[發明專利]一種光通信模塊及其制造方法在審
| 申請號: | 202010551711.3 | 申請日: | 2020-06-17 |
| 公開(公告)號: | CN111653628A | 公開(公告)日: | 2020-09-11 |
| 發明(設計)人: | 侯新飛 | 申請(專利權)人: | 濟南南知信息科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0203 | 分類號: | H01L31/0203;H01L31/0232;H01L31/024;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京華際知識產權代理有限公司 11676 | 代理人: | 葉宇 |
| 地址: | 250000 山東省濟南市歷*** | 國省代碼: | 山東;37 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 光通信 模塊 及其 制造 方法 | ||
本發明提供了一種光通信模塊及其制造方法。本發明的光通信模塊選用鋁質基板形成在光通孔側壁和基板上下表面的多孔氧化鋁層,該多孔氧化鋁層作為吸光層,其具有多孔結構;且多孔結構連成多個通道,可以實現高效的散熱。此外,在光通孔的側壁上還具有導熱性較差的金屬反射層,提高光通過的同時,隔絕多孔氧化鋁層中熱量干擾,提高光通信的精確度。
技術領域
本發明涉及半導體芯片封裝領域,具體涉及一種光通信模塊及其制造方法。
背景技術
對于半導體封裝,光通信模塊可以實現小型化、多功能化以及低成本化,但是隨著要集成度的不斷提升,其產熱效率,以及光傳輸質量都受到極大的限制。現有的光通信模塊往往是將光電芯片與控制芯片、存儲芯片、轉化芯片等集成到同一PCB板上,然后再將其統一電連接至封裝基板上,例如母板上。通常的,若光電芯片正對母板,則需要在母板上形成光通孔,以便于光通過。該種設置其光的準直性以及光的衰減都受到了很多的干擾,不利于光通信模塊。
發明內容
基于解決上述問題,本發明提供了一種光通信模塊的制造方法,其包括以下步驟:
(1)提供一鋁質基板,其包括相對的第一表面和第二表面;
(2)在所述鋁質基板中形成相互連通的凹槽和通孔,其中,所述凹槽和通孔共同貫通所述鋁質基板;
(3)利用陽極氧化在所述凹槽的側壁上形成第一多孔氧化鋁層,在所述通孔的側壁上形成第二多孔氧化鋁層;
(4)利用電鍍工藝在所述第二多孔氧化鋁層上形成一金屬層;
(5)將光電芯片設置于所述凹槽中,且所述光電芯片的有源面正對所述通孔。
其中,步驟(3)還包括利用陽極氧化同時在所述第一表面上形成第三多孔氧化鋁層以及在所述第二表面上形成第四多孔氧化鋁層。
其中,所述第一至第四多孔氧化鋁層中具有多個孔隙,多個孔隙相互連通構成多個通道。
其中,所述金屬層包括鉑(Pt)、鋅(Zn)、鋁鋅合金中的一種。
其中,所述光電芯片設置于PCB板的背面,所述背面朝向所述鋁質基板。
根據本發明的實施例,還包在所述第三多孔氧化鋁層中形成開口,并在所述開口中形成焊球,所述PCB板通過所述焊球與所述鋁質基板上的布線層電連接。
根據本發明的實施例,還包括其他芯片,其設置于所述PCB板的正面。
其中,所述金屬層封閉所述第二多孔氧化鋁的外表面的多個孔隙。
本發明還提供了一種光通信模塊,其由上述的光通信模塊的制造方法形成。
本發明的優點如下:
本發明的光通信模塊選用鋁質基板形成在光通孔側壁和基板上下表面的多孔氧化鋁層,該多孔氧化鋁層作為吸光層,其具有多孔結構;且多孔結構連成多個通道,可以實現高效的散熱。此外,在光通孔的側壁上還具有導熱性較差的金屬反射層,提高光通過的同時,隔絕多孔氧化鋁層中熱量干擾,提高光通信的精確度。
附圖說明
圖1為本發明的光通信模塊的剖面圖;
圖2-7為制造上述光通信模塊的過程示意圖。
具體實施方式
本技術將通過參考實施例中的附圖進行描述,本技術涉及一種光通信模塊,該光通信模塊選擇鋁質基板作為母板結構,進行陽極氧化形成多孔氧化鋁層進行吸光和散熱,同時進行通孔側面的電鍍導熱性較差的金屬反射層,提高光的傳輸準確性。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于濟南南知信息科技有限公司,未經濟南南知信息科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010551711.3/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





