[發(fā)明專利]電致發(fā)光顯示裝置和頭戴式顯示設(shè)備在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010553510.7 | 申請日: | 2020-06-17 |
| 公開(公告)號: | CN112397546A | 公開(公告)日: | 2021-02-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李镕百;金豪鎮(zhèn);樸漢善 | 申請(專利權(quán))人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;G02B27/01 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 康建峰;陳煒 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電致發(fā)光 顯示裝置 頭戴式 顯示 設(shè)備 | ||
公開了一種電致發(fā)光顯示裝置和頭戴式顯示設(shè)備。該電致發(fā)光顯示裝置包括:基板,其包括顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域;發(fā)射器件,其在基板上的顯示區(qū)域中;封裝層,其從顯示區(qū)域延伸至非顯示區(qū)域,其中,封裝層設(shè)置在發(fā)射器件上;多個焊盤電極,其在基板上的非顯示區(qū)域中;以及保護層,其設(shè)置在多個焊盤電極中的每個之間的區(qū)域中,并且被配置成保護設(shè)置在該保護層下方的絕緣層,其中,封裝層設(shè)置有開口區(qū)域,該開口區(qū)域被配置成露出多個焊盤電極中的每個中的至少一部分和保護層的至少一部分。
相關(guān)申請的交叉應(yīng)用
本申請要求于2019年8月12日提交的韓國專利申請第10-2019-0098203號的權(quán)益,該韓國專利申請通過引用如同在本文中完全闡述一樣并入于此。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開內(nèi)容涉及一種電致發(fā)光顯示裝置,并且更具體地,涉及一種用于露出焊盤電極的方法。
背景技術(shù)
以這樣的方式設(shè)置電致發(fā)光顯示裝置,使得在陽極電極與陰極電極之間設(shè)置發(fā)射層,并且發(fā)射層通過在上述兩個電極之間生成的電場來發(fā)射光,從而顯示圖像。
發(fā)射層可以由有機材料形成,該有機材料在通過電子和空穴的結(jié)合而產(chǎn)生激子并且激子從激發(fā)態(tài)下降到基態(tài)時發(fā)射光,或者發(fā)射層可以由諸如量子點的無機材料形成。
為了使發(fā)射層發(fā)射光,設(shè)置了各種電路器件,其中,可以通過經(jīng)由焊盤電極施加的外部驅(qū)動信號來驅(qū)動電路器件。也就是說,外部驅(qū)動裝置與焊盤電極連接,由此在外部驅(qū)動裝置中生成的驅(qū)動信號可以經(jīng)由焊盤電極傳輸至電路器件。
因此,為了將焊盤電極與外部驅(qū)動裝置連接,焊盤電極的上表面露于外部。在這種情況下,當(dāng)焊盤電極的上表面露于外部時,其可能具有與焊盤電極的外圍上的損壞有關(guān)的問題。
發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述問題而做出本公開內(nèi)容,并且本公開內(nèi)容的目的是提供一種電致發(fā)光顯示裝置,該電致發(fā)光顯示裝置能夠?qū)崿F(xiàn)制造成本的降低并且能夠使焊盤電極的上表面露出而不造成焊盤電極的外圍上的任何損壞。
根據(jù)本公開內(nèi)容的一個方面,上述和其他目的可以通過提供一種電致發(fā)光顯示裝置來實現(xiàn),該電致發(fā)光顯示裝置包括:基板,其包括顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域;發(fā)射器件,其在基板上的顯示區(qū)域中;封裝層,其從顯示區(qū)域延伸至非顯示區(qū)域,其中,封裝層設(shè)置在發(fā)射器件上;多個焊盤電極,其在基板上的非顯示區(qū)域中;以及保護層,其設(shè)置在多個焊盤電極中的每個之間的區(qū)域中,并且被配置成保護設(shè)置在該保護層下方的絕緣層,其中,封裝層設(shè)置有開口區(qū)域,該開口區(qū)域被配置成露出多個焊盤電極中的每個中的至少一部分和保護層的至少一部分。
根據(jù)本公開內(nèi)容的另一方面,提供了一種電致發(fā)光顯示裝置,該電致發(fā)光顯示裝置包括:基板,其包括顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域;薄膜晶體管,其設(shè)置在基板上的顯示區(qū)域中,并且被配置成包括有源層、柵電極、源電極和漏電極;焊盤電極,其設(shè)置在基板上的非顯示區(qū)域中,并且與源電極和漏電極設(shè)置在同一層中;鈍化層,其從顯示區(qū)域延伸至非顯示區(qū)域,其中,鈍化層設(shè)置在薄膜晶體管上;保護層,其設(shè)置在非顯示區(qū)域的鈍化層上;平坦化層,其設(shè)置在顯示區(qū)域的鈍化層上;發(fā)射器件,其設(shè)置在平坦化層中;以及封裝層,其從顯示區(qū)域延伸至非顯示區(qū)域,其中,封裝層設(shè)置在發(fā)射器件上,其中,封裝層設(shè)置有用于露出焊盤電極的至少一部分和保護層的至少一部分的開口區(qū)域。
附圖說明
根據(jù)以下結(jié)合附圖的詳細描述,將更清楚地理解本公開內(nèi)容的以上和其他目的、特征和其他優(yōu)點。在附圖中:
圖1是示出了根據(jù)本公開內(nèi)容的一個實施方式的電致發(fā)光顯示裝置的平面圖;
圖2是示出了根據(jù)本公開內(nèi)容的一個實施方式的電致發(fā)光顯示裝置的截面視圖,其與沿圖1的I-II線的截面視圖相對應(yīng);
圖3A至圖3D是示出了根據(jù)本公開內(nèi)容的一個實施方式的用于制造電致發(fā)光顯示裝置的方法的截面視圖;
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





