[發(fā)明專利]一種三氟磺酰胺環(huán)庚烷類光刻膠樹脂單體及其制備方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202010550493.1
• 申請日: 2020-06-16
• 公開（公告）號: CN111777532A
• 公開（公告）日: 2020-10-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 賀寶元;傅志偉;邵嚴(yán)亮;劉司飛;李遲
• 申請（專利權(quán)）人: 徐州博康信息化學(xué)品有限公司
• 主分類號: C07C311/04
• 分類號: C07C311/04;C07C311/07;C07C303/38;C07C303/40;G03F7/027;G03F7/004
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本發(fā)明公開了一種三氟磺酰胺環(huán)庚烷類光刻膠樹脂單體及其制備方法，三氟磺酰胺環(huán)庚烷類光刻膠樹脂單體，包括以下結(jié)構(gòu)通式：其中，R₁和R₂分別包括C₁～C₁₂烷基、雜烷基或連接鍵；R₃包括氫、鹵素、C₁～C₁₂烷基或雜烷基，其制備方法，包括以下步驟：將三氟磺酰類化合物加入到氨基環(huán)庚烷醇類化合物和堿混合液中，反應(yīng)得到三氟磺酰胺環(huán)庚烷醇類化合物；將三氟磺酰胺環(huán)庚烷醇類化合物與丙烯酸類化合物混合，經(jīng)過酯化反應(yīng)，純化得到三氟磺酰胺環(huán)庚烷類光刻膠樹脂單體。本發(fā)明合成的三氟磺酰胺環(huán)庚烷類光刻膠樹脂單體具有抗溶脹、堿溶性和疏水性，且制備方法簡單方便。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及光刻膠技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種三氟磺酰胺環(huán)庚烷類光刻膠樹脂單體及其制備方法。

背景技術(shù)

光刻技術(shù)(Lithography)是指利用光刻材料(特指光刻膠)在可見光、紫外線、電子束等作用下的化學(xué)敏感性，通過曝光、顯影、刻蝕等工藝過程，將設(shè)計在掩膜版(Mask)上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底上的圖形微細(xì)加工技術(shù)。

光刻技術(shù)的發(fā)展離不開光刻材料的發(fā)展，光刻材料的發(fā)展在一定程度上決定了光刻技術(shù)的發(fā)展與應(yīng)用。

光刻技術(shù)經(jīng)歷了從G線(436nm)、I線(365nm)近紫外光學(xué)光刻，到深紫外(248nm和193nm)、真空紫外(157nm)光學(xué)光刻，再到極紫外(13.5nm)、電子束、納米壓印、嵌段共聚物自組裝、掃描探針等下一代光刻技術(shù)的發(fā)展歷程，現(xiàn)已成為制作大規(guī)模集成電路和超大規(guī)模集成電路不可或缺的重要工藝。

在193nm浸沒式(193i)光刻中，光刻膠是浸沒在水中曝光的。這對193i光刻膠提出了一些特殊要求。第一，光刻膠的有效成分必須不溶于水；在與水接觸后，光刻膠的化學(xué)性質(zhì)不變；第二，光刻膠必須對水有一定的抗拒性，水?dāng)U散進入光刻膠不會導(dǎo)致膠體的膨脹和光敏感性的損失。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供一種較好堿溶性和耐刻蝕性的三氟磺酰胺環(huán)庚烷類光刻膠樹脂單體，提供相應(yīng)的制備方法是本發(fā)明的另一個目的。

為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了如下的技術(shù)方案：

本發(fā)明一種三氟磺酰胺環(huán)庚烷類光刻膠樹脂單體，所述樹脂單體包括以下結(jié)構(gòu)通式：

其中，R₁和R₂分別包括C₁～C₁₂烷基、雜烷基或連接鍵；R₃包括氫、鹵素、C₁～C₁₂烷基或雜烷基。

作為本發(fā)明的一種優(yōu)選技術(shù)方案，所述R₁和R₂分別包括C₁～C₆烷基或連接鍵，所述R₃包括氫或C₁～C₆烷基。

作為本發(fā)明的一種優(yōu)選技術(shù)方案，所述樹脂單體包括以下結(jié)構(gòu)：

其中所述R₃包括氫或C₁～C₆烷基。

上述的三氟磺酰胺環(huán)庚烷類光刻膠樹脂單體的制備方法，包括以下步驟：

S1，將三氟磺酰類化合物加入到氨基環(huán)庚烷醇類化合物和堿混合液中，反應(yīng)得到三氟磺酰胺環(huán)庚烷醇類化合物；

S2，將所述三氟磺酰胺環(huán)庚烷醇類化合物與丙烯酸類化合物混合，經(jīng)過酯化反應(yīng)，純化得到三氟磺酰胺環(huán)庚烷類光刻膠樹脂單體。