[發明專利]壓印模板及其制備方法

在審

• 申請號: 202010547006.6
• 申請日: 2020-06-16
• 公開（公告）號: CN111624851A
• 公開（公告）日: 2020-09-04
• 發明（設計）人: 劉震;張笑;郭康;谷新
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: G03F7/00
• 分類號: G03F7/00
• 代理公司: 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262
• 代理人: 曲鵬;解婷婷

1.一種壓印模板的制備方法，其特征在于，包括：

在基底上依次形成犧牲層和壓印膠層；

將由母模板翻制出來的軟模板壓印在所述壓印膠層上，在所述壓印膠層上形成位于圖案區的壓印圖案和位于段差區的段差圖案；

去除所述段差區的壓印膠層和犧牲層。

2.根據權利要求1所述的壓印模板的制備方法，其特征在于，還包括：

提供一母模板，所述母模板包括原始圖案；

利用所述母模板形成包括轉移圖案和不良圖案的軟模板；所述轉移圖案為所述母模板上原始圖案的互補圖案，所述不良圖案包括形成所述軟模板過程中所述母模板上邊緣形成的圖案。

3.根據權利要求2所述的壓印模板的制備方法，其特征在于，所述壓印膠層上的壓印圖案為所述轉移圖案的互補圖案，所述壓印膠層上的段差圖案為所述不良圖案的互補圖案。

4.根據權利要求2所述的壓印模板的制備方法，其特征在于，所述母模板包括單晶硅晶圓、石英或者玻璃，所述母模板的形狀包括正方形、矩形、圓形或者橢圓形。

5.根據權利要求2所述的壓印模板的制備方法，其特征在于，所述母模板包括有效區和邊緣區，所述原始圖案設置在所述有效區，所述壓印模板的圖案區的面積小于或等于所述母模板的有效區的面積。

6.根據權利要求1～5任一項所述的壓印模板的制備方法，其特征在于，去除所述段差區的壓印膠層和犧牲層，包括：

在所述壓印膠層上形成光刻膠層，采用掩膜板對所述光刻膠層進行曝光處理，在所述圖案區形成未曝光區域，在所述段差區形成完全曝光區域，通過顯影去除所述完全曝光區域的光刻膠層，保留覆蓋所述壓印圖案的光刻膠層；

通過第一次處理去除所述段差區的部分壓印膠層；

通過第二次處理去除所述段差區的犧牲層和剩余的壓印膠層；

通過第三次處理去除所述圖案區的光刻膠層。

7.根據權利要求6所述的壓印模板的制備方法，其特征在于，通過第一次處理去除所述段差區的部分壓印膠層，包括：采用反應離子刻蝕工藝或電感耦合式等離子刻蝕工藝，刻蝕時間為60秒～200秒，刻蝕所述段差區的壓印膠層，所述段差區中部分位置的犧牲層暴露出來，其它位置的犧牲層覆蓋有壓印膠塊。

8.根據權利要求7所述的壓印模板的制備方法，其特征在于，通過第二次處理去除所述段差區的犧牲層和剩余的壓印膠層，包括：采用濕法刻蝕工藝刻蝕所述段差區暴露出來的犧牲層，刻蝕時間為60秒～200秒，去除所述段差區的犧牲層和所述壓印膠塊。

9.根據權利要求8所述的壓印模板的制備方法，其特征在于，通過第三次處理去除所述圖案區的光刻膠層，包括：采用光刻膠濕法剝離工藝剝離所述圖案區的光刻膠層，剝離時間為60秒～300秒。

10.根據權利要求6所述的壓印模板的制備方法，其特征在于，所述犧牲層的厚度為20nm～40nm，所述光刻膠層的厚度為2μm～8μm。

11.根據權利要求6所述的壓印模板的制備方法，其特征在于，所述未曝光區域的面積小于或等于所述圖案區的面積。

12.根據權利要求11所述的壓印模板的制備方法，其特征在于，所述未曝光區域在基底上正投影的邊界位于所述圖案區在基底上正投影的邊界范圍內，所述未曝光區域在基底上正投影的邊界與所述圖案區在基底上正投影的邊界之間的距離為2mm～20mm。

13.根據權利要求1～5任一項所述的壓印模板的制備方法，其特征在于，所述犧牲層的材料包括如下任意一種或多種：金屬材料、透明導電材料和氧化物材料，金屬材料包括如下任意一種或多種：鋁、鉬、銅、銀和鈦，透明導電材料包括如下任意一種或多種：氧化銦錫，氧化物材料包括如下任意一種或多種：氧化銦鎵鋅、氧化銦錫鋅、氧化銦鋅、氧化銦鎵和氧化銦鋁鋅。