[發明專利]壓印模板及其制備方法

在審

• 申請號: 202010547006.6
• 申請日: 2020-06-16
• 公開（公告）號: CN111624851A
• 公開（公告）日: 2020-09-04
• 發明（設計）人: 劉震;張笑;郭康;谷新
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: G03F7/00
• 分類號: G03F7/00
• 代理公司: 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262
• 代理人: 曲鵬;解婷婷

本發明實施例提供了一種壓印模板及其制備方法。壓印模板的制備方法包括：在基底上依次形成犧牲層和壓印膠層；將由母模板翻制出來的軟模板壓印在所述壓印膠層上，在所述壓印膠層上形成位于圖案區的壓印圖案和位于段差區的段差圖案；去除所述段差區的壓印膠層和犧牲層。在由軟模板制備壓印模板過程中，本發明實施例通過去除由軟模板帶來的段差圖案，解決了現有小尺寸母模板復制成大尺寸壓印模板過程中存在段差不良等問題，可以實現從小尺寸母模板向大尺寸壓印機使用大尺寸壓印模板的圖案準確轉移。

技術領域

本發明涉及但不限于半導體技術領域，具體涉及一種壓印模板及其制備方法。

背景技術

納米壓印技術(NIL)是一種薄膜圖案化技術，主要包括熱壓印、紫外壓印和微接觸壓印，具有分辨率高、成本低、產率高、可大規模生產等特點。熱壓印和紫外壓印的圖案化原理為：在熱或者紫外照射下，將預先制作有圖案的壓印模版壓在壓印膠上，通過脫模、刻蝕多余膠、刻蝕和去膠等工藝，制作出與壓印模版互補的圖案。目前，納米壓印技術主要應用在生物傳感、發光二極管(LED)光效提升、光路控制、虛擬現實/增強現實(AR/VR)等領域的薄膜圖案化工藝。

隨著顯示技術領域大尺寸、低成本的需求日益迫切，中尺寸或大尺寸顯示裝置的制備逐漸開始采用納米壓印技術。應用于顯示技術領域的納米壓印工藝流程通常包括：先制備出壓印模板，然后根據壓印模板制備出大尺寸壓印機使用的工作模板，利用工作模板進行顯示基板上薄膜的圖案化。但經本申請發明人研究發現，現有壓印模板存在段差不良的問題。

發明內容

本發明實施例所要解決的技術問題是，提供一種壓印模板及其制備方法，解決現有壓印模板存在段差不良的問題。。

為了解決上述技術問題，本發明實施例提供了一種壓印模板的制備方法，包括：

在基底上依次形成犧牲層和壓印膠層；

將由母模板翻制出來的軟模板壓印在所述壓印膠層上，在所述壓印膠層上形成位于圖案區的壓印圖案和位于段差區的段差圖案；

去除所述段差區的壓印膠層和犧牲層。

可選地，還包括：

提供一母模板，所述母模板包括原始圖案；

利用所述母模板形成包括轉移圖案和不良圖案的軟模板；所述轉移圖案為所述母模板上原始圖案的互補圖案，所述不良圖案包括形成所述軟模板過程中所述母模板上邊緣形成的圖案。

可選地，所述壓印膠層上的壓印圖案為所述轉移圖案的互補圖案，所述壓印膠層上的段差圖案為所述不良圖案的互補圖案。

可選地，所述母模板包括單晶硅晶圓、石英或者玻璃，所述母模板的形狀包括正方形、矩形、圓形或者橢圓形。

可選地，所述母模板包括有效區和邊緣區，所述原始圖案設置在所述有效區，所述壓印模板的圖案區的面積小于或等于所述母模板的有效區的面積。

可選地，去除所述段差區的壓印膠層和犧牲層，包括：

在所述壓印膠層上形成光刻膠層，采用掩膜板對所述光刻膠層進行曝光處理，在所述圖案區形成未曝光區域，在所述段差區形成完全曝光區域，通過顯影去除所述完全曝光區域的光刻膠層，保留覆蓋所述壓印圖案的光刻膠層；

通過第一次處理去除所述段差區的部分壓印膠層；

通過第二次處理去除所述段差區的犧牲層和剩余的壓印膠層；

通過第三次處理去除所述圖案區的光刻膠層。

可選地，通過第一次處理去除所述段差區的部分壓印膠層，包括：采用反應離子刻蝕工藝或電感耦合式等離子刻蝕工藝，刻蝕時間為60秒～200秒，刻蝕所述段差區的壓印膠層，所述段差區中部分位置的犧牲層暴露出來，其它位置的犧牲層覆蓋有壓印膠塊。