[發明專利]一種半導體封裝方法和封裝芯片

在審

• 申請號: 202010553778.0
• 申請日: 2020-06-17
• 公開（公告）號: CN111696873A
• 公開（公告）日: 2020-09-22
• 發明（設計）人: 袁鳳江;雒繼軍;江超;張國光;徐周;顏志揚;李偉光;陽征源
• 申請（專利權）人: 佛山市藍箭電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L21/683;H01L21/78;H01L23/31
• 代理公司: 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268
• 代理人: 劉文求

1.一種半導體封裝方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1.在金屬基板的上表面電鍍若干組封裝單元，每組封裝單元由載片基島和管腳構成；

S2.在所述載片基島上粘接對應的晶圓芯片；

S3.對所述晶圓芯片與對應的管腳進行引線焊接；

S4.對所述金屬基板的上表面進行塑封，得到第一塑封體；

S5.剝離所述第一塑封體上的金屬基板，得到第二塑封體；

S6.在所述第二塑封體的非管腳面貼上薄膜；

S7.以所述封裝單元為單位將所述第二塑封體切割成若干個封裝成品；

S8.去掉所述薄膜，使所述封裝成品分離脫落。

2.根據權利要求1所述的半導體封裝方法，其特征在于，所述步驟S1具體包括：在所述金屬基板的上表面均勻劃分若干個封裝區域，在所述封裝區域等間距地設置若干組封裝單元，每組封裝單元由至少一個載片基島和至少一個管腳構成，在所述金屬基板的上表面電鍍所述載片基島和管腳。

3.根據權利要求2所述的半導體封裝方法，其特征在于，所述在所述金屬基板的上表面電鍍所述載片基島和管腳具體包括：先在所述金屬基板的上表面電鍍一層隔離層，然后在所述隔離層的表面電鍍一層第一阻擋層，再在所述第一阻擋層的表面電鍍一層導電層，再在所述導電層的表面電鍍一層第二阻擋層，最后在所述第二阻擋層的表面電鍍一層防氧化層，形成所述載片基島或管腳。

4.根據權利要求3所述的半導體封裝方法，其特征在于，所述電鍍形成的載片基島或管腳的上部外徑大于其下部外徑。

5.根據權利要求3所述的半導體封裝方法，其特征在于，所述隔離層由與稀硫酸或稀鹽酸不易反應的金屬材質電鍍形成，所述隔離層的厚度不小于0.025um。

6.根據權利要求2所述的半導體封裝方法，其特征在于，所述封裝區域之間間隔設置，所述步驟S4具體包括：對所述金屬基板的上表面的各個封裝區域進行塑封，得到第一塑封體。

7.根據權利要求6所述的半導體封裝方法，其特征在于，所述步驟S5具體包括：通過化學腐蝕或機械研磨的方式剝離所述第一塑封體上的金屬基板，并保留所述載片基島和管腳的隔離層，得到若干個以所述封裝區域為單位的第二塑封體。

8.根據權利要求1所述的半導體封裝方法，其特征在于，所述步驟S4和步驟S5之間還包括：對所述第一塑封體進行后固化；所述后固化的溫度設置為165-175℃，所述后固化的時間設置為290-310min。

9.根據權利要求1所述的半導體封裝方法，其特征在于，還包括步驟S9,所述步驟S9包括：對所述封裝成品進行等離子清洗。

10.一種封裝芯片，其特征在于，包括晶圓芯片，所述晶圓芯片采用如權利要求1-9任一項所述的半導體封裝方法封裝成型。