[發明專利]一種高含銅轉爐氧化渣熒光分析標樣制備及多元素快速分析方法

在審

• 申請號: 202010555486.0
• 申請日: 2020-06-17
• 公開（公告）號: CN111610211A
• 公開（公告）日: 2020-09-01
• 發明（設計）人: 楊銳;陳全坤;張體富;楊應寶;葉鐘林;宋銀生;劉順生;趙富江;姚依玲
• 申請（專利權）人: 易門銅業有限公司
• 主分類號: G01N23/2202
• 分類號: G01N23/2202;G01N23/223
• 代理公司: 昆明盛鼎宏圖知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 53203
• 代理人: 王輝

1.一種高含銅轉爐氧化渣熒光分析標樣制備方法，其特征在于，該標樣制備方法包括以下步驟：

1)樣品篩選

對現有氧化渣銅化學分析品位進行統計，找出含銅最低和最高的氧化渣品位，按照銅品位相差3％以內進行組樣，找出10個及以上的樣品，每一個樣品重量控制在200g±5g；

2)樣品處理

采用石英沙對磨盤進行一次清洗，采用步驟1中組合后氧化渣樣品進行二次清洗，將剩余的氧化渣樣品倒入清潔好的磨盤中，每次研磨時間設定為20s，研磨后的樣品用200目標準篩進行篩分，不能過篩的篩上樣品混入未研磨樣品中繼續進行研磨，直至全部樣品通過200目標準篩；

3)樣品壓制

將步驟2中的樣品裝填到樣品環中，樣品環直徑設定壓樣機壓力50噸，保壓時間20s，將樣品壓制成粉末壓片樣品。

2.使用權利要求1所述高含銅轉爐氧化渣熒光分析標樣制備方法對多元素快速分析的方法，其特征在于：該方法包括以下步驟：

A)化學定值

對氧化渣中Cu、Fe、S元素含量進行化學分析定值；

B)條件設置

對各元素熒光分析條件進行設置，條件設置如下：

對于Cu：校正線為Ka1，2、探測器：Duplex封氙探測器、濾光片：不需要、分光晶體：LiF200、準直器：150μm、電壓：60kV、電流：60mA；

對于Fe：校正線為Ka1，2、探測器：Duplex封氙探測器、濾光片：不需要、分光晶體：LiF200、準直器：150μm、電壓：60kV、電流：60mA；

對于S：校正線為Ka1，2、探測器：Flow流氣、濾光片：不需要、分光晶體：GE、準直器：300μm、電壓：36kV、電流：100mA。

3.根據權利要求2所述的多元素快速分析的方法，其特征在于：所述步驟A)還包括對氧化渣中SiO₂、CaO、MgO、Al₂O₃進行化學分析定值。

4.根據權利要求3所述的多元素快速分析的方法，其特征在于：對應所述對氧化渣中SiO₂、CaO、MgO、Al₂O₃進行化學分析定值的各元素熒光分析條件進行設置，條件設置如下：

對于SiO₂：校正線為Ka1，2、探測器：Flow流氣、濾光片：不需要、分光晶體：PE、準直器：300μm、電壓：36kV、電流：100mA；

對于CaO：校正線為Ka1，2、探測器：Flow流氣、濾光片：不需要、分光晶體：LiF200、準直器：300μm、電壓：36kV、電流：100mA；

對于MgO：校正線為Ka1，2、探測器：Flow流氣、濾光片：不需要、分光晶體：PX1、準直器：700μm、電壓：36kV、電流：100mA；

對于Al₂O₃：校正線為Ka1，2、探測器：Flow流氣、濾光片：不需要、分光晶體：LiF200、準直器：300μm、電壓：36kV、電流：100mA。

5.根據權利要求3所述的多元素快速分析的方法，其特征在于：所述步驟A)還包括對氧化渣中Pb、Zn、As、Sb、Bi、Ni、Sn、Co、Cd進行化學分析定值。