[發(fā)明專利]一種有機光電探測器底電極及其制備方法和應(yīng)用在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010548852.X | 申請日: | 2020-06-16 |
| 公開(公告)號: | CN111682114A | 公開(公告)日: | 2020-09-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 太惠玲;鞏國豪;蔣亞東;肖建花;王洋;顧德恩;劉青霞;黎威志 | 申請(專利權(quán))人: | 電子科技大學(xué) |
| 主分類號: | H01L51/44 | 分類號: | H01L51/44;H01L51/48 |
| 代理公司: | 成都弘毅天承知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 51230 | 代理人: | 軒勇麗 |
| 地址: | 611731 四川省成*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 有機 光電 探測器 電極 及其 制備 方法 應(yīng)用 | ||
本發(fā)明公開了一種有機光電探測器底電極及其制備方法和應(yīng)用,屬于半導(dǎo)體光電器件技術(shù)領(lǐng)域,包括襯底,所述襯底上設(shè)置有由主體層和功能調(diào)節(jié)層構(gòu)成的底電極結(jié)構(gòu),所述主體層和功能調(diào)節(jié)層分別通過電子束蒸發(fā)法制得,本發(fā)明采用雙層復(fù)合結(jié)構(gòu)金屬電極(Al?NiCr),主體層擁有在可見到紅外波段的高反射率,提高了入射光的吸收效率;生長功能調(diào)節(jié)層,可以匹配陰極緩沖層,同時保護(hù)主體層,防止主體層氧化、被水汽侵蝕;可以極大地促進(jìn)有機光電探測器的應(yīng)用。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于半導(dǎo)體光電器件技術(shù)領(lǐng)域,具體的涉及一種有機光電探測器底電極及其制備方法和應(yīng)用。
背景技術(shù)
光電探測器是一種十分重要的光電器件,可廣泛應(yīng)用于空間熱檢測、空間熱成像,空間通訊等領(lǐng)域。近年來可見到紅外波段的光電探測器發(fā)展迅猛,特別是使用新型有機聚合物材料作為活性層的有機光電探測器。光電探測器通常采用類三明治結(jié)構(gòu),分為底電極、陽極修飾層、活性層、陰極修飾層和透明電極以及基板,其中上下電極和活性層不可或缺。對于有機光電探測器,其透明電極通常使用氧化銦錫(ITO)。其底部電極需要滿足三方面的特性:可見到紅外波段的高反射率,與活性層匹配的功函數(shù),較高的電導(dǎo)率與較低的接觸電阻。
目前制備可適用于有機可見-近紅外光電探測器的底電極材料,主要還是集中于常用電極金屬材料,包括但不限于:銀(Ag),鋁(Al),銅(Cu),鉻(Cr)等。其中鋁金屬具有可見光到近紅外寬波段的高反射率,高的電導(dǎo)率(20℃,電阻率為2.9×10-8Ω·m),功函數(shù)4.3eV等優(yōu)點,是目前使用最廣泛、工藝最成熟的金屬底電極。同時,Al薄膜的生長方法主要有直流磁控濺射法,熱蒸發(fā)法,電子束蒸發(fā)法等。其中磁控濺射法制備薄膜均勻性好,成膜質(zhì)量較高;熱蒸發(fā)法操作簡單,工藝難度較低;電子束蒸發(fā)法通常用于制備熔點相差較大的合金薄膜。
雖然鋁電極具有許多優(yōu)良特性,但是使用常規(guī)方法制備的單層底電極僅適用于逆向組裝結(jié)構(gòu)器件,即透明電極-活性層-底電極結(jié)構(gòu)。若采用適于陣列化的正向組裝結(jié)構(gòu),則優(yōu)先制備于基板上的底電極會面臨許多新的問題,如:Al薄膜極易被氧化形成不導(dǎo)電的Al2O3,同時薄膜的Al2O3與活性層的功函數(shù)會出現(xiàn)不匹配。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于:針對上述的正向組裝結(jié)構(gòu)器件的底電極易被氧化以及活性層的功函數(shù)會出現(xiàn)不匹配問題,本發(fā)明提供一種正組裝的有機可見-近紅外光電探測器的底電極結(jié)構(gòu)及其制備方法和應(yīng)用,以解決底電層氧化,功函數(shù)不匹配等問題。
本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下:
一種有機光電探測器底電極,包括襯底,所述襯底上設(shè)置有由主體層和功能調(diào)節(jié)層構(gòu)成的底電極結(jié)構(gòu),所述主體層和功能調(diào)節(jié)層分別通過電子束蒸發(fā)法制得。
優(yōu)選的,所述功能調(diào)節(jié)層由鎳鉻合金制成,所述鎳鉻合金中鎳鉻質(zhì)量比為(70-90):(10-30)。
優(yōu)選的,所述鎳鉻合金中鎳鉻質(zhì)量比為80:20。
優(yōu)選的,所述主體層為高純鋁或鉻制成,所述高純鋁純度大于等于99.99%。
優(yōu)選的,所述主體層的厚度為95-105nm;所述功能調(diào)節(jié)層的厚度為12-14nm。
一種有機光電探測器底電極的制備方法,包括以下步驟:
步驟1:提供清潔的襯底;
步驟2:在所述襯底上采用電子束蒸發(fā)法制備主體層;
步驟3:在上述主體層上采用電子束蒸發(fā)法制備功能調(diào)節(jié)層,即得到所述底電極。
優(yōu)選的,所述襯底為剛性或柔性的襯底,所述襯底的厚度為0.1-5mm。襯底材料為普通玻璃,也可以是石英玻璃、硅片,或者是柔性的PI和PET均可。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
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