[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體器件的封裝方法及半導(dǎo)體器件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010550632.0 | 申請日: | 2020-06-16 |
| 公開(公告)號: | CN111725084B | 公開(公告)日: | 2022-08-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 王琇如 | 申請(專利權(quán))人: | 杰群電子科技(東莞)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/603 | 分類號: | H01L21/603;H01L23/488;H01L23/367;H01L23/373 |
| 代理公司: | 北京澤方譽航專利代理事務(wù)所(普通合伙) 11884 | 代理人: | 唐明磊 |
| 地址: | 523000 廣東省東莞*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 半導(dǎo)體器件 封裝 方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體器件的封裝方法,其特征在于,包括:
提供引線框架,所述引線框架包括芯片座、芯片管腳和引線管腳,所述芯片管腳和所述芯片座連接,所述引線管腳與所述芯片座斷開;
在所述芯片座上焊接芯片;
放置銅夾于所述芯片以及所述引線管腳處以使得所述芯片與所述引線管腳通過所述銅夾電連接;
所述銅夾包括第一接觸部、第二接觸部和連接部,所述第一接觸部通過所述連接部與所述第二接觸部相連;所述銅夾的安裝過程為:通過楔形工具壓合在所述芯片以及所述引線管腳上,在壓合過程中所述銅夾發(fā)生塑性變形,包括:
通過楔形工具的按壓頭壓合所述第一接觸部與所述芯片,在壓合過程中在所述第一接觸部上表面形成多個第一凹槽;
通過楔形工具的按壓頭壓合所述第二接觸部與所述引線管腳,在壓合過程中在所述第二接觸部的上表面形成多個第二凹槽。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的封裝方法,其特征在于,在所述芯片座上焊接芯片之后,還包括:
對所述芯片座處的導(dǎo)電結(jié)合材料進行清除處理。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的封裝方法,其特征在于,所述在所述芯片座之上焊接芯片包括:
在所述芯片座之上制備導(dǎo)電結(jié)合材料;
采用回流焊技術(shù)在所述導(dǎo)電結(jié)合材料上焊接芯片。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件的封裝方法,其特征在于,所述導(dǎo)電結(jié)合材料包括錫。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的封裝方法,其特征在于,所述銅夾的安裝過程為:通過楔形工具壓合在所述芯片以及所述引線管腳上,在壓合過程中所述銅夾發(fā)生塑性變形之后,還包括:
對鍵合后的芯片以及引線管腳進行塑封操作。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件的封裝方法,其特征在于,所述楔形工具的按壓頭包括菱形按壓頭。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件的封裝方法,其特征在于,多個所述第一凹槽之間等間隔設(shè)置,多個所述第二凹槽之間等間隔設(shè)置。
8.一種半導(dǎo)體器件,其特征在于,包括:
引線框架,所述引線框架包括芯片座、芯片管腳和引線管腳,所述芯片管腳和所述芯片座連接,所述引線管腳與所述芯片座斷開;
導(dǎo)電結(jié)合材料,所述導(dǎo)電結(jié)合材料位于所述芯片座之上;
芯片,所述芯片通過所述導(dǎo)電結(jié)合材料與所述芯片座連接;
銅夾,所述銅夾包括第一接觸部、第二接觸部和連接部,所述第一接觸部通過所述連接部與所述第二接觸部相連;所述銅夾的安裝過程為:通過楔形工具壓合在所述芯片以及所述引線管腳上,在壓合過程中所述銅夾發(fā)生塑性變形,包括:通過楔形工具的按壓頭壓合所述第一接觸部與所述芯片,在壓合過程中在所述第一接觸部上表面形成多個第一凹槽;通過楔形工具的按壓頭壓合所述第二接觸部與所述引線管腳,在壓合過程中在所述第二接觸部的上表面形成多個第二凹槽。
9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件,其特征在于,所述第一凹槽的數(shù)量為多個,所述第二凹槽的數(shù)量為多個,多個所述第一凹槽之間等間隔設(shè)置,多個所述第二凹槽之間等間隔設(shè)置。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





