[發(fā)明專利]一種光耦封裝引線框架素材的打薄工藝

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010549217.3
• 申請日: 2020-06-16
• 公開（公告）號: CN111672960A
• 公開（公告）日: 2020-09-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 蘇炤亙;翁念義;邱政康;袁瑞鴻;萬喜紅;李昇哲;楊皓宇
• 申請（專利權(quán)）人: 福建天電光電有限公司
• 主分類號: B21D28/02
• 分類號: B21D28/02;B21D28/04;B21D45/06;H01L33/62
• 代理公司: 福州旭辰知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 35233
• 代理人: 程春寶

1.一種光耦封裝引線框架素材的打薄工藝，其特征在于，包括以下步驟：

步驟S1、將沖壓模具安裝至油壓沖床中，上下模分別固定；

步驟S2、將未沖切的引線框架素材卷料放置于沖床的進(jìn)料端；

步驟S3、將引線框架素材料頭固定至沖壓模具入口；

步驟S4、將引線框架素材固定好后，沖床進(jìn)行第一次合模沖壓；

步驟S5、將引線框架素材通過沖床沖刀的作用沖出兩側(cè)的定位孔，沖出定位孔后，工作人員進(jìn)行開模，開模后模具中定位針的勾爪臂將步驟S4中已完成第一定位孔的引線框架素材將定位針置入框架”上側(cè)”后并往前以固定距離拖進(jìn)第二沖壓站中并放置”下側(cè)”定位孔于沖壓模具的定位針中；

步驟S6、在所述勾爪臂移出沖壓模具后進(jìn)行引線框架素材功能區(qū)設(shè)計形狀之沖壓；

步驟S7、沖出引線框架素材的兩側(cè)定位孔后，再次重復(fù)步驟S1至步驟S4，使沖床的沖刀不斷拍擊到引線框架素材表面欲去除的區(qū)域做打薄處理。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種光耦封裝引線框架素材的打薄工藝，其特征在于：所述步驟S6后還包括重復(fù)步驟S5和步驟S6，工作人員將引線框架素材的定位孔設(shè)定至需三到四次的沖切完成。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種光耦封裝引線框架素材的打薄工藝，其特征在于：所述步驟S7中的打薄處理為用沖刀刀具拍擊引線框架素材表面時或拍擊至引線框架素材的1/2支架深度處。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種光耦封裝引線框架素材的打薄工藝，其特征在于：所述步驟S7后還包括工作人員將卷料的素材切成片狀式引線框架素材。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種光耦封裝引線框架素材的打薄工藝，其特征在于：所述引線框架素材的材料為銅或鐵合金的卷料。