[發明專利]一種高功率、低漏電的Sense-Switch型pFLASH單元結構在審
| 申請號： | 202010548495.7 | 申請日： | 2020-06-16 |
| 公開（公告）號： | CN111668223A | 公開（公告）日： | 2020-09-15 |
| 發明（設計）人： | 宋思德;劉國柱;張海良;施輝;吳建偉;洪根深;賀琪 | 申請（專利權）人： | 中國電子科技集團公司第五十八研究所 |
| 主分類號： | H01L27/11519 | 分類號： | H01L27/11519;G11C16/04 |
| 代理公司： | 無錫派爾特知識產權代理事務所(普通合伙) 32340 | 代理人： | 楊立秋 |
| 地址： | 214000 *** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 功率 漏電 sense switch pflash 單元 結構 | ||
1.一種高功率、低漏電的Sense-Switch型pFLASH單元結構，其特征在于，包括：
襯底(1)，所述襯底(1)上設置有深N阱(2)；
編程/擦除管T1的有源區(21)和信號傳輸管T2的有源區(22)，制作在所述深N阱(2)內；
所述深N阱(2)上依次設有隧道氧化層(4)、浮柵多晶層(5)、IPD多晶間介質層(6)和控制柵多晶層(7)；所述控制柵多晶層(7)的外側設有側墻(14)；
所述深N阱(2)上設有ILD介質層(9)，所述的ILD介質層(9)上設有金屬層(11)；所述ILD介質層(9)覆蓋在控制柵多晶層(7)、側墻(14)以及深N阱(2)上；
所述隧道氧化層(4)外圍設有SAB介質層，所述SAB介質層內填充有金屬硅化物(8)，在所述金屬硅化物(8)上方設有貫穿所述ILD介質層(9)的通孔連接結構(10)，所述金屬層(11)通過所述通孔連接結構(10)和所述金屬硅化物(8)與所述編程/擦除MOS管T1和所述信號傳輸管T2歐姆接觸。
2.如權利要求1所述的高功率、低漏電的Sense-Switch型pFLASH單元結構，其特征在于，所述信號傳輸管T2包括有源區(22)、位于所述有源區(22)內的P+漏區(12A)和P-源區(12B)；其中，所述信號傳輸管T2中的P+漏區(12A)和P-源區(12B)分布于所述控制柵多晶層(7)的兩側，并且所述信號傳輸管T2中的P-源區(12B)內有N+注入(13)；
所述編程/擦除管T1的有源區(21)內設置有P+源區(15A)和P+漏區(15B)，分別位于所述控制柵多晶層(7)的兩側。
3.如權利要求2所述的高功率、低漏電的Sense-Switch型pFLASH單元結構，其特征在于，所述金屬層(11)包括與所述信號傳輸管T2中P+漏區(12A)歐姆接觸的漏極金屬(11A)、與所述信號傳輸管T2中P-源區(12B)歐姆接觸的源極金屬(11B)，以及與所述編程/擦除管T1的P+源區(15A)和P+漏區(15B)歐姆接觸的金屬。
4.如權利要求3所述的高功率、低漏電的Sense-Switch型pFLASH單元結構，其特征在于，所述SAB介質層內還設有連接所述信號傳輸管T2中P+漏區(12A)的漏區金屬硅化物(8A)和連接所述信號傳輸管T2中N+注入(13)的源區金屬硅化物(8B)。
5.如權利要求4所述的高功率、低漏電的Sense-Switch型pFLASH單元結構，其特征在于，所述通孔連接結構(10)包括漏區連接通孔結構(10A)和源區連接通孔結構(10B)，均貫穿所述ILD介質層(9)；
所述漏極金屬(11A)通過所述漏區連接通孔結構(10A)、所述漏區金屬硅化物(8A)與所述信號傳輸管T2中P+漏區(12A)歐姆接觸；
所述源極金屬(11B)通過所述源區連接通孔結構(10B)、所述源區金屬硅化物(8B)與所述信號傳輸管T2中N+注入(13)歐姆接觸。
6.如權利要求1所述的高功率、低漏電的Sense-Switch型pFLASH單元結構，其特征在于，所述浮柵多晶層(5)為所述編程/擦除MOS管T1與所述信號傳輸管T2共用，通過所述浮柵多晶層(5)存儲電荷來實現所述信號傳輸管T2的開關狀態；
所述編程/擦除MOS管T1、所述信號傳輸MOS管T2的柵極端連接在一起，所述編程/擦除管T1通過位選擇信號來控制浮柵上的電子，從而實現編程、擦除、校驗的功能。
7.如權利要求1所述的高功率、低漏電的Sense-Switch型pFLASH單元結構，其特征在于，所述編程/擦除管T1的有源區(21)和所述信號傳輸管T2的有源區(22)在所述深N阱(2)中通過STI(32)隔離；
所述STI(32)的溝槽深度為
所述深N阱(2)的結深為3～7μm。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
