[發明專利]一種巨量轉移裝置和巨量轉移方法有效
| 申請號: | 202010554081.5 | 申請日: | 2020-06-17 |
| 公開(公告)號: | CN112967974B | 公開(公告)日: | 2023-03-14 |
| 發明(設計)人: | 李強;許時淵 | 申請(專利權)人: | 重慶康佳光電技術研究院有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L33/48 |
| 代理公司: | 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268 | 代理人: | 吳志益;朱陽波 |
| 地址: | 402760 重慶市璧*** | 國省代碼: | 重慶;50 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 巨量 轉移 裝置 方法 | ||
1.一種巨量轉移裝置,其特征在于,包括:
激光發射器;
六棱鏡,所述六棱鏡圍繞其中心軸旋轉;
光電導體板,所述光電導體板上充滿第一電荷;
暫存基板,所述暫存基板上設置有多個微型發光二極管,所述微型發光二極管上充滿第二電荷,所述第二電荷與所述第一電荷為不同電性的電荷;
所述激光發射器用于發射激光,所述激光經所述六棱鏡反射至所述光電導體板上,以導出所述光電導體板上的部分所述第一電荷,以在所述光電導體板形成帶電轉移區域;
所述光電導體板用于利用所述第一電荷與所述第二電荷之間的庫倫力將所述暫存基板上的所述微型發光二極管吸附至所述帶電轉移區域上,以便于將轉移至所述光電導體板上的微型發光二極管轉移至顯示背板上;
在所述六棱鏡旋轉的過程中,當所述激光照射到所述六棱鏡上不同的側面,所述激光的光斑會在所述光電導體板上形成一條直線式的運動軌跡;
所述巨量轉移裝置還包括:第一充電滾軸,所述第一充電滾軸上充滿所述第一電荷,所述第一充電滾軸用于與所述光電導體板滾動接觸,將所述第一電荷轉移至所述光電導體板上,以使所述光電導體板帶上所述第一電荷;
第二充電滾軸,所述第二充電滾軸上充滿所述第二電荷,所述第二充電滾軸用于與所述暫存基板滾動接觸,將所述第二電荷轉移至位于所述暫存基板的所述微型發光二極管上,以使所述微型發光二極管帶上所述第二電荷;
光調節鏡,所述光調節鏡設置于所述激光發射器的出光端,所述光調節鏡用于透過所述激光發射器發出的電荷轉移波長的激光,并過濾掉除所述電荷轉移波長以外波長的激光,只保留激光中與光電導體板相匹配的波長,有效地導出光電導體板上的第一電荷,以更精確地在光電導體板上形成帶電轉移區域。
2.根據權利要求1所述的一種巨量轉移裝置,其特征在于,還包括:
平面鏡,所述平面鏡設置于所述激光發射器的出光端,所述平面鏡用于將入射至所述平面鏡的所述激光反射至所述六棱鏡。
3.根據權利要求2所述的一種巨量轉移裝置,其特征在于,還包括:
調焦透鏡,所述調焦透鏡設置于所述六棱鏡和所述光電導體板之間,所述調焦透鏡用于將從所述六棱鏡入射的所述激光進行聚焦,并將聚焦后的焦點落在所述光電導體板上。
4.根據權利要求1-3任一項所述的一種巨量轉移裝置,其特征在于:所述光電導體板為板狀結構,所述光電導體板包括導電基板層和感光材料層,所述感光材料層設置于所述導電基板層上,所述第一電荷分布于所述感光材料層上。
5.一種巨量轉移方法,其特征在于,所述方法應用于如權利要求1-4任意一項所述的巨量轉移裝置,所述方法包括:
對所述光電導體板進行充電,使所述光電導體板上充滿第一電荷;
啟動所述激光發射器并控制所述六棱鏡圍繞其中心軸旋轉,所述激光發射器發出的激光經所述六棱鏡反射至所述光電導體板上,在所述光電導體板形成帶電轉移區域;在所述六棱鏡旋轉的過程中,當所述激光照射到所述六棱鏡上不同的側面,所述激光的光斑會在所述光電導體板上形成一條直線式的運動軌跡;
對所述暫存基板進行充電,使所述暫存基板上的微型發光二極管充滿第二電荷;
對合所述光電導體板和所述暫存基板,利用所述第一電荷與所述第二電荷之間的庫倫力,將所述暫存基板內的所述微型發光二極管吸附于所述帶電轉移區域上;
對合所述光電導體板和顯示背板,將所述光電導體板上的所述微型發光二極管轉移至所述顯示背板上。
6.根據權利要求5所述的一種巨量轉移方法,其特征在于,所述巨量轉移裝置包括第一充電滾軸和/或第二充電滾軸;
所述對光電導體板進行充電,包括:
通過所述第一充電滾軸對所述光電導體板進行充電,所述第一充電滾軸上充滿所述第一電荷;和/或,
所述對暫存基板進行充電,包括:通過所述第二充電滾軸對所述暫存基板進行充電,所述第二充電滾軸上充滿所述第二電荷。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





