[發明專利]顯示面板、顯示裝置及顯示面板的制備方法在審
| 申請號: | 202010550671.0 | 申請日: | 2020-06-16 |
| 公開(公告)號: | CN113809111A | 公開(公告)日: | 2021-12-17 |
| 發明(設計)人: | 胡豐田;黃文進;何大鵬 | 申請(專利權)人: | 華為機器有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;H01L33/62 |
| 代理公司: | 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291 | 代理人: | 劉金玲 |
| 地址: | 523808 廣東省東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 顯示裝置 制備 方法 | ||
1.一種顯示面板,其特征在于,包括:
基板,包括驅動電路和第一連接部,所述第一連接部與所述驅動電路電連接;
電子器件,固定于所述基板,所述電子器件包括第二連接部,所述第二連接部與所述第一連接部固定且電連接;
所述第一連接部包括鎳錐層,所述鎳錐層朝向所述第二連接部的一側為微納米錐狀結構;所述第二連接部包括軟焊金屬層,所述鎳錐層的所述微納米錐狀結構嵌入所述軟焊金屬層內,且所述微納米錐狀結構與所述軟焊金屬層之間具有金屬間化合物;或者,
所述第二連接部包括鎳錐層,所述鎳錐層朝向所述第一連接部的一側為微納米錐狀結構;所述第一連接部包括軟焊金屬層,所述鎳錐層的所述微納米錐狀結構嵌入所述軟焊金屬層內,且所述微納米錐狀結構與所述軟焊金屬層之間具有金屬間化合物層。
2.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述軟焊金屬層包括金層、錫層、銀層、銅層、鉍層或者銦層中的任意一種單金屬層,或者至少包括金、錫、銀、銅、鉍或者銦中一種金屬的合金層。
3.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述軟焊金屬層為單層結構,或者包括至少兩種子軟焊金屬層依次交疊的多層結構。
4.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述鎳錐層的微納米錐狀結構表面設有防氧化層。
5.根據權利要求4所述的顯示面板,其特征在于,所述防氧化層的材質為金層、錫層或者銦層中的任意一種,或者,金、錫或者銦中至少兩種的合金層。
6.根據權利要求1~5任一項所述的顯示面板,其特征在于,所述微納米錐狀結構的高度為0.3μm~3μm。
7.根據權利要求1~5任一項所述的顯示面板,其特征在于,所述電子器件為發光二極管、驅動芯片或者微縮型發光二極管。
8.一種顯示裝置,其特征在于,包括中框、后殼、印制電路板以及根據權利要求1~7任一項所述的顯示面板,其中:
所述中框用于承載所述印制電路板和所述顯示面板,所述印制電路板與所述顯示面板位于所述中框的兩側,所述后殼位于所述印制電路板背離所述中框的一側。
9.一種顯示面板的制備方法,其特征在于,包括將電子器件固定至具有驅動電路的基板,具體包括:
在所述電子器件的第二連接部形成軟焊金屬層;
在所述基板的第一連接部形成鎳錐層,所述鎳錐層的表面為微納米錐狀結構;
將所述電子器件的第二連接部與所述基板的第一連接部對準;增加第二連接部和第一連接部的溫度至第一溫度,使所述第二連接部的軟焊金屬層軟化;施加壓力使所述微納米錐狀結構嵌入所述軟焊金屬層,所述微納米錐狀結構與所述軟焊金屬層之間形成金屬間化合物;
所述第一溫度小于所述軟焊金屬層的熔點;
或者,
在所述電子器件的第二連接部形成鎳錐層,所述鎳錐層的表面為微納米錐狀結構;
在所述基板的第一連接部形成軟焊金屬層;
將所述電子器件的第二連接部與所述基板的第一連接部對準;增加第一連接部和第二連接部的溫度至第一溫度,使所述第一連接部的軟焊金屬層軟化;施加壓力使所述微納米錐狀結構嵌入所述軟焊金屬層,所述微納米錐狀結構與所述軟焊金屬層之間形成金屬間化合物;
所述第一溫度小于所述軟焊金屬層的熔點。
10.根據權利要求9所述的顯示面板的制備方法,其特征在于,所述在所述基板的第一連接部形成鎳錐層,所述鎳錐層的表面為微納米錐狀結構,包括:在所述微納米錐狀結構表面形成防氧化層;
或者,所述在所述電子器件的第二連接部形成鎳錐層,所述鎳錐層的表面為微納米錐狀結構,包括:在所述微納米錐狀結構表面形成防氧化層。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于華為機器有限公司,未經華為機器有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010550671.0/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





