[發明專利]MoS2 在審
| 申請號： | 202010544610.3 | 申請日： | 2020-06-15 |
| 公開（公告）號： | CN111678906A | 公開（公告）日： | 2020-09-18 |
| 發明（設計）人： | 隋學森 | 申請（專利權）人： | 青島峰巒新材料科技有限責任公司 |
| 主分類號： | G01N21/65 | 分類號： | G01N21/65;C01B32/194;B22F9/24;B22F1/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 266000 山東*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | mos base sub | ||
1.一種MoS2-Ag-氮摻雜石墨烯納米復合材料表面增強拉曼基底的制備方法，包括以下步驟：
（1）氨基芘在氫氧化鈉水溶液中進行進行水熱反應，得到氮摻雜的石墨烯量子點溶液；
（2）將步驟（1）得到的氮摻雜的石墨烯量子點溶液真空抽濾，進行自組裝，得到自支撐結構的氮摻雜石墨烯薄膜（NG）；
（3）將步驟（2）得到的氮摻雜石墨烯薄膜NG浸泡在2,4-十七二炔-1-醇（HDO）的四氫呋喃溶液中，進行酯化反應，然后再通過紫外線照射，進行加聚反應，得到NG-HDO薄膜；
（4）將步驟（3）得到的NG-HDO薄膜超聲分散在水中，然后加入硝酸銀進行磁力攪拌，最后加入檸檬酸鈉溶液，并將溫度控制在80-90°C，保溫30min，直至溶液變成深綠色，得到表面修飾有Ag納米粒子的NG-HDO薄膜的分散液；
（5）在步驟（4）所得到的表面修飾有Ag納米粒子的NG-HDO薄膜的分散液中加入鉬酸鈉和半胱氨酸，混合均勻后，在180-100°C條件下反應8-12h；最后分離、純化，即得到MoS2-Ag-氮摻雜石墨烯納米復合材料表面增強拉曼基底。
2.如權利要求1所述的一種MoS2-Ag-氮摻雜石墨烯納米復合材料表面增強拉曼基底的制備方法，其特制在于，步驟（1）中，氨基芘的濃度為0.002-0.02mol/L，氫氧化鈉的濃度為0.05-0.5mol/L；水熱反應的溫度為150-200°C。
3.如權利要求1所述的一種MoS2-Ag-氮摻雜石墨烯納米復合材料表面增強拉曼基底的制備方法，其特制在于，步驟（3）中，2,4-十七二炔-1-醇（HDO）的四氫呋喃溶液的濃度為3-5g/L，氮摻雜石墨烯薄膜與2,4-十七二炔-1-醇的質量比為10-20：1；紫外線照射時間為1-3h，紫外線波長為365nm。
4.如權利要求1所述的一種MoS2-Ag-氮摻雜石墨烯納米復合材料表面增強拉曼基底的制備方法，其特制在于，步驟（4）中，NG-HDO薄膜的水分散液的濃度控制在1-3wt%，加入硝酸銀后，硝酸銀的濃度控制在10-20wt%。
5.如權利要求1所述的一種MoS2-Ag-氮摻雜石墨烯納米復合材料表面增強拉曼基底的制備方法，其特制在于，步驟（5）中，NG-HDO薄膜、鉬酸鈉、和半胱氨酸的質量比控制在1：（10-15）：（10-15）。
6.如權利要求1-5任一項所述的一種MoS2-Ag-氮摻雜石墨烯納米復合材料表面增強拉曼基底的制備方法制得的MoS2-Ag-氮摻雜石墨烯納米復合材料表面增強拉曼基底。
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