[發明專利]晶片表面檢查方法、晶片表面檢查裝置及電子元件制造方法在審
| 申請號: | 202010552960.4 | 申請日: | 2020-06-17 |
| 公開(公告)號: | CN112103200A | 公開(公告)日: | 2020-12-18 |
| 發明(設計)人: | 小栗裕之 | 申請(專利權)人: | 住友電工光電子器件創新株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;G01N21/55;G01N21/84;G01N21/95 |
| 代理公司: | 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219 | 代理人: | 韓峰;孫志湧 |
| 地址: | 日本神*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶片 表面 檢查 方法 裝置 電子元件 制造 | ||
本發明涉及晶片表面檢查方法、晶片表面檢查裝置及電子元件制造方法。所述檢查晶片的表面的方法包括以下步驟:用具有三個或更多個不同波長的激光束照射晶片的表面;當晶片的表面被激光束照射時,檢測來自晶片的表面的反射光;以及基于晶片的表面關于具有三個或更多個不同波長的激光束的反射率,確定晶片的表面上是否存在異物,其中,確定是否存在異物的步驟包括確定異物是金屬還是非金屬的步驟。
技術領域
本發明涉及檢查晶片的表面的方法,檢查晶片的表面的裝置以及電子元件的制造方法。
背景技術
通過用光照射晶片的表面來對該表面進行檢查。例如,日本專利申請公開No.H7-134103公開了一種用于檢測表面缺陷的技術。日本專利申請公開No.2005-147874和No.2018-517902公開了一種用于檢測粘附在表面上的異物的技術。
發明內容
金屬異物可能附著在晶片上,或者諸如抗蝕劑的非金屬異物可能附著在晶片上。優選地,當異物是金屬時,確定晶片是良品,而當異物是非金屬時,確定晶片是次品。因此,重要的是確定異物是金屬還是非金屬。但是,確定異物可能需要很長時間。因此,本發明的目的是提供一種檢查晶片的表面的方法,該方法能夠迅速確定異物是金屬還是非金屬。
根據本發明的第一方面,提供了一種檢查晶片的表面的方法,該方法包括以下步驟:用具有三個或更多個不同波長的激光束照射晶片的表面;當晶片的表面被激光束照射時,檢測來自晶片的表面的反射光;以及基于晶片的表面關于具有三個或更多個不同波長的激光束的反射率,確定晶片的表面上是否存在異物,其中,確定是否存在異物的步驟包括確定異物是金屬還是非金屬的步驟。
根據本發明的第二方面,提供了一種檢查晶片的表面的裝置,該裝置包括:激光源,其用具有三個或更多個不同波長的激光束照射晶片的表面;檢測器,當用激光束照射晶片的表面時,該檢測器檢測來自晶片的反射光;以及控制器,基于關于具有三個或更多個的不同波長的激光束的反射率來確定是否存在異物以及異物是金屬還是非金屬。
根據本發明的第三方面,提供了一種電子元件的制造方法,包括以下步驟:在晶片的表面上形成金屬層;在金屬層的表面上形成抗蝕劑圖案;在形成抗蝕劑圖案的步驟之后,用具有三個或更多個不同波長的激光束照射晶片的表面,以基于關于具有三個或更多個激光束的反射率,確定晶片的表面上是否存在異物;當存在異物時,確定該異物是金屬還是非金屬;當不存在異物或異物為金屬時,在該金屬層上形成鍍層。
附圖說明
圖1是表示根據第一實施例的表面檢查裝置的示意圖;
圖2A至圖2D是示出電容器的制造方法的剖視圖;
圖3A至圖3C是示出電容器的制造方法的剖視圖;
圖4A和圖4B是示出電容器的制造方法的剖視圖;
圖5是表面檢查方法的流程圖;
圖6A至圖6C示出了反射率;
圖7A至圖7C示出了反射率;
圖8A和圖8B示出了抗蝕劑的厚度與反射率之間的差之間的關系;
圖9A至圖9C示出了反射率;以及
圖10示出了抗蝕劑的厚度與反射率之間的差之間的關系。
具體實施方式
本發明的實施例的描述
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





