[發明專利]顯示基板及顯示裝置有效
| 申請號: | 202010544925.8 | 申請日: | 2020-06-15 |
| 公開(公告)號: | CN111653596B | 公開(公告)日: | 2022-07-22 |
| 發明(設計)人: | 石博;黃煒赟;于池;張瑜 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京風雅頌專利代理有限公司 11403 | 代理人: | 于小鳳 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 顯示裝置 | ||
1.一種顯示基板,其特征在于,包括:
低像素密度區,所述低像素密度區包括發光層以及設置于所述發光層的出光方向一側的變色結構;
所述變色結構包括電致變色層,所述電致變色層上設置有與所述發光層的發光單元位置上下對應的變色單元,所述變色單元在所述顯示基板顯示圖像時呈透明狀態,在通過所述低像素密度區采集圖像時,在所述變色單元表面形成反射面,通過所述反射面將由外界入射至所述發光單元并被所述發光單元反射的光線再反射至設置于背離所述發光層發光方向的圖像采集器。
2.根據權利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述變色結構還包括位置相對的第一透明基底以及第二透明基底,所述第一透明基底以及所述第二透明基底的邊緣密封連接,形成一個密封的腔體。
3.根據權利要求2所述的顯示基板,其特征在于,所述變色單元為設置于所述第一透明基底或所述第二透明基底朝向所述腔體的一面的透明電極,所述發光單元在所述透明電極所在的平面上的正投影覆蓋所述透明電極,所述腔體內設置有銀離子以及電解質。
4.根據權利要求3所述的顯示基板,其特征在于,所述顯示基板還包括封裝層,所述封裝層位于所述變色結構以及所述發光層之間。
5.根據權利要求4所述的顯示基板,其特征在于,所述第一透明基底設置于靠近所述封裝層的一側,所述第二透明基底設置于遠離所述封裝層的一側,所述透明電極設置于所述第一透明基底上。
6.根據權利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述顯示基板還包括封裝層,所述變色結構位于所述封裝層與發光層之間。
7.根據權利要求3所述的顯示基板,其特征在于,所述透明電極的中部設置有通孔。
8.根據權利要求3所述的顯示基板,其特征在于,所述透明電極的表面積為與其位置上下對應的發光單元的表面積的1/2。
9.根據權利要求3所述的顯示基板,其特征在于,所述透明電極的表面光滑。
10.一種顯示裝置,其特征在于,包括如權利要求1至9任一項所述的顯示基板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





