[發(fā)明專利]晶片表面檢查方法、晶片表面檢查裝置及電子元件制造方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010552960.4
• 申請(qǐng)日: 2020-06-17
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112103200A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-12-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 小栗裕之
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 住友電工光電子器件創(chuàng)新株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L21/66
• 分類號(hào): H01L21/66;G01N21/55;G01N21/84;G01N21/95
• 代理公司: 中原信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219
• 代理人: 韓峰;孫志湧

1.一種檢查晶片的表面的方法，所述方法包括以下步驟：

用具有三個(gè)或更多個(gè)不同波長(zhǎng)的激光束照射所述晶片的表面；

當(dāng)用所述激光束照射所述晶片的所述表面時(shí)，檢測(cè)來(lái)自所述晶片的所述表面的反射光；以及

基于所述晶片的所述表面關(guān)于具有所述三個(gè)或更多個(gè)不同波長(zhǎng)的所述激光束的反射率，確定所述晶片的所述表面上是否存在異物，

其中，

確定是否存在所述異物的所述步驟包括：確定所述異物是金屬還是非金屬的步驟。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，

確定所述異物是金屬還是非金屬的所述步驟包括以下步驟：

獲得在所述不同波長(zhǎng)處的各個(gè)反射率，以及

基于在所述不同波長(zhǎng)處的所述各個(gè)反射率中的兩個(gè)反射率之間的差，來(lái)確定所述異物是金屬還是非金屬。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中，

確定所述異物是金屬還是非金屬的所述步驟包括以下步驟：

獲得在所述不同波長(zhǎng)的所述各個(gè)反射率當(dāng)中的最大反射率和最小反射率，

獲得所述最大反射率和所述最小反射率之間的差、以及所述最大反射率和所述最小反射率之和，以及

當(dāng)所述差與所述和的比率小于0.15時(shí)，確定所述異物為金屬，而當(dāng)所述比率為0.15或更大時(shí)，確定所述異物為非金屬。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的方法，其中，

所述激光束的所述三個(gè)或更多個(gè)不同波長(zhǎng)中的每個(gè)波長(zhǎng)為600nm或更大。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中的任一項(xiàng)所述的方法，還包括以下步驟：

用具有五個(gè)或更多個(gè)不同波長(zhǎng)的激光束照射所述晶片的所述表面。

6.一種檢查晶片的表面的裝置，所述裝置包括：

激光源，所述激光源用具有三個(gè)或更多個(gè)不同波長(zhǎng)的激光束照射所述晶片的表面；

檢測(cè)器，當(dāng)用所述激光束照射所述晶片的所述表面時(shí)，所述檢測(cè)器檢測(cè)來(lái)自所述晶片的反射光；以及

控制器，所述控制器基于關(guān)于具有所述三個(gè)或更多個(gè)不同波長(zhǎng)的所述激光束的反射率，來(lái)確定是否存在異物以及所述異物是金屬還是非金屬。

7.一種電子元件的制造方法，其包括以下步驟：

在晶片的表面上形成金屬層；

在所述金屬層的表面上形成抗蝕劑圖案；

在形成所述抗蝕劑圖案的步驟之后，用具有三個(gè)或更多個(gè)不同波長(zhǎng)的激光束照射所述晶片的所述表面，以基于關(guān)于具有所述三個(gè)或更多個(gè)所述激光束的反射率來(lái)確定所述晶片的所述表面上是否存在異物；

當(dāng)存在所述異物時(shí)，確定所述異物是金屬還是非金屬；以及

當(dāng)不存在所述異物時(shí)或當(dāng)所述異物為金屬時(shí)，在所述金屬層上形成鍍層。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造方法，其中，

所述電子元件是電容器，

所述鍍層被包括在所述電容器的下電極中，并且

所述制造方法還包括以下步驟：

在所述鍍層上形成介電膜；以及

在所述介電膜上形成上電極。