測(cè)試結(jié)構(gòu)，其中，所述多組第一摻雜指和所述多組第二摻雜指具有相同的導(dǎo)電類(lèi)型。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的測(cè)試結(jié)構(gòu)，其中，所述摻雜區(qū)域具有與所述多組第一摻雜指和所述多組第二摻雜指相反的導(dǎo)電類(lèi)型。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的測(cè)試結(jié)構(gòu)，其中，所述多組第一摻雜指與所述多組第二摻雜指的摻雜濃度不同。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測(cè)試結(jié)構(gòu)，還包括形成在所述多組第一摻雜指中的多組第三摻雜指。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的測(cè)試結(jié)構(gòu)，其中，所述多組第一摻雜指，所述多組第二摻雜指，和所述多組第三摻雜指具有相同的導(dǎo)電類(lèi)型。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的測(cè)試結(jié)構(gòu)，其中，所述多組第三摻雜指與所述多組第二摻雜指的摻雜濃度相同。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的測(cè)試結(jié)構(gòu)，還包括：多個(gè)隔離結(jié)構(gòu)，其中，所述多個(gè)隔離結(jié)構(gòu)分別設(shè)置在所述多組第一摻雜指和所述多組第二摻雜指之間。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的測(cè)試結(jié)構(gòu)，其中，所述第三摻雜指緊鄰所述隔離結(jié)構(gòu)。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的測(cè)試結(jié)構(gòu)，其中，所述第三摻雜指與所述隔離結(jié)構(gòu)分開(kāi)。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測(cè)試結(jié)構(gòu)，其中，所述多組第一摻雜指，所述摻雜區(qū)域以及所述多組第二摻雜指組成多個(gè)測(cè)試結(jié)，所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的擊穿特性基于所述多個(gè)測(cè)試結(jié)的擊穿特性共同確定。

13.根據(jù)權(quán)利要求1-12中任一項(xiàng)所述的測(cè)試結(jié)構(gòu)，還包括：第一導(dǎo)線和第二導(dǎo)線，其中，所述第一導(dǎo)線連接所述多組第一摻雜指，所述第二導(dǎo)線連接所述多組第二摻雜指。

14.一種晶圓，包括芯片陣列和權(quán)利要求1-13中任一項(xiàng)所述的測(cè)試結(jié)構(gòu)。

15.一種測(cè)試結(jié)構(gòu)的制作方法，包括：

形成多組第一摻雜指；

形成摻雜區(qū)域；以及

在摻雜區(qū)域中形成多組第二摻雜指，

其中，至少一組所述第一摻雜指和至少一組所述第二摻雜指設(shè)置為沿第一方向的交叉指型配置，至少一組所述第一摻雜指和至少一組所述第二摻雜指設(shè)置為沿第二方向的交叉指型配置，所述第一方向和所述第二方向垂直；

在每個(gè)所述交叉指型配置中，所述第一摻雜指、所述摻雜區(qū)域和所述第二摻雜指形成一測(cè)試結(jié)。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的測(cè)試結(jié)構(gòu)的制作方法，還包括：形成多個(gè)隔離結(jié)構(gòu)，其中，所述多個(gè)隔離結(jié)構(gòu)分別設(shè)置在所述多組第一摻雜指和所述多組第二摻雜指之間。

17.根據(jù)權(quán)利要求15或者16所述的測(cè)試結(jié)構(gòu)的制作方法，還包括：在所述多組第一摻雜指中形成多組第三摻雜指。

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的測(cè)試結(jié)構(gòu)的制作方法，其中，所述多組第三摻雜指和所述多組第二摻雜指通過(guò)同一離子注入工藝形成。