[發明專利]基板保持裝置及基板處理裝置在審
| 申請號: | 202010546521.2 | 申請日: | 2020-06-16 |
| 公開(公告)號: | CN112103237A | 公開(公告)日: | 2020-12-18 |
| 發明(設計)人: | 柏木誠 | 申請(專利權)人: | 株式會社荏原制作所 |
| 主分類號: | H01L21/687 | 分類號: | H01L21/687;H01L21/67;B08B1/00;B08B1/04;B24B21/04;B24B37/10;B24B37/30;B24B41/00;B24B41/06;B24B47/12;B24B49/00;B24B49/12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 保持 裝置 處理 | ||
本發明提供一種基板保持裝置及基板處理裝置,該基板保持裝置使晶片等基板進行圓運動,并且能夠一邊使基板以其軸心為中心旋轉,一邊穩定地保持該基板。基板保持裝置(10)具備:多個輥(11a、11b);使多個輥(11a、11b)旋轉的多個電動機(29a、29b);圍繞中心軸線(CP)排列的多個偏心軸(13a、13b);多個致動器(18)。多個偏心軸(13a、13b)由多個可動軸(13b)和多個基準軸(13a)構成,多個致動器(18)分別與多個可動軸(13b)連結,多個致動器(18)構成為,使多個可動軸(13b)向接近多個基準軸(13a)的方向以及從多個基準軸(13a)遠離的方向移動。
技術領域
本發明涉及一種保持晶片等基板并使其旋轉的基板保持裝置。另外,本發明涉及一種具備這樣的基板保持裝置的基板處理裝置。
背景技術
近年來,存儲器電路、邏輯電路、圖像傳感器(例如CMOS傳感器)等器件正在被更高地集成化。在形成這些器件的工序中,微粒子、塵埃等異物有時會附著于器件。附著于器件的異物會引起布線間的短路、電路的不良。因此,為了提高器件的可靠性,需要清洗形成有器件的晶片,除去晶片上的異物。
在晶片的背面(裸硅面)上,有時也附著有上述那樣的微粒子、粉塵等異物。當這樣的異物附著在晶片的背面時,晶片會從曝光裝置的載物臺基準面離開,或晶片表面會相對于載物臺基準面傾斜,其結果是,產生圖案的偏移、焦點距離的偏移。為了防止這樣的問題,需要除去附著在晶片的背面的異物。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本特開2019-83224號公報
發明所要解決的課題
最近,對能夠更有效地處理基板的整個表面的裝置的需求越來越高。因此,提出了一種基板保持裝置,該基板保持裝置通過與多個偏心軸連結的多個輥把持基板的周緣部,在偏心軸自身的位置靜止的狀態下使各偏心軸以其軸心為中心旋轉,由此一邊使基板進行圓運動,一邊使基板以其軸心為中心旋轉(例如專利文獻1)。
在使用了這樣的基板保持裝置的基板處理裝置中,輥不與處理工具接觸,處理工具能夠對基板的表面的包含最外部的整個表面進行處理。另外,這樣的圓運動和以基板的軸心為中心的旋轉的組合能夠提高基板表面上的各點的速度,其結果是,能夠提高基板的處理效率。
在這樣的基板保持裝置中,需要使多個偏心軸的相位彼此一致。但是,難以使多個偏心軸的相位正確地一致,在基板的旋轉中,有時由于相位偏移而在偏心軸產生振動。在多個偏心軸中的一個產生了振動的情況下,有時上述振動經由支承這些偏心軸的共用的支承板傳遞到其他的偏心軸,從而基板的保持變得不穩定。
發明內容
因此,本發明的目的在于提供一種基板保持裝置,該基板保持裝置使晶片等基板進行圓運動,并且能夠一邊使基板以其軸心為中心旋轉,一邊穩定地保持該基板。另外,本發明的目的在于提供一種基板處理裝置,該基板處理裝置用于使用這樣的基板保持裝置來處理基板的表面。
在一個方式中,基板保持裝置一邊使基板進行圓運動,一邊使所述基板以該基板的軸心為中心旋轉,該基板保持裝置具備:多個輥,該多個輥能夠與所述基板的周緣部接觸;多個電動機,該多個電動機使所述多個輥旋轉;多個偏心軸,該多個偏心軸圍繞預先確定的中心軸線排列;以及多個致動器,所述多個偏心軸具有多個第一軸部和多個第二軸部,該多個第二軸部分別從所述多個第一軸部偏心,所述多個輥分別固定于所述多個第二軸部,所述多個第一軸部分別與所述多個電動機連結,所述多個偏心軸由多個可動軸及多個基準軸構成,所述多個致動器分別與所述多個可動軸連結,所述多個致動器以使所述多個可動軸向接近所述多個基準軸的方向以及從所述多個基準軸遠離的方向移動的方式構成。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





