[發明專利]顯示基板及顯示裝置有效
| 申請號: | 202010544925.8 | 申請日: | 2020-06-15 |
| 公開(公告)號: | CN111653596B | 公開(公告)日: | 2022-07-22 |
| 發明(設計)人: | 石博;黃煒赟;于池;張瑜 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京風雅頌專利代理有限公司 11403 | 代理人: | 于小鳳 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 顯示裝置 | ||
本公開提供一種顯示基板及顯示裝置,其中,顯示基板包括:低像素密度區,所述低像素密度區包括發光層以及設置于所述發光層的出光方向一側的變色結構;所述變色結構包括電致變色層,所述電致變色層上設置有與所述發光層的發光單元位置上下對應的變色單元,所述變色單元在所述顯示基板顯示圖像時呈透明狀態,在通過所述低像素密度區采集圖像時,在所述變色單元表面形成反射面,通過所述反射面將由外界入射至所述發光單元并被所述發光單元反射的光線再反射至設置于背離所述發光層發光方向的圖像采集器,該顯示基板可增強屏下圖像采集器的進光量,提高成像質量。
技術領域
本公開涉及顯示技術領域,尤其涉及一種顯示基板及顯示裝置。
背景技術
在屏下攝像頭技術中,通常可采用降低攝像頭所在區域的分辨率來增加OLED(OrganicLight-Emitting Diode,有機電激光顯示)顯示面板的透過率,但由于對顯示面板顯示功能的需求,低分辨區(即低PPI(Pixels Per Inch,像素密度)區域)仍需保留一定數量的顯示單元。在采集圖像時,由外界入射到低PPI區域的很大一部分光線被發光單元的陽極等金屬層遮擋,造成入射到圖像采集器的光強顯著降低,物面到像面的傳遞信息出現丟失和衰減,導致成像質量降低的問題。
發明內容
有鑒于此,本公開提供一種顯示基板及顯示裝置,以解決相關技術中,在顯示屏的低像素區域中,由于入射到屏下圖像采集器中的光強降低,導致采集的圖像質量降低的問題。
本公開的一個或多個實施例提供了一種顯示基板,包括:低像素密度區,所述低像素密度區包括發光層以及變色結構;所述變色結構設置于所述發光層的出光方向一側;所述變色結構包括電致變色層,所述電致變色層上設置有與所述發光層的發光單元位置上下對應的變色單元,所述變色單元在所述顯示基板顯示圖像時呈透明狀態,在通過所述低像素密度區采集圖像時,在所述變色單元表面形成反射面,通過所述反射面將由外界入射至所述發光單元并被所述發光單元反射的光線再反射至設置于背離所述發光層發光方向的圖像采集器。
可選的,所述變色結構還包括位置相對的第一透明基底以及第二透明基底,所述第一透明基底以及所述第二透明基底的邊緣密封連接,形成一個密封的腔體。
可選的,所述變色單元為設置于所述第一透明基底或所述第二透明基底朝向所述腔體的一面的透明電極,所述發光單元在所述透明電極所在的平面上的正投影覆蓋所述透明電極,所述腔體內設置有銀離子以及電解質。
可選的,所述顯示基板還包括封裝層,所述封裝層位于所述變色結構以及所述發光層之間。
可選的,所述第一透明基底設置于靠近所述封裝層的一側,所述第二透明基底設置于遠離所述封裝層的一側,所述透明電極設置于所述第一透明基底上。
可選的,所述顯示基板還包括封裝層,所述變色結構位于所述封裝層與發光層之間。
可選的,所述透明電極的中部設置有通孔。
可選的,所述透明電極的表面積為與其位置上下對應的發光單元的表面積的1/2。
可選的,所述透明電極的表面光滑。
本公開一個或多個實施例還提供了一種顯示裝置,包括如上述任意一種顯示基板。
從上面所述可以看出,在本公開的一個或多個實施例中,在顯示基板的發光層的出光方向上設置有變色結構,變色結構中設置有與發光層的發光單元位置對應的變色單元,該變色單元可以在顯示基板顯示圖像時,呈透明狀態,使發光單元發出的光可正常通過變色結構,以實現顯示功能,在通過低像素密度區采集圖像時,在變色結構的變色單元表面形成反射面,將被發光單元遮擋的由外界入射的光線反射至圖像采集器,以增強圖像采集器的進光量,提高成像質量。
附圖說明
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





