[發(fā)明專利]一種高耐熱低熱膨脹系數(shù)的聚酰亞胺薄膜及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010547495.5 | 申請(qǐng)日: | 2020-06-16 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN111808423B | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-05-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 金文斌 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 浙江中科玖源新材料有限公司 |
| 主分類號(hào): | C08L79/08 | 分類號(hào): | C08L79/08;C08J5/18;C08G73/10 |
| 代理公司: | 合肥金律專利代理事務(wù)所(普通合伙) 34184 | 代理人: | 楊霞 |
| 地址: | 321100 浙江省金華*** | 國(guó)省代碼: | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 耐熱 低熱 膨脹系數(shù) 聚酰亞胺 薄膜 及其 制備 方法 | ||
本發(fā)明提出了一種高耐熱低熱膨脹系數(shù)的聚酰亞胺薄膜及其制備方法,所述聚酰亞胺薄膜的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為380℃以上,線性熱膨脹系數(shù)為15ppm/K以下。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及光學(xué)材料技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種高耐熱低熱膨脹系數(shù)的聚酰亞胺薄膜及其制備方法。
背景技術(shù)
在光電顯示等行業(yè),通常用聚酰亞胺薄膜代替玻璃材料,可以實(shí)現(xiàn)屏幕自身的輕薄化、可折疊等特質(zhì)。聚酰亞胺薄膜常與無(wú)機(jī)材料組合使用,在加工的過(guò)程中,材料要經(jīng)受高熱的環(huán)境。這就需要聚酰亞胺材料具有較高的耐熱性和高尺寸穩(wěn)定性,但是現(xiàn)階段傳統(tǒng)的聚酰亞胺材料很難達(dá)到兼具高耐熱、低熱膨脹等要求。
發(fā)明內(nèi)容
基于背景技術(shù)存在的技術(shù)問(wèn)題,本發(fā)明提出了一種高耐熱低熱膨脹系數(shù)的聚酰亞胺薄膜及其制備方法,所述聚酰亞胺薄膜的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為380℃以上,線性熱膨脹系數(shù)為15ppm/K以下。
本發(fā)明提出的一種高耐熱低熱膨脹系數(shù)的聚酰亞胺薄膜,所述聚酰亞胺薄膜包含如下結(jié)構(gòu)式:
其中,R為芳香族二胺單體除去二個(gè)氨基后的殘基,n為大于零的整數(shù)。
優(yōu)選地,所述芳香族二胺單體為4,4'-二氨基二苯醚、2,2'-雙(三氟甲基)-4,4'-二氨基聯(lián)苯、4,4'-二氨基二苯砜、4,4'-雙(2-三氟甲基-4-氨基苯氧基)苯或4,4'-雙(2-三氟甲基-4-氨基苯氧基)聯(lián)苯中的一種或者多種的組合。
優(yōu)選地,所述聚酰亞胺薄膜的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為380℃以上,線性熱膨脹系數(shù)為15ppm/K以下。
本發(fā)明還提出上述高耐熱低熱膨脹系數(shù)的聚酰亞胺薄膜制備方法,包括如下步驟:
S1、將偏苯三酸酐酰氯和2,5-二氨基嘧啶-4(3H)-酮按照2-4:1的摩爾比進(jìn)行酰胺化反應(yīng)得到含嘧啶酮的四羧酸二酐單體,再將該含嘧啶酮的四羧酸二酐單體與芳香族二胺單體進(jìn)行酰胺化反應(yīng),得到聚酰胺酸;
S2、將步驟S1中得到的聚酰胺酸在脫水劑和催化劑的條件下進(jìn)行亞胺化反應(yīng),成膜后,即得到所述聚酰亞胺薄膜。
優(yōu)選地,所述含嘧啶酮的四羧酸二酐單體與芳香族二胺單體的摩爾量之比為1:1-1.2。
優(yōu)選地,所述脫水劑為乙酸酐、丙酸酐或三氟乙酸酐中的一種或者多種的組合;所述催化劑為吡啶、甲基吡啶、喹啉或異喹啉中的一種或者多種的組合。
優(yōu)選地,所述“成膜”具體包括:將聚酰亞胺稀釋后涂覆成膜,加熱干燥,得到所述聚酰亞胺薄膜。
優(yōu)選地,所述“加熱干燥”具體包括:在60-80℃下干燥0.5-1h,在180-200℃下干燥1-2h,在320-350℃下干燥0.5-1h。
本發(fā)明中,通過(guò)含嘧啶酮的四羧酸二酐單體與芳香族二胺單體進(jìn)行縮聚反應(yīng),得到聚酰亞胺薄膜。該聚酰亞胺薄膜中含有的嘧啶酮和酰胺結(jié)構(gòu)可以提供多個(gè)氫鍵結(jié)合位點(diǎn),使得該聚酰亞胺薄膜在分子內(nèi)或分子間形成大量的氫鍵作用,從而有效地提高了材料的耐熱性,確保能夠得到高耐熱低熱膨脹系數(shù)的聚酰亞胺薄膜。
其中,關(guān)于聚酰亞胺薄膜中氫鍵的作用過(guò)程如下所示:
具體實(shí)施方式
本發(fā)明中所提出的聚酰亞胺薄膜中,所述聚酰亞胺薄膜包含如下結(jié)構(gòu)式:
其中,R為芳香族二胺單體除去二個(gè)氨基后的殘基,n為大于零的整數(shù)。
下面,通過(guò)具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明,但是應(yīng)該明確提出這些實(shí)施例用于舉例說(shuō)明,但是不解釋為限制本發(fā)明的范圍。
實(shí)施例1
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