[發明專利]一種電致發光器件、顯示基板及顯示裝置

有效

• 申請號: 202010555558.1
• 申請日: 2020-06-17
• 公開（公告）號: CN113809249B
• 公開（公告）日: 2023-02-10
• 發明（設計）人: 李東
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方技術開發有限公司
• 主分類號: H10K50/115
• 分類號: H10K50/115;H10K50/16;H10K50/10;H10K71/00;H10K71/12;H10K85/30;H10K59/12;H10K59/17
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 張佳

本公開實施例公開了一種電致發光器件、顯示基板及顯示裝置，其中，電致發光器件包括：層疊設置的電子傳輸層和量子點發光層；離子型配合物層，位于電子傳輸層與量子點發光層之間；其中，在離子型配合物層內具有內建電場。

技術領域

本公開涉及顯示技術領域，特別涉及一種電致發光器件、顯示基板及顯示裝置。

背景技術

量子點(Quantum Dot，簡稱QD)作為新型的發光材料，具有光色純度高、發光量子效率高、發光顏色可調、使用壽命長等優點，已成為目前新型發光二級管中發光材料的研究熱點。因此，以量子點材料作為發光層的量子點發光二極管(Quantum Dot LightEmittingDiodes，簡稱QLED)成為了目前新型顯示器件研究的主要方向。

發明內容

本公開實施例提供的顯示模組，包括：

層疊設置的電子傳輸層和量子點發光層；

離子型配合物層，位于所述電子傳輸層與所述量子點發光層之間；其中，在所述離子型配合物層內具有內建電場。

可選地，在本公開實施例提供的上述電致發光器件中，所述電致發光器件為倒置結構，所述電致發光器件還包括：位于所述電子傳輸層背向所述量子點發光層一側的襯底基板，位于所述襯底基板和所述電子傳輸層之間的陰極，位于所述量子點發光層背向所述襯底基板一側依次層疊設置的空穴傳輸層、空穴注入層和陽極；

所述離子型配合物層為位于所述電子傳輸層和所述量子點發光層之間的獨立膜層；所述內建電場靠近所述電子傳輸層一側為負極，靠近所述量子點發光層一側為正極。

可選地，在本公開實施例提供的上述電致發光器件中，所述量子點發光層包括量子點、配體以及電荷平衡離子，所述配體中靠近所述量子點一端的基團與所述量子點連接，所述配體中遠離所述量子點一端的基團為所述離子型配合物層的離子型配合物，所述離子型配合物和所述電荷平衡離子的電荷相反。

可選地，在本公開實施例提供的上述電致發光器件中，所述電致發光器件為倒置結構，所述電致發光器件還包括：位于所述電子傳輸層背向所述量子點發光層一側的襯底基板，位于所述襯底基板和所述電子傳輸層之間的陰極，位于所述量子點發光層背向所述襯底基板一側依次層疊設置的空穴傳輸層、空穴注入層和陽極；

所述內建電場包括位于所述電子傳輸層和所述量子點發光層之間的第一電場，以及位于所述空穴傳輸層和所述量子點發光層之間的第二電場；其中，

所述第一電場靠近所述電子傳輸層一側為負極，靠近所述量子點發光層一側為正極；

所述第二電場靠近所述空穴傳輸層一側為負極，靠近所述量子點發光層一側為正極。

可選地，在本公開實施例提供的上述電致發光器件中，所述電致發光器件為正置結構，所述電致發光器件還包括：位于所述量子點發光層背向所述電子傳輸層一側的襯底基板，位于所述襯底基板和所述量子點發光層之間依次層疊設置的陽極、空穴注入層和空穴傳輸層，以及位于所述電子傳輸層背向所述襯底基板一側的陰極；

所述內建電場包括位于所述空穴傳輸層和所述量子點發光層之間的第三電場，以及位于所述電子傳輸層和所述量子點發光層之間的第四電場；其中，

所第三電場靠近所述空穴傳輸層一側為正極，靠近所述量子點發光層一側為負極；

所第四電場靠近所述電子傳輸層一側為正極，靠近所述量子點發光層一側為負極。

可選地，在本公開實施例提供的上述電致發光器件中，所述離子型配合物層的材料為有機金屬配合物。

可選地，在本公開實施例提供的上述電致發光器件中，所述離子型配合物層包括陽離子部分和陰離子部分，其中，