[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體封裝方法和封裝芯片

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202010553778.0
• 申請日: 2020-06-17
• 公開（公告）號: CN111696873A
• 公開（公告）日: 2020-09-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 袁鳳江;雒繼軍;江超;張國光;徐周;顏志揚;李偉光;陽征源
• 申請（專利權(quán)）人: 佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L21/683;H01L21/78;H01L23/31
• 代理公司: 深圳市君勝知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44268
• 代理人: 劉文求

本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體封裝方法和封裝芯片，屬于半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域，所述半導(dǎo)體封裝方法包括如下步驟：S1.在金屬基板的上表面電鍍?nèi)舾山M封裝單元，每組封裝單元由載片基島和管腳構(gòu)成；S2.在所述載片基島上粘接對應(yīng)的晶圓芯片；S3.對所述晶圓芯片與對應(yīng)的管腳進(jìn)行引線焊接；S4.對所述金屬基板的上表面進(jìn)行塑封，得到第一塑封體；S5.剝離所述第一塑封體上的金屬基板，得到第二塑封體；S6.在所述第二塑封體的非管腳面貼上薄膜；S7.以所述封裝單元為單位將所述第二塑封體切割成若干個封裝成品；S8.去掉所述薄膜，使所述封裝成品分離脫落；通過上述設(shè)置，解決封裝成品的厚度受引線框架制約的問題，使封裝成品的厚度降低，體積更小。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種半導(dǎo)體封裝方法。

背景技術(shù)

以便攜式消費類產(chǎn)品為代表的電子市場需求暴漲，體積更小，集成度更高的封裝產(chǎn)品已經(jīng)成為應(yīng)用的優(yōu)先選擇。DFN和QFN均為扁平無引腳封裝，因其內(nèi)部引腳與焊盤之間的導(dǎo)電路徑短，自感系數(shù)以及封裝體內(nèi)布線電阻很低，使得其能提供更卓越的電熱性能。DFN和QFN封裝產(chǎn)品在智能手機(jī)、筆記本電腦、各類控制板卡、以及其他各類便攜式消費類電子產(chǎn)品中都有廣泛需求。

DFN或QFN形式的封裝的管腳是從底面露出，傳統(tǒng)的DFN或QFN封裝技術(shù)一般采用蝕刻框架基于貼膜載體的方法，現(xiàn)有技術(shù)主要的封裝工藝流程如下：1.通過沖壓成型或蝕刻的方式制造引線框架，引線框架上各個封裝單元之間的管腳或載片基島都是通過金屬連筋連接以保證框架完整；2.在引線框架背面貼上膜片以保證在塑封時管腳底部不被塑封料包封；3.將晶圓片粘接在載片基島上；4.引線焊接；5.塑封；6.成品劃片，得到封裝成品。

但上述封裝方法存在以下技術(shù)缺陷：由于通過沖壓成型或蝕刻方式制造的引線框架上的各個封裝單元上的載片基島或管腳之間依靠引線框架的連筋支撐連接，為避免引線框架容易變形和保證引線框架的完整性，引線框架的薄度受限，制約了封裝成品的厚度降低。

可見，現(xiàn)有技術(shù)還有待改進(jìn)和提高。

發(fā)明內(nèi)容

鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的不足之處，本發(fā)明的目的在于提供一種半導(dǎo)體封裝方法和封裝芯片，旨在降低半導(dǎo)體封裝成品的厚度，解決封裝成品的厚度受引線框架制約的問題，。

為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明采取了以下技術(shù)方案：

一種半導(dǎo)體封裝方法，包括以下步驟：S1.在金屬基板的上表面電鍍?nèi)舾山M封裝單元，每組封裝單元由載片基島和管腳構(gòu)成；S2.在所述載片基島上粘接對應(yīng)的晶圓芯片；S3.對所述晶圓芯片與對應(yīng)的管腳進(jìn)行引線焊接；S4.對所述金屬基板的上表面進(jìn)行塑封，得到第一塑封體；S5.剝離所述第一塑封體上的金屬基板，得到第二塑封體；S6.在所述第二塑封體的非管腳面貼上薄膜；S7.以所述封裝單元為單位將所述第二塑封體切割成若干個封裝成品；S8.去掉所述薄膜，使所述封裝成品分離脫落。

所述的半導(dǎo)體封裝方法，其中，所述步驟S1具體包括：在所述金屬基板的上表面均勻劃分若干個封裝區(qū)域，在所述封裝區(qū)域等間距地設(shè)置若干組封裝單元，每組封裝單元由至少一個載片基島和至少一個管腳構(gòu)成，在所述金屬基板的上表面電鍍所述載片基島和管腳。

所述的半導(dǎo)體封裝方法，其中，所述在所述金屬基板的上表面電鍍所述載片基島和管腳具體包括：先在所述金屬基板的上表面電鍍一層隔離層，然后在所述隔離層的表面電鍍一層第一阻擋層，再在所述第一阻擋層的表面電鍍一層導(dǎo)電層，再在所述導(dǎo)電層的表面電鍍一層第二阻擋層，最后在所述第二阻擋層的表面電鍍一層防氧化層，形成所述載片基島或管腳。

所述的半導(dǎo)體封裝方法，其中，所述電鍍形成的載片基島或管腳的上部外徑大于其下部外徑。

所述的半導(dǎo)體封裝方法，其中，所述隔離層由與稀硫酸或稀鹽酸不易反應(yīng)的金屬材質(zhì)電鍍形成，所述隔離層的厚度不小于0.025um。