[發明專利]一種電致發光器件、顯示基板及顯示裝置有效
| 申請號: | 202010555558.1 | 申請日: | 2020-06-17 |
| 公開(公告)號: | CN113809249B | 公開(公告)日: | 2023-02-10 |
| 發明(設計)人: | 李東 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方技術開發有限公司 |
| 主分類號: | H10K50/115 | 分類號: | H10K50/115;H10K50/16;H10K50/10;H10K71/00;H10K71/12;H10K85/30;H10K59/12;H10K59/17 |
| 代理公司: | 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291 | 代理人: | 張佳 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 電致發光 器件 顯示 顯示裝置 | ||
1.一種電致發光器件,其中,包括:
層疊設置的電子傳輸層和量子點發光層;
離子型配合物層,位于所述電子傳輸層與所述量子點發光層之間;其中,在所述離子型配合物層內具有內建電場,所述離子型配合物層的材料為有機金屬配合物;
其中,所述量子點發光層包括量子點、配體以及電荷平衡離子,所述配體中靠近所述量子點一端的基團與所述量子點連接,所述配體中遠離所述量子點一端的基團為所述離子型配合物層的離子型配合物,所述離子型配合物和所述電荷平衡離子的電荷相反。
2.如權利要求1所述的電致發光器件,其中,所述電致發光器件為倒置結構,所述電致發光器件還包括:位于所述電子傳輸層背向所述量子點發光層一側的襯底基板,位于所述襯底基板和所述電子傳輸層之間的陰極,位于所述量子點發光層背向所述襯底基板一側依次層疊設置的空穴傳輸層、空穴注入層和陽極;
所述離子型配合物層為位于所述電子傳輸層和所述量子點發光層之間的獨立膜層;所述內建電場靠近所述電子傳輸層一側為負極,靠近所述量子點發光層一側為正極。
3.如權利要求1所述的電致發光器件,其中,所述電致發光器件為倒置結構,所述電致發光器件還包括:位于所述電子傳輸層背向所述量子點發光層一側的襯底基板,位于所述襯底基板和所述電子傳輸層之間的陰極,位于所述量子點發光層背向所述襯底基板一側依次層疊設置的空穴傳輸層、空穴注入層和陽極;
所述內建電場包括位于所述電子傳輸層和所述量子點發光層之間的第一電場,以及位于所述空穴傳輸層和所述量子點發光層之間的第二電場;其中,
所述第一電場靠近所述電子傳輸層一側為負極,靠近所述量子點發光層一側為正極;
所述第二電場靠近所述空穴傳輸層一側為負極,靠近所述量子點發光層一側為正極。
4.如權利要求1所述的電致發光器件,其中,所述電致發光器件為正置結構,所述電致發光器件還包括:位于所述量子點發光層背向所述電子傳輸層一側的襯底基板,位于所述襯底基板和所述量子點發光層之間依次層疊設置的陽極、空穴注入層和空穴傳輸層,以及位于所述電子傳輸層背向所述襯底基板一側的陰極;
所述內建電場包括位于所述空穴傳輸層和所述量子點發光層之間的第三電場,以及位于所述電子傳輸層和所述量子點發光層之間的第四電場;其中,
所第三電場靠近所述空穴傳輸層一側為正極,靠近所述量子點發光層一側為負極;
所第四電場靠近所述電子傳輸層一側為正極,靠近所述量子點發光層一側為負極。
5.如權利要求1所述的電致發光器件,其中,所述離子型配合物層包括陽離子部分和陰離子部分,其中,
所述陽離子部分包括中心金屬離子和所述中心金屬離子的配體,所述中心金屬離子包括Ir、La、Nd、Eu、Cu、In、Pb或者Pt中的一種,所述中心金屬離子的配體包括鄰菲咯啉、2-苯基吡啶、苯基惡二唑吡啶、氟代苯基吡啶或聯吡啶中的一種;
所述陰離子部分包括四(五氟苯基)硼酸、四[(三氟甲基)苯基]硼酸、四[雙(三氟甲基)苯基]硼酸、六(五氟苯基)磷酸、六[(三氟甲基)苯基]磷酸或六[雙(三氟甲基)苯基]磷酸中的一種。
6.如權利要求5所述的電致發光器件,其中,所述電荷平衡離子包括正電荷平衡離子和負電荷平衡離子,其中,
所述正電荷平衡離子包括所述陽離子部分、NH4+或Na+,所述負電荷平衡離子包括所述陰離子部分、Cl-或PF6-。
7.一種顯示基板,其中,包括如權利要求1-6任一項所述的電致發光器件。
8.一種顯示裝置,其中,包括顯示面板,所述顯示面板包括如權利要求7所述的顯示基板。
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