[發(fā)明專利]光照射裝置、光照射方法和存儲介質

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010545970.5
• 申請日: 2020-06-16
• 公開（公告）號: CN112147854A
• 公開（公告）日: 2020-12-29
• 發(fā)明（設計）人: 鬼海貴也;古閑法久;友野勝
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會社
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;徐飛躍

本發(fā)明提供一種光照射裝置，其包括：收納基片的處理室；收納能量射線的射線源的線源室；將處理室與線源室分隔開的分隔壁；多個窗部，其設置在分隔壁，能夠使從射線源向處理室內的基片出射的能量射線透射；和多個氣體釋放部，其分別設置在處理室內的多個窗部的周圍，沿多個窗部的表面釋放非活性氣體。根據本發(fā)明，能夠有效提高光照射處理的穩(wěn)定性。

技術領域

本發(fā)明涉及光照射裝置、光照射方法和存儲介質。

背景技術

專利文獻1記載了：在半導體器件的制造工藝中，依次進行在基片的表面形成抗蝕劑膜的步驟、進行曝光的步驟、將抗蝕劑圖案化的步驟、對抗蝕劑的整個面照射波長200nm以下的光的步驟、進行抗蝕劑膜的下層膜的蝕刻的步驟。

現(xiàn)有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2001-127037號公報。

發(fā)明內容

本發(fā)明提供一種能夠有效提高光照射處理的穩(wěn)定性的光照射裝置。

本發(fā)明的一個方面的光照射裝置包括：收納基片的處理室；收納能量射線的射線源的線源室；將處理室與線源室分隔開的分隔壁；多個窗部，其設置在分隔壁，能夠使從射線源向處理室內的基片出射的能量射線透射；和多個氣體釋放部，其分別設置在處理室內的多個窗部的周圍，沿多個窗部的表面釋放非活性氣體。

根據本發(fā)明，能夠提供一種可有效提高光照射處理的穩(wěn)定性的光照射裝置。

附圖說明

圖1是例示光照射裝置的概略構成的示意圖。

圖2是例示氣體釋放部的概略構成的示意圖。

圖3是表示光照射裝置的變形例的示意圖。

圖4是表示氣體釋放部的變形例的示意圖。

圖5是表示氣體釋放部的變形例的平面圖。

圖6是例示排氣引導部的概略構成的示意圖。

圖7是例示控制器的功能性結構的框圖。

圖8是例示控制器的硬件構成的框圖。

圖9是例示光照射工序的流程圖。

圖10是例示升華物附著于窗部時的影響的圖表。

附圖標記說明

1：光照射裝置，11：處理室，12：線源室，13：分隔壁，15：窗部，15a：窗部15的中心，16：氣體流路，30：射線源，70：處理用氣體供給部(氣體供給部)，82：緩沖空間(第1緩沖空間)，83：隙縫，84：通氣孔，85：緩沖空間(第2緩沖空間)，90：排氣部。

具體實施方式

以下，參照附圖詳細說明實施方式。在說明中，對相同要素或具有相同功能的要素標注相同的附圖標記，省略重復的說明。

【光照射裝置】

(裝置整體構成)

本實施方式的光照射裝置1是對形成在基片的表面上的感光性覆膜或者感光性圖案照射能量射線的裝置。作為基片的具體例，能夠列舉半導體晶片。作為感光性覆膜的具體例，能夠列舉抗蝕劑膜。作為感光性圖案的具體例，能夠列舉通過抗蝕劑膜的顯影處理形成的抗蝕劑圖案。