[發明專利]一種高水接抗靜電硬化薄膜及制備方法

在審

• 申請號: 202010547738.5
• 申請日: 2020-06-16
• 公開（公告）號: CN111875833A
• 公開（公告）日: 2020-11-03
• 發明（設計）人: 王靈慧;董紅星;劉楷楷
• 申請（專利權）人: 寧波惠之星新材料科技有限公司
• 主分類號: C08J7/044
• 分類號: C08J7/044;C08J7/043;C08J7/046;C09D175/14;C09D167/06;C09D163/10;C09D133/04;C09D5/24;C08L69/00;C08L1/12;C08L67/02;C08L23/12;C08L33/12;C09D17
• 代理公司: 余姚德盛專利代理事務所(普通合伙) 33239
• 代理人: 戚秋鵬

本發明提供了一種高水接抗靜電硬化薄膜及制備方法，薄膜包括從下到上依次貼合的基膜、底涂層以及高水接抗靜電硬化層；方法包括以下步驟：步驟S001，選材；根據需求選擇合適厚度和材料的基膜；步驟S002，貼合底涂層；將底涂液涂布在基膜上固化后形成底涂層；步驟S003，配置高水接抗靜電涂液；將不飽和的丙烯酸樹脂、附著促進劑、抗靜電劑、固化劑和特殊助劑溶于溶劑中配置成高水接抗靜電涂液；步驟S004，貼合高水接抗靜電硬化層；用凹版輥將高水接抗靜電涂液涂布在底涂層上經烘箱加熱后，再經過UV機固化形成高水接抗靜電硬化層。本薄膜具有防指紋、抗臟污以及抗靜電的功能并且穩定性好，本方法制備過程簡單，能快速實現大批量生產。

技術領域

本發明涉及薄膜領域，特別是涉及一種高水接抗靜電硬化薄膜及制備方法。

背景技術

隨著電子工業的迅猛發展，主機電路板電路越來越密集，靜電累積的問題越來越突出，用抗靜電薄膜從表層減少靜電累積的方法被提出；抗靜電薄膜主要用于移動電子產品觸摸屏、保護膜、各類面板制成品以及出貨產品表面的保護。隨著保護膜的快速發展，對于抗指紋，防臟污，硬度，耐磨等也有了新的要求。

現有的薄膜抗靜電效果差、防指紋效果差并且制備過程繁瑣生產效率低。目前，制備抗靜電薄膜的方法主要分為兩種，一種是在薄膜內添加抗靜電劑，另一種是進行二次處理(即在薄膜表面涂布抗靜電劑)；薄膜內添加抗靜電劑，一般會靜電值不穩定，容易受環境影響，對于后道制程有具體限定；二次處理方法中的抗靜電劑如聚噻吩，氧化銻和二氧化錫粉體的混合物等一般帶有顏色對透明基材的透過率霧度有一定影響，實用性較低。

發明內容

(一)要解決的技術問題

本發明所要解決的問題是提供一種高水接抗靜電硬化薄膜及制備方法，以克服現有薄膜抗靜電效果差、防指紋效果差、制備過程繁瑣不適用大批量生產的缺陷。

(二)技術方案

為解決所述技術問題，本發明提供一種高水接抗靜電硬化薄膜及制備方法，包括從下到上依次貼合的基膜、底涂層以及高水接抗靜電硬化層。通過基膜、底涂層和高水接抗靜電硬化層的配合，本薄膜具有抗靜電、高水接觸角以及兼顧硬度和耐磨度的特點。

進一步的，所述基膜為透明薄膜，材質選自PC、TAC、PET、PP或PMMA，厚度為12μm-300μm。所述底涂層的材質選自PU或亞克力，厚度為50nm-150nm。所述高水接抗靜電硬化層由高水接抗靜電涂液固化形成，厚度為0.1μm-5.5μm，優選為0.1μm-5μm。

進一步的，以質量百分含量計，所述高水接抗靜電涂液的原料組成包括：不飽和的丙烯酸樹脂40％-50％，附著促進劑0.02％-0.8％，抗靜電劑1.5％-4％，固化劑1.2％-3.2％，特殊助劑0.02％-0.8％，溶劑41.8％-57.96％。所述不飽和的丙烯酸樹脂選自聚氨酯丙烯酸樹脂、聚酯丙烯酸樹脂、環氧丙烯酸樹脂、氟丙烯酸樹脂或特殊改性丙烯酸樹脂中的一種或幾種的組合；所述附著促進劑選自硅烷類促進劑或鈦酸酯類促進劑中的一種或兩種結合，所述硅烷類促進劑選自水性硅烷、氨基硅烷、酰氧基硅烷、乙烯基硅烷、含硫硅烷、環氧硅烷、脲基硅烷或苯基硅烷中的一種或幾種組合，所述鈦酸酯類促進劑選自單烷氧基類、螯合型或配位型中的一種或幾種組合；所述抗靜電劑選自陰離子型、陽離子型或非離子型中的一種或幾種組合；所述固化劑選自2,4,6-三甲基苯甲酰基-二苯基氧化膦、1-羥基環己基苯基甲酮、2,4,6-三甲基苯甲酰基-乙烯基-苯基氧化膦、2-甲基-1-(4-甲硫基苯基)-2-嗎啉丙酮-1、2-羥基-2-甲基-苯丙酮基-1或2-羥基-2-甲基-對羥乙基醚苯丙酮基-1中的一種或幾種組合；所述特殊助劑為含氟助劑；所述溶劑選自乙醇、IPA、丙醇、丙酮、甲基異丁基酮、丁酮、丙二醇甲醚、丙二醇單丁基醚、乙酸甲酯、乙酸乙酯或乙酸丁酯中的兩種以上的組合。

本發明提供的一種高水接抗靜電硬化薄膜的制備方法，包括以下步驟：