[發(fā)明專(zhuān)利]一種疊層電容器及其制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010550132.7
• 申請(qǐng)日: 2020-06-16
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113809080B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-02-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 夏軍;白世杰
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H10B12/00
• 分類(lèi)號(hào): H10B12/00;H10N97/00
• 代理公司: 上海晨皓知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31260
• 代理人: 成麗杰

1.一種疊層電容器的制作方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成第一隔離絕緣墊以及多個(gè)分立的底部焊盤(pán)；

在所述底部焊盤(pán)上形成子電容結(jié)構(gòu)；所述子電容結(jié)構(gòu)包括多個(gè)分立的下電極、多個(gè)分立的上電極以及位于所述下電極和所述上電極之間的電介質(zhì)，多個(gè)所述底部焊盤(pán)與多個(gè)所述下電極一一對(duì)應(yīng)電連接；

在所述子電容結(jié)構(gòu)上重復(fù)執(zhí)行N次形成連接結(jié)構(gòu)以及子電容結(jié)構(gòu)的操作，以使N個(gè)所述連接結(jié)構(gòu)和N+1個(gè)所述子電容結(jié)構(gòu)沿垂直于所述基底的方向交替排列；

其中，N為大于等于1的整數(shù)；

每一所述連接結(jié)構(gòu)包括位于相鄰的所述子電容結(jié)構(gòu)之間且處于同層的第二隔離絕緣墊、下電極連接墊以及上電極連接墊；沿垂直于所述基底的方向，所述下電極連接墊與一所述子電容結(jié)構(gòu)的所述下電極以及另一所述子電容結(jié)構(gòu)的所述下電極均電接觸，所述上電極連接墊與一所述子電容結(jié)構(gòu)的所述上電極與另一所述子電容結(jié)構(gòu)的所述上電極均電接觸；

每一所述下電極包括第一柱狀主體以及連接于所述第一柱狀主體側(cè)壁的多層第一環(huán)形側(cè)翼；各層所述第一環(huán)形側(cè)翼分立設(shè)置；

每一所述上電極包括第二柱狀主體以及連接于所述第二柱狀主體側(cè)壁的多層第二環(huán)形側(cè)翼；各層所述第二環(huán)形側(cè)翼分立設(shè)置；

其中，所述下電極連接墊與所述下電極中距離所述下電極連接墊最近的所述第一環(huán)形側(cè)翼電接觸，所述上電極連接墊與所述上電極中距離所述上電極連接墊最近的所述第二環(huán)形側(cè)翼電接觸，所述第一柱狀主體與所述第二柱狀主體的延伸方向相同，且所述第一柱狀主體與所述第二柱狀主體沿垂直于所述第一柱狀主體的延伸方向相對(duì)設(shè)置。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的疊層電容器的制作方法，其特征在于，在所述子電容結(jié)構(gòu)上形成所述連接結(jié)構(gòu)包括：

在所述子電容結(jié)構(gòu)上形成多個(gè)分立的所述下電極連接墊；

在所述下電極連接墊之間形成具有暴露出所述上電極的開(kāi)口的所述第二隔離絕緣墊；

在所述開(kāi)口中形成所述上電極連接墊。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的疊層電容器的制作方法，其特征在于，所述在所述下電極連接墊之間形成具有暴露出所述上電極的開(kāi)口的所述第二隔離絕緣墊包括：

在所述下電極連接墊的頂部、側(cè)壁和所述下電極連接墊之間形成第二隔離絕緣墊層；

利用干法刻蝕去除所述下電極連接墊的頂部和所述下電極連接墊之間的所述第二隔離絕緣墊層，形成暴露出所述上電極的開(kāi)口；

所述下電極連接墊側(cè)壁保留的所述第二隔離絕緣墊層形成所述第二隔離絕緣墊。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的疊層電容器的制作方法，其特征在于，

所述開(kāi)口的寬度與所述上電極的寬度相同。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的疊層電容器的制作方法，其特征在于，在所述子電容結(jié)構(gòu)上形成所述連接結(jié)構(gòu)包括：

在所述子電容結(jié)構(gòu)上形成多個(gè)分立的所述下電極連接墊；

在所述下電極連接墊之間形成具有暴露出所述上電極的開(kāi)口的所述第二隔離絕緣墊；

在所述開(kāi)口中形成第三隔離絕緣柱；

在所述下電極連接墊、所述第二隔離絕緣墊和所述第三隔離絕緣柱上形成犧牲層；

在所述犧牲層中形成子電容結(jié)構(gòu)并在所述第三隔離絕緣柱位置形成上電極連接墊，所述子電容結(jié)構(gòu)的上電極與所述上電極連接墊一體成型。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的疊層電容器的制作方法，其特征在于，利用濕法工藝去除所述第三隔離絕緣柱，在所述第三隔離絕緣柱位置形成上電極連接墊。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的疊層電容器的制作方法，所述重復(fù)執(zhí)行N次形成連接結(jié)構(gòu)以及子電容結(jié)構(gòu)的操作之后還包括：

在所述子電容結(jié)構(gòu)上形成上電極連接結(jié)構(gòu)；所述上電極連接結(jié)構(gòu)將分立的各所述上電極連接為一體。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的疊層電容器的制作方法，其特征在于，還包括：在所述上電極連接結(jié)構(gòu)上形成頂部焊盤(pán)；所述頂部焊盤(pán)與所述上電極連接結(jié)構(gòu)電連接。