[發明專利]多層陶瓷電子組件

有效

• 申請號: 202010553719.3
• 申請日: 2020-06-17
• 公開（公告）號: CN112530694B
• 公開（公告）日: 2023-09-01
• 發明（設計）人: 姜正模;尹炯悳;鄭恩僖
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H01G4/005
• 分類號: H01G4/005;H01G4/12;H01G4/30
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 王春芝;金光軍

1.一種多層陶瓷電子組件，包括：

陶瓷主體，包括介電層以及在第三方向上堆疊的第一內電極和第二內電極且所述介電層介于所述第一內電極和所述第二內電極之間，并且所述陶瓷主體具有在第一方向上相對的第三表面和第四表面、在第二方向上相對的第五表面和第六表面以及在所述第三方向上相對的第一表面和第二表面；以及

第一外電極和第二外電極，分別設置在所述陶瓷主體的所述第三表面和所述第四表面上，

其中，所述第一外電極包括第一基礎電極和第一導電層，所述第一基礎電極設置為與所述陶瓷主體接觸并且具有第一導電金屬，所述第一導電層設置在所述第一基礎電極上并且具有第二導電金屬，

所述第二外電極包括第二基礎電極和第二導電層，所述第二基礎電極設置為與所述陶瓷主體接觸并且具有所述第一導電金屬，所述第二導電層設置在所述第二基礎電極上并且具有所述第二導電金屬，并且

所述第一導電層的不與所述第一基礎電極接觸的外表面和所述第二導電層的不與所述第二基礎電極接觸的外表面均具有10.0μm或更大的平均表面粗糙度，

其中，所述第二導電金屬的標準還原電位比所述第一導電金屬的標準還原電位高，所述第一導電層和所述第二導電層中的每個是所述第二導電金屬的單組分層，并且所述第一導電層和所述第二導電層包括從由納米顆粒、納米線、納米棒、納米柱、納米帶、納米盤、納米管和納米四腳體組成的組中選擇的一種或更多種結構。

2.根據權利要求1所述的多層陶瓷電子組件，其中，所述第一基礎電極和所述第二基礎電極與所述第一導電層和所述第二導電層包含彼此不同的導電金屬。

3.根據權利要求1所述的多層陶瓷電子組件，其中，所述第一基礎電極和所述第二基礎電極包含所述第一導電金屬和玻璃。

4.根據權利要求3所述的多層陶瓷電子組件，其中，在所述第一基礎電極和所述第一導電層之間的界面以及所述第二基礎電極和所述第二導電層之間的界面處，所述第一導電金屬與所述第二導電金屬接觸的區域以及所述玻璃與所述第二導電金屬接觸的區域是隨機設置的。

5.根據權利要求1所述的多層陶瓷電子組件，其中，所述第一基礎電極和所述第二基礎電極包含銅。

6.根據權利要求1所述的多層陶瓷電子組件，其中，所述第一基礎電極和所述第二基礎電極均具有1.0μm或更大的平均表面粗糙度。

7.根據權利要求1所述的多層陶瓷電子組件，其中，所述第二導電金屬的標準還原電位為0.1V或更大。

8.根據權利要求1所述的多層陶瓷電子組件，其中，所述第一導電層的外表面和所述第二導電層的外表面的平均表面粗糙度為100μm或更小，所述第一基礎電極和所述第二基礎電極均具有1.0μm至100μm的平均表面粗糙度。

9.根據權利要求1所述的多層陶瓷電子組件，其中，所述第一導電層和所述第二導電層中的每個包括所述第二導電金屬的還原層。

10.根據權利要求7所述的多層陶瓷電子組件，其中，所述第二導電金屬的標準還原電位為2.87V或更小。

11.根據權利要求1所述的多層陶瓷電子組件，所述多層陶瓷電子組件還包括覆蓋所述第一導電層的第一端子電極以及覆蓋所述第二導電層的第二端子電極。

12.根據權利要求11所述的多層陶瓷電子組件，所述第一端子電極和所述第二端子電極包括鎳、銅、錫、鈀、鉑、金、銀、鎢、鈦、鉛或它們的合金。