[發明專利]一種有機光電探測器底電極及其制備方法和應用

在審

• 申請號: 202010548852.X
• 申請日: 2020-06-16
• 公開（公告）號: CN111682114A
• 公開（公告）日: 2020-09-18
• 發明（設計）人: 太惠玲;鞏國豪;蔣亞東;肖建花;王洋;顧德恩;劉青霞;黎威志
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01L51/44
• 分類號: H01L51/44;H01L51/48
• 代理公司: 成都弘毅天承知識產權代理有限公司 51230
• 代理人: 軒勇麗

1.一種有機光電探測器底電極，包括襯底，其特征在于，所述襯底上設置有由主體層和功能調節層構成的底電極結構，所述主體層和功能調節層分別通過電子束蒸發法制得。

2.根據權利要求1所述的一種有機光電探測器底電極，其特征在于，所述功能調節層由鎳鉻合金制成，所述鎳鉻合金中鎳鉻質量比為(70-90):(10-30)。

3.根據權利要求1所述的一種有機光電探測器底電極，其特征在于，所述鎳鉻合金中鎳鉻質量比為80:20。

4.根據權利要求1所述的一種有機光電探測器底電極，其特征在于，所述主體層為高純鋁或鉻制成，所述高純鋁純度大于等于99.99％。

5.根據權利要求1所述的一種有機光電探測器底電極，其特征在于，所述主體層的厚度為95-105nm；所述功能調節層的厚度為12-14nm。

6.基于權利要求1-5所述的一種有機光電探測器底電極的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1：提供清潔的襯底；

步驟2：在所述襯底上采用電子束蒸發法制備主體層；

步驟3：在上述主體層上采用電子束蒸發法制備功能調節層，即得到所述底電極。

7.根據權利要求6所述的一種有機光電探測器底電極的制備方法，其特征在于，所述襯底為剛性或柔性的襯底，所述襯底的厚度為0.1-5mm。

8.根據權利要求6所述的一種有機光電探測器底電極的制備方法，其特征在于，所述步驟2的具體的步驟為：先抽前置真空等于或低于1.0×10^-4Pa，再打開電子束蒸發設備電流槍，調節電流到1.4-1.6A，使用于生成主體層的材料呈現熔融狀態，生長速率控制在0.5nm/s，厚度為95-105nm。

9.根據權利要求6所述的一種有機光電探測器底電極的制備方法，其特征在于，所述步驟3的具體的步驟為：先關閉電流槍，其次將生長源轉換到鎳鉻合金，再次打開電流槍，調節電流到0.5-0.7nm/s，使生成功能調節層的材料呈現熔融狀態，生長速率控制在0.2nm/s，厚度為12-14nm。

10.一種光電器件，其特征在于，所述光電器件包括權利要求1-9任一項所述的疊層結構的底電極。