[發明專利]感光像素模塊、圖像傳感器及電子設備

在審

• 申請號: 202010548644.X
• 申請日: 2020-06-16
• 公開（公告）號: CN111769126A
• 公開（公告）日: 2020-10-13
• 發明（設計）人: 張學勇
• 申請（專利權）人: OPPO廣東移動通信有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 深圳市隆天聯鼎知識產權代理有限公司 44232
• 代理人: 劉抗美

1.一種感光像素模塊，其特征在于，所述感光像素模塊包括：

保護環；

多個感光像素單元，多個所述感光像素單元排布于所述保護環內；

淺槽隔離，多個感光像素單元中任意兩個相鄰的感光像素單元之間設置有所述淺槽隔離。

2.如權利要求1所述的感光像素模塊，其特征在于，所述感光像素單元包括：

襯底，所述襯底上具有陽極區，所述襯底上設置有第一容置部，所述第一容置部位于所述陽極區的一側，所述第一容置部遠離所述陽極區的一側具有第一開口；

雪崩層，所述雪崩層設于所述襯底的第一容置部；

陰極層，所述陰極層設于所述雪崩層，并且所述陰極層位于所述雪崩層遠離所述陽極區的一側，并且所述陰極層暴露于所述第一開口。

3.權利要求2所述的感光像素模塊，其特征在于，所述感光像素單元還包括：

陰極擴散層，所述陰極擴散層設于所述雪崩層和所述陰極層之間。

4.如權利要求3所述的感光像素模塊，其特征在于，所述淺槽隔離的深度大于所述陰極層的深度，并且所述淺槽隔離的深度小于所述陰極擴散層的深度。

5.如權利要求3所述的感光像素模塊，其特征在于，所述陰極層嵌于所述陰極擴散層，并且所述陰極層遠離所述雪崩層的一側暴露于所述陰極擴散層。

6.如權利要求5所述的感光像素模塊，其特征在于，所述淺槽隔離設于相鄰的兩個所述感光像素單元的陰極擴散層之間。

7.如權利要求3所述的感光像素模塊，其特征在于，所述陰極層和所述陰極擴散層摻雜有第一類型摻雜物，所述雪崩層和所述襯底摻雜有第二類型摻雜物。

8.如權利要求7所述的感光像素模塊，其特征在于，所述陰極層的摻雜濃度大于所述陰極擴散層的摻雜濃度，所述雪崩層的摻雜濃度大于所述襯底的摻雜濃度。

9.如權利要求2所述的感光像素模塊，其特征在于，所述感光像素模塊還包括：

信號采集層，所述像素采集層堆疊設于所述感光像素單元遠離進光側的一側，所述信號采集層中包括信號采集電路，所述信號采集電路和所述感光像素單元連接。

10.如權利要求1所述的感光像素模塊，其特征在于，所述感光像素單元包括：

襯底；

陰極層，所述陰極層設于所述襯底，所述陰極層上設置有第二容置部，所述第二容置部在遠離所述襯底的一側設置有第二開口；

雪崩層，所述雪崩層嵌于所述陰極層遠離所述襯底的一側，并且所述雪崩層暴露于所述第二開口；

陽極層，所述陽極層設于所述雪崩層遠離所述襯底的一側。

11.如權利要求10所述的感光像素模塊，其特征在于，所述陰極層包括第一類型摻雜物，所述雪崩層和所述陽極層包括第二類型摻雜物，并且所述雪崩層的摻雜濃度小于所述陽極層的摻雜濃度。

12.如權利要求10所述的感光像素模塊，其特征在于，所述感光像素模塊還包括：

信號采集層，所述像素采集層堆疊設于所述感光像素單元的進光側，所述信號采集層中包括信號采集電路，所述信號采集電路和所述感光像素單元連接。

13.如權利要求2-12任一所述感光像素模塊，其特征在于，所述保護環包括：

深槽隔離，所述深槽隔離呈封閉的環狀，并且所述深槽隔離環繞多個所述感光像素單元。

14.如權利要求2-12任一所述的感光像素模塊，其特征在于，所述保護環包括：

半導體保護環，所述半導體保護環呈封閉的環狀，并且所述半導體保護環環繞多個所述感光像素單元。