[發明專利]一種疊層電容器及其制作方法

有效

• 申請號: 202010550132.7
• 申請日: 2020-06-16
• 公開（公告）號: CN113809080B
• 公開（公告）日: 2023-02-28
• 發明（設計）人: 夏軍;白世杰
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H10B12/00
• 分類號: H10B12/00;H10N97/00
• 代理公司: 上海晨皓知識產權代理事務所(普通合伙) 31260
• 代理人: 成麗杰

本發明實施例公開了一種疊層電容器及其制作方法。該方法包括：提供基底；在基底上形成第一隔離絕緣墊以及多個分立的底部焊盤；在底部焊盤上形成子電容結構；子電容結構包括多個分立的下電極、多個分立的上電極以及位于下電極和上電極之間的電介質，多個底部焊盤與多個下電極一一對應電連接；在子電容結構上重復執行N次形成連接結構以及子電容結構的操作，以使N個連接結構和N+1個子電容結構沿垂直于基底的方向交替排列；其中，N為大于等于1的整數。本發明實施例提供的技術方案可以增大疊層電容器的極板之間的面積，進而增大疊層電容器的電容值。

技術領域

本發明實施例涉及半導體集成電路技術領域，尤其涉及一種疊層電容器及其制作方法。

背景技術

動態隨機存儲器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是計算機中常用的半導體存儲器件，由多個存儲單元構成。每個存儲單元包括電容器和晶體管，晶體管的柵極與字線電連接，晶體管的第一電極與位線電連接，晶體管的第二電極與電容器電連接，字線上的電壓信號能夠控制晶體管的打開和關閉，當晶體管打開時，通過位線可讀取存儲在電容器中的信息，或者通過位線可向電容器中寫入數據信息。

圖1是現有技術中提供的一種電容器的結構示意圖。參見圖1，該電容器包括上電極110’、電介質120’以及多個分立的下電極130’，每個下電極130’與一個底部焊盤20’電連接，上電極110’與頂部焊盤30’電連接，相鄰兩個底部焊盤20’之間通過絕緣隔離墊40’絕緣。但是，圖1所示的電容器的電容值較小，如何提高電容器的電容值成為一技術難點。

發明內容

本發明提供一種疊層電容器及其制作方法，以提高疊層電容器的電容值。

第一方面，本發明實施例提供了一種疊層電容器的制作方法，包括：

提供基底；

在所述基底上形成第一隔離絕緣墊以及多個分立的底部焊盤；

在所述底部焊盤上形成子電容結構；所述子電容結構包括多個分立的下電極、多個分立的上電極以及位于所述下電極和所述上電極之間的電介質，多個所述底部焊盤與多個所述下電極一一對應電連接；

在所述子電容結構上重復執行N次形成連接結構以及子電容結構的操作，以使N個所述連接結構和N+1個所述子電容結構沿垂直于所述基底的方向交替排列；

其中，N為大于等于1的整數。

第二方面，本發明實施例還提供了一種疊層電容器，該疊層電容器包括：

基底；

位于所述基底上的第一隔離絕緣墊以及多個分立的底部焊盤；

位于所述底部焊盤上的N個連接結構和N+1個子電容結構；其中，N為大于等于1的整數；N個所述連接結構和N+1個所述子電容結構沿垂直于所述基底的方向交替排列；

所述子電容結構包括多個分立的下電極、多個分立的上電極以及位于所述下電極和所述上電極之間的電介質；多個所述底部焊盤與相鄰的所述子電容結構的多個所述下電極一一對應電連接；

所述連接結構包括第二隔離絕緣墊、多個分立的下電極連接墊以及多個分立的上電極連接墊；沿垂直于所述基底的方向，所述下電極連接墊電連接其相鄰的兩個所述下電極，所述上電極連接墊電連接其相鄰的兩個所述上電極。